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기판 내부에 형성된 하부 전극;상기 기판 상에 형성되며, 측면 방향으로 평행하게 확장되되 단차진 단부를 구비하는 다수 개의 주 측면 전극들 및 다수 개의 보조 측면 전극들;상기 주 측면 전극들 및 상기 보조 측면 전극들을 관통하여 형성된 개구부에 의해 노출된 상기 주 측면 전극들을 수평방향으로 식각하여 형성된 측벽을 따라 개재되는 IPD막;상기 IPD막의 측면에 형성되고, 상기 수평방향으로 식각된 주 측면 전극들의 개방 공간을 매립하도록 형성되는 플로팅 게이트층;상기 플로팅 게이트층의 측면에 형성되고, 상기 플로팅 게이트층과 접촉하도록 일체로 형성되는 가변 절연막; 및상기 가변 절연막의 측면에 형성되고, 상기 주 측면 전극들 및 상기 보조 측면 전극들을 관통하여 형성된 개구부에 의해 개방된 공간을 매립하는 수직 채널 영역을 포함하고,상기 주 측면 전극들과 상기 보조 측면 전극들은 서로 다른 식각비를 가지는 도전성 물질을 함유하는 비휘발성 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 주 측면 전극들은 폴리 실리콘을 함유하며, 상기 보조 측면 전극들은 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 금(Au) 및 백금(Pt) 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 함유하는 비휘발성 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 주 측면 전극들 및 상기 보조 측면 전극들은, 두 개의 보조 측면 전극들 사이에 개재되는 하나의 주 측면 전극을 포함하는 한 쌍의 구조체로 형성되고, 상기 한 쌍의 구조체의 상부와 하부에 각각 형성되는 층간 절연막을 더 포함하는 비휘발성 메모리 소자
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제4항에 있어서,상기 층간 절연막을 기준으로 하부에 배치되는 구조체는 상부에 배치되는 구조체에 비해 넓은 면적을 가지는 비휘발성 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 IPD막은 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(SixNy), 또는 이들이 교대로 적층된 다층 박막인 비휘발성 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 플로팅 게이트층은 폴리 실리콘층이며, 상기 IPD막을 사이에 두고 상기 주 측면 전극들 및 상기 보조 측면 전극들에 의해 둘러싸인 형태로 형성되는 비휘발성 메모리 소자
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기판 내부에 형성된 하부 전극;상기 기판 상에 형성되며, 측면 방향으로 평행하게 확장되되, 단차진 단부를 구비하는 다수 개의 주 측면 전극들 및 다수 개의 보조 측면 전극들;상기 주 측면 전극들 각각을 분리시키고, 상기 보조 측면 전극들 각각을 분리시키는 층간 절연막;상기 주 측면 전극들, 상기 보조 측면 전극들 및 상기 층간 절연막을 관통하여 형성된 개구부에 의해 노출된 상기 주 측면 전극들 각각을 수평방향으로 식각하여 형성된 측벽을 따라 개재되는 IPD막;상기 IPD막의 측면에 형성되고, 상기 수평방향으로 식각된 주 측면 전극들 각각의 개방 공간을 매립하도록 형성되는 플로팅 게이트층;상기 플로팅 게이트층의 측면에 형성되고, 상기 플로팅 게이트층과 접촉하도록 일체로 형성되는 가변 절연막; 및상기 가변 절연막의 측면에 형성되고, 상기 주 측면 전극들, 상기 보조 측면 전극들 및 상기 층간 절연막을 관통하여 형성된 개구부에 의해 개방된 공간을 매립하는 수직 채널 영역을 포함하고, 상기 주 측면 전극들과 상기 보조 측면 전극들은 서로 다른 식각비를 가지는 도전성 물질을 함유하는 비휘발성 메모리 소자
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제8항에 있어서,상기 다수 개의 주 측면 전극들 및 보조 측면 전극들은 상기 층간 절연막에 의하여 각각 분리되어 개별 동작이 가능한 비휘발성 메모리 소자
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제8항에 있어서,상기 주 측면 전극들은 폴리 실리콘을 함유하며, 상기 보조 측면 전극들은 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 금(Au) 및 백금(Pt) 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 함유하는 비휘발성 메모리 소자
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제8항에 있어서,상기 IPD막은 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(SixNy), 또는 이들이 교대로 적층된 다층 박막인 비휘발성 메모리 소자
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제8항에 있어서,상기 플로팅 게이트층은 폴리 실리콘층이며, 상기 IPD막을 사이에 두고 상기 주 측면 전극들 및 상기 보조 측면 전극들에 의해 둘러싸인 형태로 형성되는 비휘발성 메모리 소자
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