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원자층 증착법을 이용하여 10mTorr~10Torr의 압력, 0
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제 1 항에 있어서, 상기 하프늄 나이트라이드층을 형성하기 위한 하프늄(Hf) 소스로서 HfCl4, TDMAHf[Hf(NMe2)4], TDEAH[Hf(NEt2)4], TEMAHf[Hf(NEtMe)4] 및 Cl을 함유하고 있는 Hf-유기화합물 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드 기판의 제조 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 하프늄 나이트라이드층을 형성하기 위해 N, NH 래디칼 중 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드 기판의 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 래디칼 내에 존재하는 전자나 이온을 제거하기 위해, 플라즈마를 발생시킨 후 상기 래디칼을 격자 모양의 차폐판을 통과하여 증착챔버로 주입시키는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드 기판의 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 차폐판의 격자로서 하프늄(Hf) 금속으로 제작된 사용하는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드 기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 갈륨 나이트라이드층 상에 화학 기상 증착 공정에 의해 제 2 갈륨 나이트라이드층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드 기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 갈륨 나이트라이드층을 위한 갈륨 소스로서 TMGa, TEGa, 또는 (R3N2)Ga(N3), (N3)2Ga[N{CH2CH2(NEt2)}2], (R3N2)Ga(N3) 의 갈륨 아미드 계열 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드 기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단결정 실리콘 기판에 인접한 부분의 조성이 상기 단결정 실리콘 기판과 유사하고, 상기 제 1 갈륨 나이트라이드층에 인접한 부분의 조성이 상기 제 1 갈륨 나이트라이드층과 유사한 조성 구배를 갖도록 상기 하프늄 나이트라이드층을 형성하는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드 기판의 제조 방법
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제 13 항에 있어서, 상기 하프늄 나이트라이드층을, 상기 단결정 실리콘 기판과 하프늄 나이트라이드층의 상호 확산 및 상기 제 1 갈륨 나이트라이드층과 하프늄 나이트라이드층의 상호 확산이 일어나지 않는 200~450℃의 온도에서 형성하는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드 기판의 제조 방법
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제 12 항에 있어서, 상기 하프늄 나이트라이드층을 위한 실리콘(Si) 소스로서 SiH4, SiH2Cl2, Si2H6, TDMASi[Si(NMe2)4], TDEASi[Si(NEt2)4], TEMASi[Si(NEtMe)4], Cl3SiCH2Cl, Cl2SiCH2Cl 및 Cl(Me)2SiCH2Cl 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드 기판의 제조 방법
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제 12 항에 있어서, 상기 하프늄 나이트라이드층을 위한 실리콘(Si) 소스로서 SiH4, SiH2Cl2, Si2H6, TDMASi[Si(NMe2)4], TDEASi[Si(NEt2)4], TEMASi[Si(NEtMe)4], Cl3SiCH2Cl, Cl2SiCH2Cl 및 Cl(Me)2SiCH2Cl 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드 기판의 제조 방법
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