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패턴전사방법

  • 기술번호 : KST2014046918
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 패턴전사방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 패턴전사방법은, 제1 기판 표면에 자기조립 단분자막을 형성하는 제1 단계, 자기조립 단분자막의 소정 부위에 레이저를 조사하여 소정 부위의 상기 자기조립 단분자막을 제거하는 제2 단계, 자기조립 단분자막이 제거된 소정 부위에 전사재료를 올리는 제3 단계, 전사재료와 제2 기판을 소정 간격으로 이격시켜 서로 마주보도록 위치시키는 제4 단계, 제1 기판으로부터 제2 기판 방향으로 레이저를 조사하여, 전사재료를 제2 기판으로 전사하는 제5단계를 포함한다. 제1 단계는, 제1 기판 표면을 소수성 자기조립 단분자막 처리하여 자기조립 단분자막을 형성하고, 제3 단계는, 자기조립 단분자막이 제거된 소정 부위에 전사재료를 딥 코팅 또는 디 웨팅 방법으로 올린다. 자기조립 단분자막, 전사재료, 표면에너지, 패턴전사
Int. CL H01L 21/027 (2006.01) G03F 7/20 (2006.01)
CPC G03F 7/202(2013.01) G03F 7/202(2013.01) G03F 7/202(2013.01)
출원번호/일자 1020090072291 (2009.08.06)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1055697-0000 (2011.08.03)
공개번호/일자 10-2011-0014772 (2011.02.14) 문서열기
공고번호/일자 (20110811) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.06)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양민양 대한민국 대전 유성구
2 김종수 대한민국 대전 유성구
3 강봉철 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 손재용 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동, 미진빌딩*층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2009.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0480813-41
2 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0480653-32
3 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0795701-59
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.01.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.02.22 수리 (Accepted) 9-1-2011-0017140-07
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.03.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0146275-36
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0360902-84
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.05.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0360900-93
9 등록결정서
Decision to grant
2011.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0427127-56
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 기판 표면에 자기조립 단분자막을 형성하는 제1 단계; 상기 자기조립 단분자막의 소정 부위에 레이저를 조사하여 상기 소정 부위의 상기 자기조립 단분자막을 제거하는 제2 단계; 상기 자기조립 단분자막이 제거된 상기 소정 부위에 전사재료를 올리는 제3 단계; 상기 전사재료와 제2 기판을 소정 간격으로 이격시켜 서로 마주보도록 위치시키는 제4 단계; 및 상기 제1 기판으로부터 상기 제2 기판 방향으로 레이저를 조사하여, 상기 전사재료를 상기 제2 기판으로 전사하는 제5 단계; 를 포함하고, 상기 제1 단계는, 상기 제1 기판 표면을 소수성 자기조립 단분자막 처리하여 자기조립 단분자막을 형성하고, 상기 제3 단계는, 상기 자기조립 단분자막이 제거된 상기 소정 부위에 상기 전사재료를 딥 코팅 또는 디 웨팅 방법으로 올리는, 패턴전사방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 제2 단계는, 상기 자기조립 단분자막이 제거된 상기 소정 부위를 친수처리하는 단계를 더 포함하고, 상기 제3 단계는, 상기 친수처리된 소정 부위에 전사재료를 올리는, 패턴전사방법
5 5
제1 기판의 일면에 자기조립 단분자막을 형성하는 제1 단계; 상기 자기조립 단분자막의 소정 부위에 레이저를 조사하여 상기 소정 부위의 상기 자기조립 단분자막을 제거하는 제2 단계; 상기 자기조립 단분자막이 제거된 상기 소정 부위에 전사재료를 올리는 제3 단계; 상기 전사재료와 제2 기판을 소정 간격으로 이격시켜 서로 마주보도록 위치시키는 제4 단계; 및 상기 제1 기판의 하부에 배치된 진동모듈로부터 제1 기판을 향하는 방향으로 진동을 전달하여, 상기 전사재료를 상기 제2 기판으로 전사하는 제5 단계; 를 포함하고, 상기 제1 단계는, 상기 제1 기판 표면을 소수성 자기조립 단분자막 처리하여 자기조립 단분자막을 형성하고, 상기 제3 단계는, 상기 자기조립 단분자막이 제거된 상기 소정 부위에 상기 전사재료를 딥 코팅 또는 디 웨팅 방법으로 올리는, 패턴전사방법
6 6
제1 기판 표면에 포토레지스트를 코팅하는 제1 단계; 상기 포토레지스트의 소정 부위에 레이저를 조사하여 상기 소정 부위의 상기 포토레지스트를 제거하는 제2 단계; 상기 포토레지스트가 제거된 상기 소정 부위에 자기조립 단분자막을 형성하는 제3 단계; 상기 포토레지스트가 제거되지 않은 부위의 포토레지스트를 제거하는 제4 단계; 상기 포토레지스트가 제거된 상기 부위에 전사재료를 올리는 제5 단계; 상기 전사재료와 제2 기판을 소정 간격으로 이격시켜 서로 마주보도록 위치시키는 제6 단계; 및 상기 제1 기판으로부터 상기 제2 기판 방향으로 레이저를 조사하여 상기 전사재료를 상기 제2 기판으로 전사하는 제7 단계; 를 포함하고, 상기 제3 단계는, 상기 제1 기판 표면을 소수성 자기조립 단분자막 처리하여 자기조립 단분자막을 형성하고, 상기 제5 단계는, 상기 자기조립 단분자막이 제거된 상기 소정 부위에 상기 전사재료를 딥 코팅 또는 디 웨팅 방법으로 올리는, 패턴전사방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.