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반응성 금속막을 구비하는 저항 변화 메모리 소자 및 이의동작방법

  • 기술번호 : KST2015174099
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반응성 금속막을 구비하는 저항 변화 메모리 소자 및 이의 동작방법을 제공한다. 상기 메모리 소자는 제1 전극 및 제2 전극을 구비한다. 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 산화물막이 위치한다. 상기 산화물막과 상기 제2 전극 사이에 반응성 금속막이 위치한다. 소자에 인가되는 전압에 따른 상기 산화물막과 상기 반응성 금속막 사이의 산화/환원 반응을 이용함으로써, 온/오프 저항비가 클 뿐 아니라, 내구성 및 재현성이 뛰어나고, 면적을 감소시키는 경우에도 균일한 전기적 특성을 가지며, 고온 데이터 유지 특성이 우수한 저항 변화 메모리 소자를 얻을 수 있다. 이와 더불어서, 상기 산화물막을 다결정막 또는 비정질막으로 사용하는 경우에도 단결정막 또는 에피택시에 못지 않은 소자 수율을 확보할 수 있다. 저항 변화 메모리 소자, 산화물막, 반응성 금속막
Int. CL H01L 27/105 (2006.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020080033526 (2008.04.11)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0969807-0000 (2010.07.05)
공개번호/일자 10-2009-0108221 (2009.10.15) 문서열기
공고번호/일자 (20100713) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.11)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 광주광역시 북구
2 무사랏 하산 방글라데시 광주광역시 북구
3 루이 동 중국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0258483-35
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.09.29 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.10.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0057620-89
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.01.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0037115-82
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0193668-86
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.03.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0193674-50
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0193317-76
8 등록결정서
Decision to grant		 2010.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0279481-86
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 전극; 제2 전극; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 산화물막; 및 상기 산화물막과 상기 제2 전극 사이에 위치하고, 상기 제2 전극에 비해 산소와의 반응성이 더 우수한 반응성 금속막을 포함하는 저항 변화 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 반응성 금속막은 전기음성도가 1
3 3
제1항에 있어서, 상기 반응성 금속막은 희토류 금속막인 저항 변화 메모리 소자
4 4
제3항에 있어서, 상기 반응성 금속막은 Sm(samarium)막 또는 Y(yttrium)막인 저항 변화 메모리 소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 산화물막의 산소의 원자비는 화학양론적인 산소의 원자비와 같거나 이보다 작은 저항 변화 메모리 소자
6 6
제1항에 있어서, 상기 산화물막은 페로브스카이트막인 저항 변화 메모리 소자
7 7
제6항에 있어서, 상기 페로브스카이트막은 SrTiO3-X, Nb가 도핑된 SrTiO3-X, Cr이 도핑된 SrTiO3-X, BaTiO3-X, LaMnO3-X, SrMnO3-X, PrTiO3-X, 또는 PbZrO3-X을 함유하며, x는 0 내지 1인 저항 변화 메모리 소자
8 8
제6항에 있어서, 상기 페로브스카이트막은 Pr3-YCaYMnO3-X 또는 La3-YCaYMnO3-X을 함유하며, x는 0 내지 1이고, y는 0
9 9
제1항에 있어서, 상기 산화물막은 비정질막 또는 다결정질막인 저항 변화 메모리 소자
10 10
제1 전극, 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 산화물막, 및 상기 산화물막과 상기 제2 전극 사이에 위치하고 상기 제2 전극에 비해 산소와의 반응성이 더 우수한 반응성 금속막을 구비하는 메모리 소자를 제공하는 단계; 상기 제2 전극에 양의 전압을 인가하여 상기 반응성 금속막과 상기 산화물막의 계면에 반응성 금속 산화물을 생성시켜 상기 메모리 소자를 고저항 상태로 프로그래밍하는 단계; 및 상기 제2 전극에 음의 전압을 인가하여 상기 반응성 금속 산화물을 환원시켜 상기 메모리 소자를 저저항 상태로 프로그래밍하는 단계를 포함하는 저항 변화 메모리 소자의 동작 방법
11 11
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