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버퍼층을 가지는 저항변화 메모리 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014040091
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저항 변화층의 상부 또는 하부에 개재된 버퍼층을 가지는 저항변화 메모리 및 그 제조방법이 개시된다. 저항 변화층과 전극 사이에 배치되는 버퍼층은 포밍 및 set 동작시, 필라멘트 형성의 원인이 되는 산소이온의 이동을 조절한다. 이를 통해 필라멘트의 전류용량은 조절된다. 특히, 버퍼층의 전극 표면상에서의 증착 또는 전극표면의 개질을 통해 옥시나이트라이드를 포함한다.
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01)
CPC G11C 13/0007(2013.01) G11C 13/0007(2013.01) G11C 13/0007(2013.01) G11C 13/0007(2013.01)
출원번호/일자 1020100085548 (2010.09.01)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1152437-0000 (2012.05.25)
공개번호/일자 10-2012-0022218 (2012.03.12) 문서열기
공고번호/일자 (20120601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.01)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍진표 대한민국 서울특별시 성동구
2 곽준식 대한민국 경기도 의왕시 덕장로 ,
3 배윤철 대한민국 경상남도 거제시
4 이아람 대한민국 경상남도 김해시 가야로번
5 이준석 대한민국 서울특별시 강북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2010-0568665-34
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0061376-30
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.08.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0453766-65
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.10.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0792201-52
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0792184-63
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2011.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0691134-46
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0043914-64
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.01.17 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0043950-08
10 등록결정서
Decision to grant		 2012.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0186601-90
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 형성된 하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성된 저항 변화층;상기 저항 변화층 상에 형성된 상부 전극; 및상기 저항 변화층과 상기 하부 전극 사이에 배치되는 버퍼층을 포함하고,상기 버퍼층은 TiON, TaON, CoON 또는 WON을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
2 2
제1항에 있어서, 상기 버퍼층은 상기 하부 전극에 대한 열산화 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
3 3
기판;상기 기판 상에 형성된 하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성된 저항 변화층;상기 저항 변화층 상에 형성된 상부 전극; 및상기 저항 변화층과 상기 상부 전극 사이에 배치되는 버퍼층을 포함하고,상기 버퍼층은 TiON, TaON, CoON 또는 WON을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
4 4
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 하부 전극은 Pt, Au, Al, Cu, Ti 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나 또는 TiN 또는 WN을 포함하는 질화물 전극물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
5 5
삭제
6 6
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 저항변화층은 Ti 산화물, Mg 산화물, Ni 산화물, Ce 산화물, Zn 산화물, Hf 산화물, Co 산화물, Ta 산화물, Al 산화물, La 산화물, Nb 산화물, SrTi 산화물, Cr 도핑된 SrTi 산화물 또는 Cr 도핑된 SrZr 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
7 7
기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극에 대한 열산화 공정을 통해 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 저항 변화층을 형성하는 단계; 및상기 저항 변화층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 열산화 공정은,질화물 전극물질을 포함하는 상기 하부 전극의 표면을 개질하여 옥시나이트라이드를 형성하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리의 제조방법
8 8
삭제
9 9
제7항에 있어서, 상기 옥시나이트라이드는 TiON, TaON, CoON 또는 WON을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.