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이차원 수평 초격자 구조 템플릿 및 이를 이용한 증착방법

  • 기술번호 : KST2023003506
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 증착공정을 위한 템플릿으로, 두 종류 이상의 이차원물질이 초격자를 이루며, 상기 두 종류 이상의 이차원 물질의 변형률은 상이한 것을 특징으로 하는 이차원 수평 초격자 구조 템플릿이 제공된다.
Int. CL H01L 21/308 (2006.01.01) H01L 21/3065 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/32 (2006.01.01) H01L 21/285 (2006.01.01) H10N 70/00 (2023.01.01)
CPC H01L 21/3086(2013.01) H01L 21/3065(2013.01) H01L 21/3081(2013.01) H01L 21/02178(2013.01) H01L 21/02181(2013.01) H01L 21/02271(2013.01) H01L 21/32(2013.01) H01L 21/28562(2013.01) H10N 70/023(2013.01) H10N 70/8825(2013.01) H10N 70/8828(2013.01)
출원번호/일자 1020220053562 (2022.04.29)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0078473 (2023.06.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020210165231   |   2021.11.26
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.04.29)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강기범 대전광역시 유성구
2 박정원 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울시 서초구 서운로**, ***호(서초동, 중앙로얄오피스텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2022.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2022-0463318-47
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2023.01.31 수리 (Accepted) 4-1-2023-5023571-05
3 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2023.05.04 수리 (Accepted) 4-1-2023-5110236-33
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
증착공정을 위한 템플릿으로, 두 종류 이상의 이차원물질이 초격자를 이루며, 상기 두 종류 이상의 이차원 물질의 변형률은 상이한 것을 특징으로 하는 이차원 수평 초격자 구조 템플릿
2 2
제 1항에 있어서, 상기 증착공정 중 증착되는 물질은 상기 변형률이 상이한 이차원 물질 중 어느 하나에만 선택적으로 증착되는 것을 특징으로 하는 이차원 수평 초격자 구조 템플릿
3 3
제 1항에 있어서, 상기 증착공정은 CVD 또는 ALD 공정인 것을 특징으로 하는 이차원 수평 초격자 구조 템플릿
4 4
제 2항에 있어서, 상기 두 종류 이상의 이차원 물질 중 변형률이 큰 이차원 물질 상에 상기 증착되는 물질이 선택적으로 증착되는 것을 특징으로 하는 이차원 수평 초격자 구조 템플릿
5 5
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 따른 이차원 수평 초격자 구조 템플릿을 이용한 증착공정
6 6
제 5항에 있어서, 상기 증착공정은, 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 따른 이차원 수평 초격자 구조 템플릿을 기판 상에 성장하는 단계; 및상기 이차원 수평 초격자 구조 템플릿 상에 증착되는 물질을 포함하는 증착가스를 접촉시키는 단계를 포함하며, 상기 증착되는 물질은 이차원 수평 초격자 구조 템플릿
7 7
제 6항에 있어서, 상기 이차원 수평 초격자 구조 템플릿의 이차원물질은 전이금속디칼코게나이드, 그래핀 중 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 이차원 수평 초격자 구조 템플릿을 이용한 증착공정
8 8
제 6항에 있어서,상기 증착되는 물질은 Al2O3, HfO2, Ru, Sb2Te3, Sb2Se3, 및 Te로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 증착공정
9 9
제 6항에 따른 증착공정을 진행하는 단계; 및상기 기판의 후면을 식각하는 단계를 포함하는 하드마스크 제조방법
10 10
제 9항에 있어서, 상기 기판의 후면을 식각하는 공정은 RIE 공정인 것을 특징으로 하는 하드마스크 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술원 나노·소재기술개발(R&D) (N01210919)(통합EZ)이차원 수평초격자기반 sub-1nm scale 선택성장기술 개발(2021년도)