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비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014042602
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 소자는 기판 상에 형성된 하부 전극막, 하부 전극막 상에 위치하는 이온 주입 산화물 박막 및 이온 주입 산화물 박막 상에 위치하는 상부 전극막을 포함한다. 본 발명에 의하면, ReRAM 소자용 산화물 박막의 안정화를 위해 이온 주입을 실시하기 때문에 공정이 간단하고 산화막내의 점결함(point defect)들을 제어할 수 있어 종래의 페로브스카이트계 및 이원산화물계 등을 포함하는 ReRAM 소자용 산화박막 고효율을 가지며 재현성이 우수한 비휘발성 메모리 소자를 구현할 수 있다. 비휘발성 메모리, ReRAM, 이온 주입 산화물 박막
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020090004116 (2009.01.19)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1039191-0000 (2011.05.30)
공개번호/일자 10-2010-0084789 (2010.07.28) 문서열기
공고번호/일자 (20110603) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.01.19)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍진표 대한민국 서울특별시 성동구
2 도영호 대한민국 서울특별시 성동구
3 곽준식 대한민국 경기도 의왕시 덕장로 , 휴

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2009-0032147-11
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2009-0042353-99
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.10.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0065588-61
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0537602-00
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.01.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0025985-38
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0025983-47
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.03.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0123135-70
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2011.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0238893-76
10 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2011.05.02 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2011-0016765-85
11 등록결정서
Decision to grant
2011.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0287279-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
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기판 상에 Pt, Au, Al, Cu, Ti 또는 이들의 합금으로 이루어진 하부 전극막을 형성하는 단계; 상기 하부 전극막 상에 산화물 박막을 형성하는 단계; 상기 산화물 박막에 O2, He 또는 H2 이온을 주입하여 상기 산화물 박막 내의 댕글링 결합에 상기 이온을 결합시켜서 이온 주입 산화물 박막을 형성하는 단계; 상기 기판을 열처리하여 상기 이온 주입 산화물 박막의 격자들을 재배열하는 단계; 및 상기 이온 주입 산화물 박막 상에 상부 전극막을 형성하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 이온 주입은 10KeV 내지 100KeV의 에너지와 1×1012 내지 1×1018 도우즈의 조건으로 실시하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
8 8
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9 9
제 6 항에 있어서, 상기 하부 전극막 형성, 상기 산화물 박막 형성, 상기 이온 주입 산화물 박막의 형성, 상기 기판의 열처리에 의한 격자의 재배열 및 상기 상부 전극막 형성 공정은 진공파괴없이 인시투로 실시하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 열처리는 100℃ 내지 1000℃의 온도와 질소 분위기에서 실시하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부(산자부) 한양대학교 산학협력단 기술개발사업(산업기술개발사업) 고신뢰성 Binary oxide 소자 개발(차세대메모리개발사업단)