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반도체 소자의 제조방법에 있어서,버퍼층상에 반도체층을 형성하는 단계;기 설정된 구조를 갖도록 상기 반도체층 및 상기 버퍼층의 일부 영역을 식각하는 단계;상기 식각된 버퍼층상에 상기 기 설정된 구조의 높이보다 낮은 기 설정된 높이를 갖는 산화막을 형성하는 단계;상기 산화막 및 상기 기 설정된 구조상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 및상기 게이트 전극을 형성한 이후, 상기 산화막을 제거하는 단계;를 포함하는 반도체 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 산화막을 형성하는 단계는,상기 버퍼층 및 상기 기 설정된 구조를 덮도록 산화막을 증착하는 단계;상기 증착된 산화막에 스핀코팅 방식으로 포토레지스트를 증착하는 단계; 및건식 식각을 수행하여, 상기 포토레지스트 및 상기 기 설정된 높이를 초과하는 범위 내에 증착된 산화막을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기 설정된 높이는, 상기 기 설정된 구조 내의 버퍼층 높이 이상이고, 상기 기 설정된 구조의 높이 미만인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 식각하는 단계는,기 설정된 패턴을 갖는 마스크층을 상기 반도체층 상에 형성하여, 상기 반도체층 및 상기 버퍼층을 건식 식각하는 단계;상기 건식 식각된 구조의 특정 영역의 폭이 상기 마스크층의 폭보다 작은 폭을 갖도록 상기 건식 식각된 구조의 측면을 습식 식각하는 단계; 및상기 마스크 층을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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제5항에 있어서,상기 습식 식각하는 단계는,TMAH(tetra-methyl ammonium hydroxide) 용액을 식각 용액으로 습식 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 반도체층은,GaN으로 구성된 제1 반도체층 상에 AlGaN 또는 AlN으로 구성된 제2 반도체층이 적층된 구조인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기 설정된 구조 상에 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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