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전송 게이트를 포함하는 ＰＭＯＳＦＥＴ형 광검출기

  • 기술번호 : KST2015161187
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가변하는 광 감도를 갖기 위하여 전송 게이트를 포함하는 PMOSFET형 광검출기에 관한 것이다.보다 상세하게는, 상기 전송게이트에 바이어스를 인가함으로서 광검출기 내부 채널의 에너지 밴드를 보다 용이하게 변화시킬 수 있고, 상기 바이어스를 인가하는 시간을 조절함으로서, 어두운 입력광도 감지할 수 있는 민감한 광출력을 갖는 광검출기를 제안하고자 한 것이다.광검출기, 전송게이트, PMOSFET
Int. CL H01L 21/33 (2006.01.01) H01L 29/78 (2006.01.01)
CPC H01L 31/101(2013.01) H01L 31/101(2013.01)
출원번호/일자 1020050084274 (2005.09.09)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0629232-0000 (2006.09.21)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20060927) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.09.09)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신장규 대한민국 대구 북구
2 서상호 대한민국 대구 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이건철 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층 (반포동)(특허법인이룸리온)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교산학협력단 대구광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2005-0506141-28
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.06.19 수리 (Accepted) 4-1-2006-0014280-97
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0056638-17
5 등록결정서
Decision to grant		 2006.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0546281-19
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
p-형 반도체로 구성하는 p-기판(substrate);상기 p-기판내에 위치하고 n-형 반도체로 구성된 n-우물(n-well);상기 n-우물안에 일정 거리 이격되어 위치하고, 높게 도핑된 p+ 반도체로 구성된 소스 및 드레인;상기 n-우물의 표면에 위치하는 실리콘 산화막;상기 소스와 드레인 사이의 간격위에 형성된 실리콘 산화막 위에 위치하고, 다결정 실리콘으로 구성된 게이트;상기 n-우물 내에 위치하고, 상기 게이트와 연결된 높게 도핑된 n+ 반도체; 및상기 소스와 드레인 사이의 간격 위에 형성된 실리콘 산화막 위에, 상기 게이트와 일정 간격 이격되어 위치하며, 높은 농도로 도핑된 다결정 실리콘으로 구성되는 전송게이트;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전송게이트를 포함하는 PMOSFET형 광검출기
2 2
제 1항에 있어서,상기 전송게이트에 바이어스를 인가함에 따라 소스와 드레인 사이에 형성되는 채널의 에너지 밴드가 변화하는 것을 특징으로 하는 전송게이트를 포함하는 PMOSFET형 광검출기
3 3
제 2항에 있어서,상기 전송게이트에 인가하는 양의 바이어스는 전원전압이하인 것을 특징으로 하는 전송게이트를 포함하는 PMOSFET형 광검출기
4 4
제 2항에 있어서,상기 전송게이트에 인가하는 음의 바이어스는 0V이상인 것을 특징으로 하는 전송게이트를 포함하는 PMOSFET형 광검출기
5 5
제 1항에 있어서,광검출기에 인식되는 빛의 밝기에 따라, 상기 전송게이트에 바이어스를 인가하는 시간을 달리하는 것을 특징으로 하는 전송게이트를 포함하는 PMOSFET형 광검출기
6 6
제 5항에 있어서,상기 광검출기에 인식되는 빛의 밝기가 어두울수록, 상기 전송게이트에 오랜 시간동안 바이어스를 인가하는 것을 특징으로 하는 전송게이트를 포함하는 PMOSFET형 광검출기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.