맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

정류특성을 가지는 저항변화 메모리

  • 기술번호 : KST2014039966
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 바이어스의 방향에 따른 정류특성과 저항변화특성을 동시에 가지는 저항변화 메모리가 개시된다. 상하부에 구비된 전극들 사이에 저항변화 다이오드가 개재된다. 저항변화 다이오드는 p형 저항변화 반도체층과 n형 저항변화 반도체층이 접합된 형태를 가진다. 저항변화 다이오드에 높은 역바이어스가 인가될 경우, 저항변화 다이오드는 전도성 필라멘트를 형성한다. 이후에 정바이어스의 인가시, 형성된 전도성 필라멘트의 일부가 파괴되는 리셋이 일어나고, 이를 통해 고저항 상태가 형성된다. 또한, 다시 역바이어스의 인가시 전도성 필라멘트가 재생성되는 셋 동작이 일어난다. 이를 통해 저저항 상태가 구현된다. 전도성 필라멘트의 형성과 무관하게 저항변화 다이오드는 바이어스의 방향에 따라 전류차가 발생되는 정류특성을 가진다. 이를 통해 하나의 저항변화 다이오드를 통해 셀 선택과 정보의 저장이 가능해진다.
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020100104600 (2010.10.26)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0043343 (2012.05.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 홍진표 대한민국 서울특별시 성동구
2 배윤철 대한민국 경상남도 거제시
3 곽준식 대한민국 경기도 의왕시 덕장로 ,
4 이아람 대한민국 경상남도 김해시 가야로번

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0692671-39
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성된 저항변화 다이오드; 및상기 저항변화 다이오드 상에 형성된 상부 전극을 포함하고,상기 저항변화 다이오드는 p-n 접합에 따른 정류특성과 전도성 필라멘트의 형성에 따른 저항변화를 동시에 구현하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
2 2
제1항에 있어서, 상기 저항변화 다이오드는,상기 하부 전극 상에 형성되는 p형 저항변화 반도체층; 및상기 p형 저항변화 반도체층 상에 형성되는 n형 저항변화 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
3 3
제2항에 있어서, 상기 p형 저항변화 반도체층은 CoOx(1 ≤ x ≤ 1
4 4
제2항에 있어서, 상기 n형 저항변화 반도체층은 TiOx(1
5 5
제2항에 있어서, 상기 p형 저항변화 반도체층 또는 n형 저항변화 반도체층은, 역바이어스의 인가에 따라 상기 전도성 필라멘트가 형성되는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
6 6
제1항에 있어서, 상기 하부 전극 또는 상부 전극은 Pt, Au, Al, Cu, Ti 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되거나, TiN 또는 WN을 포함하는 질화물 전극인 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
7 7
하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성된 p형 저항변화 반도체층;상기 p형 저항변화 반도체층과 접합되는 n형 저항변화 반도체층; 및상기 n형 저항변화 반도체층 상부에 형성되는 상부 전극을 포함하고,상기 p형 저항변화 반도체층 또는 상기 n형 저항변화 반도체층은 역바이어스의 인가에 따라 전도성 필라멘트가 형성되는 포밍이 수행되며, 정류 특성과 상기 전도성 필라멘트의 형성과 파괴가 발생되는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
8 8
제7항에 있어서, 상기 p형 저항변화 반도체층은 상기 n형 저항변화 반도체층과 다른 캐리어 농도를 가지거나, 다른 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
9 9
제7항에 있어서, 상기 p형 저항변화 반도체층 또는 상기 n형 저항변화 반도체층은, 상기 포밍이 수행된 이후, 정바이어스에 의해 상기 전도성 필라멘트가 파괴되거나, 역바이어스에 의해 상기 전도성 필라멘트가 생성되는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
10 10
제7항에 있어서, 상기 p형 저항변화 반도체층은 CoOx(1 ≤ x ≤ 1
11 11
제7항에 있어서, 상기 n형 저항변화 반도체층은 TiOx(1
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101787751 KR 대한민국 FAMILY
2 US20130214235 US 미국 FAMILY
3 WO2012057499 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
4 WO2012057499 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업자원부 산업자원부(광주과학기술원) 기술개발사업(차세대신기술개발사업) 고신뢰성 Binary oxide 소자 개발(차세대비휘발성메모리개발사업단)