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자기저항소자, 및 이를 포함하는 자성랜덤 액세스 메모리

  • 기술번호 : KST2014010066
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자기저항소자, 및 이를 포함하는 자성랜덤 액세스 메모리에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 Fe/MgO/Fe로 적층된 구조를 갖는 다층 박막 접합구조를 포함하는 자기저항소자에 있어서, 상기 Fe가 변형된 체심 입방 구조(modified body-centered cubic structure; Modified BCC)를 갖는 것인 자기저항소자, 및 이를 포함하는 자성랜덤 액세스 메모리에 관한 것이다.상기 변형된 체심 입방 구조의 Fe는 자기 모멘트 값이 양수 값과 음수 값은 교차적으로 넘나드는 반자성을 나타냄에 따라, 기존 체심 입방 구조의 Fe와 다른 상이한 자성 특성을 나타내며, 자성랜덤 액세스 메모리에 바람직하게 응용된다.자기저항소자, 자성랜덤 액세스 메모리, 체심 입방 구조
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01.01) H01L 27/115 (2017.01.01)
CPC H01L 43/06(2013.01) H01L 43/06(2013.01)
출원번호/일자 1020070098770 (2007.10.01)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0872459-0000 (2008.12.01)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20081205) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.10.01)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정용재 대한민국 서울 강남구
2 김치호 대한민국 서울 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장수영 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, *층(역삼동, 대아빌딩)(특허법인 신우)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.10.01 수리 (Accepted) 1-1-2007-0706499-62
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0442926-23
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.10.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0735777-64
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0735776-18
6 등록결정서
Decision to grant		 2008.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0607853-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
1 1
Fe/MgO/Fe로 적층된 구조를 갖는 다층 박막 접합구조를 포함하는 자기저항소자에 있어서,상기 Fe는 a-축 격자 상수가 이론 격자 상수(2
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 변형된 체심 입방 구조에서 Fe층의 각 원자간 거리는 2
4 4
제1항에 있어서,상기 변형된 체심 입방 구조를 갖는 Fe의 자기 모멘트는 -0
5 5
제1항의 자기저항소자를 포함하는 자성랜덤 액세스 메모리(Magnetroresistive Random Access Memory: MRAM)
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.