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양방향 구동 특성을 가지는 메모리에 있어서,반도체 기판상에 제1 타입의 불순물로 도핑된 제1 도핑층;상기 제1 도핑층에 적층되도록 제2 타입의 불순물-상기 제2 타입의 불순물은 상기 제1 타입의 불순물과 상이함-로 도핑된 제2 도핑층; 및상기 제2 도핑층에 적층되도록 상기 제1 타입의 불순물로 도핑된 제3 도핑층으로 이루어진 양방향 구동 특성을 가지는 스위칭 소자; 및상기 제3 도핑층과 도전성 연결 구조를 통하여 연결된 저항성 메모리 소자를 가지는 메모리 셀을 포함하되,상기 제1 도핑층 및 상기 제3 도핑층의 도핑 농도가 상기 제2 도핑층의 농도보다 높은 도핑 농도를 가지는 것을 특징으로 하는 양방향 구동 특성을 가지는 메모리
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제1항에 있어서, 상기 양방향 구동 특성을 가지는 메모리는,상기 제1 타입의 불순물은 N 타입 불순물이고, 상기 제2 타입의 불순물은 P 타입 불순물인 것을 특징으로 하는 양방향 구동 특성을 가지는 메모리
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제1항에 있어서, 상기 양방향 구동 특성을 가지는 메모리는,상기 제1 타입의 불순물은 P 타입 불순물이고, 상기 제2 타입의 불순물은 N 타입 불순물인 것을 특징으로 하는 양방향 구동 특성을 가지는 메모리
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제1항에 있어서, 상기 양방향 구동 특성을 가지는 메모리는,상기 제1 도핑층 및 상기 제3 도핑층의 도핑 농도의 차이가 소정 값 이하인 것을 특징으로 하는 양방향 구동 특성을 가지는 메모리
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제1항에 있어서, 상기 양방향 구동 특성을 가지는 메모리는,상기 제1 도핑층 및 상기 제3 도핑층의 도핑 농도 중 적어도 하나의 도핑층의 농도가 다른 하나의 도핑층의 농도보다 높은 도핑 농도를 가지는 것을 특징으로 하는 양방향 구동 특성을 가지는 메모리
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제1항에 있어서, 상기 제1 도핑층, 상기 제2 도핑층 및 상기 제3 도핑층은,4족 원소 기반의 반도체 기판에 도핑되어 형성되는 것을 특징으로 하는 양방향 구동 특성을 가지는 메모리
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제6항에 있어서, 상기 4족 원소 기반의 반도체 기판은,Silicon, Poly-Silicon, Ge, SiGe 및 GaAs 중 적어도 하나로 제작된 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 양방향 구동 특성을 가지는 메모리
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제1항에 있어서, 상기 저항성 메모리 소자는,MTJ(Magetic Tunneling Junction)이고 상기 MTJ에 포함된 가변 강자성층의 자화 방향 변화를 이용해서 데이터를 읽고 쓰는 것을 특징으로 하는 양방향 구동 특성을 가지는 메모리
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제1항에 있어서, 상기 저항성 메모리 소자는,MTJ(Magetic Tunneling Junction), RRAM(Resistive RAM) 메모리 소자, PRAM(Phase-Change RAM) 메모리 소자 및 PoRAM(Polymer RAM) 메모리 소자 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 구동 특성을 가지는 메모리
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제1항에 있어서, 상기 양방향 구동 특성을 가지는 메모리는,적어도 하나의 워드라인 및 적어도 하나의 비트라인을 포함하고 상기 스위칭 소자 및 상기 저항성 메모리 소자를 포함하는 메모리 셀은 동일한 비트라인을 공유하되 상이한 워드라인을 가지거나, 동일한 워드라인을 공유하되 상이한 비트라인을 가지면서 배열되는 것을 특징으로 하는 양방향 구동 특성을 가지는 메모리
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제10항에 있어서, 상기 양방향 구동 특성을 가지는 메모리는,상기 스위칭 소자의 일단은 상기 비트라인에 연결되고 상기 저항성 메모리 소자의 일단은 워드라인에 연결되는 것을 특징으로 하는 양방향 구동 특성을 가지는 메모리
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