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대용량 비휘발성 메모리 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014047509
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 하나의 셀 트랜지스터에 복수의 비트를 저장할 수 있는 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조방법이 개시된다. 셀 트랜지스터는 서로 독립적으로 배치되는 4개의 질화막을 가진다. 각각의 질화막에는 독립적인 프로그램 동작이 이루어질 수 있다. 이를 위해 하나의 셀 트랜지스터에는 절연층에 의해 서로 분리된 2개의 게이트 구조물들이 구비된다. 각각의 게이트 구조물에는 층간 절연막에 의해 분리되고, 쌍으로 구비되는 질화막들이 구비된다. 질화막에 대한 프로그램 동작시, 전하는 질화막의 계면에 트랩된다.
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01)
CPC H01L 27/2436(2013.01) H01L 27/2436(2013.01) H01L 27/2436(2013.01)
출원번호/일자 1020070126557 (2007.12.07)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0926688-0000 (2009.11.06)
공개번호/일자 10-2009-0059608 (2009.06.11) 문서열기
공고번호/일자 (20091117) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.07)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울 마포구
2 곽계달 대한민국 서울 종로구
3 이정우 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2007-0880967-65
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.07.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0503713-23
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2008-0051229-65
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0183270-62
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.06.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0394278-73
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0394237-12
9 등록결정서
Decision to grant		 2009.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0446144-64
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 상에 형성되고, 서로 분리된 질화막쌍들을 가지는 게이트 구조물들; 제1방향으로 신장되고, 상기 기판으로부터 형성되어 상기 제1방향과 수직인 제2방향으로 2개의 게이트 구조물들을 전기적으로 절연시키는 절연층; 상기 기판으로부터 형성되고, 상기 게이트 구조물들의 일측면에 형성된 소스 영역; 및 상기 기판으로부터 형성되고, 상기 소스 영역에 대향하는 드레인 영역을 포함하는 비휘발성 메모리
2 2
제1항에 있어서, 상기 게이트 구조물은, 상기 기판 상에 형성된 터널링 유전막; 상기 터널링 유전막 상에 형성된 상기 질화막쌍; 상기 질화막쌍 사이의 이격공간에 매립된 층간 절연막; 상기 층간 절연막 상부 및 질화막쌍 상에 형성된 블로킹 유전막; 및 상기 블로킹 유전막 상에 형성된 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리
3 3
제2항에 있어서, 상기 층간 절연막은 상기 질화막쌍의 각각의 질화막을 서로 분리시키는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리
4 4
제2항에 있어서, 상기 터널링 유전막은 실리콘 산화물로 구성되고, 프로그램 동작시 전하가 상기 질화막의 계면에 트랩되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리
5 5
제4항에 있어서, 상기 질화막쌍은 프로그램 동작시, 개별적으로 각각의 상기 게이트 전극에 프로그램 전압을 인가하여 서로 독립적으로 전하를 트랩하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리
6 6
기판 상에 터널링 유전막 및 질화막을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 질화막을 제2방향으로 패터닝하여 2개로 분리된 질화막들을 형성하는 단계; 상기 분리된 2개의 질화막 사이의 이격공간을 매립하여 층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 층간 절연막 상부 및 상기 분리된 질화막 상부에 블로킹 유전막을 형성하는 단계; 상기 블로킹 유전막 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계; 및 상기 게이트 전극, 블로킹 유전막, 층간 절연막, 질화막, 절연막 및 터널링 유전막을 패터닝하여 게이트 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 게이트 패턴을 제1 방향으로 패터닝하고, 패터닝된 이격 공간에 절연층을 매립하여 서로 분리된 2개의 게이트 구조물들을 형성하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리의 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 층간 유전막을 형성하는 단계와 상기 블로킹 유전막을 형성하는 단계는 동일 공정으로 진행되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 제조방법
8 8
제6항에 있어서, 상기 질화막에 대한 제2 방향으로의 패터닝은 하부의 상기 터널링 유전막이 노출되도록 진행되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 제조방법
9 9
제6항에 있어서, 상기 게이트 패턴의 패터닝은 기판의 표면이 노출되도록 진행되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.