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유기-무기 나노하이브리드 비휘발성 메모리 캐패시터, 유기-무기 나노하이브리드 비휘발성 메모리 트랜지스터 및 이들의 제조 방법
- 기술번호 : KST2014059923
- 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-6124-6930
| 요약 | 기재 상에 유기-무기 나노하이브리드 터널링층(tunneling layer)을 형성하는 단계; 상기 유기-무기 나노하이브리드 터널링층 상에 전하 트랩층(charge trap layer)을 형성하는 단계; 및 상기 전하 트랩층 상에 유기-무기 나노하이브리드 절연층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 유기-무기 나노하이브리드 터널링층, 상기 전하 트랩층 및 상기 유기-무기 나노하이브리드 절연층은 각각 독립적으로 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition = ALD), 분자층 증착법(Molecular Layer Deposition = MLD), 또는 분자층 증착-원자층 증착법(MLD-ALD)에 의해 형성되는 것인, 비휘발성 메모리 캐패시터 또는 트랜지스터의 제조 방법, 및 그에 의한 캐패시터와 트랜지스터를 제공한다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01) |
| CPC | H01L 29/66833(2013.01) H01L 29/66833(2013.01) H01L 29/66833(2013.01) H01L 29/66833(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020110113496 (2011.11.02) |
| 출원인 | 한양대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1305054-0000 (2013.09.02) |
| 공개번호/일자 | 10-2013-0048575 (2013.05.10) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20130911) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2011.11.02) |
| 심사청구항수 | 16 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 성명모 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
| 2 | 한규석 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인엠에이피에스 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한양대학교 산학협력단 | 서울특별시 성동구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.11.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0863694-80 |
| 2 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2011.11.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0873313-90 |
| 3 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.01.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0052406-74 |
| 4 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.03.25 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0254113-37 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.03.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0254110-01 |
| 6 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.08.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0581481-41 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기재 상에 유기-무기 나노하이브리드 터널링층(tunneling layer)을 형성하는 단계;상기 유기-무기 나노하이브리드 터널링층 상에 전하 트랩층(charge trap layer)을 형성하는 단계; 및상기 전하 트랩층 상에 유기-무기 나노하이브리드 절연층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 유기-무기 나노하이브리드 터널링층은,상기 기재 상에 말단 C=C 기를 함유하는 자기조립유기층(self-assembled organic layer = SAOL)을 형성하고, 오존을 이용하여 상기 자기조립유기층의 말단 C=C 기를 -COOH로 전환하고,상기 자기조립유기층의 -COOH 말단기와 제 1 금속-함유 전구체 및 물을 반응시켜 제 1 금속산화물층을 형성하는 것을 포함하는 공정에 의하여 형성되며,상기 유기-무기 나노하이브리드 터널링층, 상기 전하 트랩층 및 상기 유기-무기 나노하이브리드 절연층은 각각 독립적으로 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition = ALD), 분자층 증착법(Molecular Layer Deposition = MLD), 또는 분자층 증착-원자층 증착법(MLD-ALD)에 의해 형성되는 것인,유기-무기 나노하이브리드 비휘발성 메모리 캐패시터의 제조 방법 |
| 2 |
2 삭제 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서,상기 전하 트랩층은,제 2 금속-함유 전구체 및 물을 반응시켜 제 2 금속산화물층을 형성하고,상기 제 2 금속산화물층을 금속에 의하여 도핑하는 것을 포함하는 공정에 의하여 형성되는 것인,유기-무기 나노하이브리드 비휘발성 메모리 캐패시터의 제조 방법 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서,상기 유기-무기 나노하이브리드 절연층은,상기 전하 트랩층 상에 말단 C=C 기를 함유하는 자기조립유기층을 형성하고,오존을 이용하여 상기 자기조립유기층의 말단 C=C 기를 -COOH로 전환하고,상기 자기조립유기층의 -COOH 말단기와 제 3 금속-함유 전구체 및 물을 반응시켜 제 3 금속산화물층을 형성하는 것을 포함하는 공정에 의하여 형성되는 것인,유기-무기 나노하이브리드 비휘발성 메모리 캐패시터의 제조 방법 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서,상기 단계들은 각각 150℃ 이하에서 수행되는 것인,유기-무기 나노하이브리드 비휘발성 메모리 캐패시터의 제조 방법 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서,상기 기재는 플렉서블 기재, 웨이퍼(wafer), 또는 유리 기판(glass substrate)을 포함하는 것인,유기-무기 나노하이브리드 비휘발성 메모리 캐패시터의 제조 방법 |
| 7 |
7 제 1 항, 제 3 항, 및 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 내지 제 3 금속-함유 전구체는 각각 독립적으로 알루미늄, 지르코늄, 티타늄, 아연 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 함유하는 전구체를 포함하는 것인,유기-무기 나노하이브리드 비휘발성 메모리 캐패시터의 제조 방법 |
| 8 |
8 삭제 |
| 9 |
9 삭제 |
| 10 |
10 삭제 |
| 11 |
11 기재 상에 서로 이격된 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극 사이 및 상기 기재 상에 반도체 채널층을 형성하는 단계;상기 반도체 채널층 상에 유기-무기 나노하이브리드 터널링층을 형성하는 단계;상기 유기-무기 나노하이브리드 터널링층 상에 전하 트랩층을 형성하는 단계;상기 전하 트랩층 상에 유기-무기 나노하이브리드 절연층을 형성하는 단계;상기 유기-무기 나노하이브리드 절연층 상에 정공 주입층을 형성하는 단계; 및상기 정공 주입층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 유기-무기 나노하이브리드 터널링층, 상기 전하 트랩층 및 상기 유기-무기 나노하이브리드 절연층은 각각 독립적으로 원자층 증착법, 분자층 증착법, 또는 분자층 증착-원자층 증착법에 의해 형성되는 것인,유기-무기 나노하이브리드 비휘발성 메모리 트랜지스터의 제조 방법 |
| 12 |
12 제 11 항에 있어서,상기 유기-무기 나노하이브리드 터널링층은, 상기 기재 상에 말단 C=C 기를 함유하는 자기조립유기층을 형성하고,오존을 이용하여 상기 자기조립유기층의 말단 C=C 기를 -COOH로 전환하고,상기 자기조립유기층의 -COOH 말단기와 제 1 금속-함유 전구체 및 물을 반응시켜 제 1 금속산화물층을 형성하는 것 을 포함하는 공정에 의하여 형성되는 것인,유기-무기 나노하이브리드 비휘발성 메모리 트랜지스터의 제조 방법 |
| 13 |
13 제 11 항에 있어서,상기 전하 트랩층은,제 2 금속-함유 전구체 및 물을 반응시켜 제 2 금속산화물층을 형성하고,상기 제 2 금속산화물층을 금속에 의하여 도핑하는 것을 포함하는 공정에 의하여 형성되는 것인,유기-무기 나노하이브리드 비휘발성 메모리 트랜지스터의 제조 방법 |
| 14 |
14 제 11 항에 있어서,상기 유기-무기 나노하이브리드 절연층은, 상기 전하 트랩층 상에 말단 C=C 기를 함유하는 자기조립유기층을 형성하고,오존을 이용하여 상기 자기조립유기층의 말단 C=C 기를 -COOH로 전환하고,상기 자기조립유기층의 -COOH 말단기와 제 3 금속-함유 전구체 및 물을 반응시켜 제 3 금속산화물층을 형성하는 것을 포함하는 공정에 의하여 형성되는 것인,유기-무기 나노하이브리드 비휘발성 메모리 트랜지스터의 제조 방법 |
| 15 |
15 제 11 항에 있어서,상기 단계들은 각각 150℃ 이하에서 수행되는 것인,유기-무기 나노하이브리드 비휘발성 메모리 트랜지스터의 제조 방법 |
| 16 |
16 제 11 항에 있어서,상기 기재는 플렉서블 기재, 웨이퍼, 또는 유리 기판을 포함하는 것인,유기-무기 나노하이브리드 비휘발성 메모리 트랜지스터의 제조 방법 |
| 17 |
17 제 11 항에 있어서,상기 정공 주입층은 유기 반도체를 포함하는 것인,유기-무기 나노하이브리드 비휘발성 메모리 트랜지스터의 제조 방법 |
| 18 |
18 제 17 항에 있어서,상기 유기 반도체는 펜타센, 테트라센, 나프타센, 안트라센, 올리고 페닐렌, 올리고 티오펜, 올리고 플루오렌, 프탈로시아닌, 루브렌, 풀러렌, 폴리아세틸렌 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인,유기-무기 나노하이브리드 비휘발성 메모리 트랜지스터의 제조 방법 |
| 19 |
19 제 11 항에 있어서,상기 반도체 채널층은 산화아연-가교결합된 폴리디아세틸렌(zinc oxide cross-linked polydiacetylene)을 포함하는 것인,유기-무기 나노하이브리드 비휘발성 메모리 트랜지스터의 제조 방법 |
| 20 |
20 제 11 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항의 방법에 의하여 제조되는,유기-무기 나노하이브리드 비휘발성 메모리 트랜지스터 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 서울시정개발연구원 | 한양대학교 산학협력단 | 서울시산학연협력사업 (신기술사업) | 유기-무기 나노복합초격자 박막을 이용한 비휘발성 플라스틱 메모리 트랜지스터 소자 개발 연구 |
| 2 | 교육과학기술부 | 한양대학교 산학협력단 | 도약연구지원사업 (전략) | 분자층성장 기술을 이용한 유기-무기 나노복합초격자 제조 및 응용 연구 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1305054-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20111102 출원 번호 : 1020110113496 공고 연월일 : 20130911 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130823 청구범위의 항수 : 16 유별 : H01L 21/8247 발명의 명칭 : 유기-무기 나노하이브리드 비휘발성 메모리 캐패시터, 유기-무기 나노하이브리드 비휘발성 메모리 트랜지스터 및 이들의 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20180903 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 334,500 원 | 2013년 09월 02일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 274,400 원 | 2016년 07월 05일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 274,400 원 | 2017년 06월 29일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.11.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0863694-80 |
| 2 | [출원서등 보정]보정서 | 2011.11.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0873313-90 |
| 3 | 의견제출통지서 | 2013.01.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0052406-74 |
| 4 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.03.25 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0254113-37 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.03.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0254110-01 |
| 6 | 등록결정서 | 2013.08.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0581481-41 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
| 기술번호 | KST2014059923 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 한양대학교 |
| 기술명 | 유기-무기 나노하이브리드 비휘발성 메모리 캐패시터, 유기-무기 나노하이브리드 비휘발성 메모리 트랜지스터 및 이들의 제조 방법 |
| 기술개요 |
기재 상에 유기-무기 나노하이브리드 터널링층(tunneling layer)을 형성하는 단계; 상기 유기-무기 나노하이브리드 터널링층 상에 전하 트랩층(charge trap layer)을 형성하는 단계; 및 상기 전하 트랩층 상에 유기-무기 나노하이브리드 절연층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 유기-무기 나노하이브리드 터널링층, 상기 전하 트랩층 및 상기 유기-무기 나노하이브리드 절연층은 각각 독립적으로 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition = ALD), 분자층 증착법(Molecular Layer Deposition = MLD), 또는 분자층 증착-원자층 증착법(MLD-ALD)에 의해 형성되는 것인, 비휘발성 메모리 캐패시터 또는 트랜지스터의 제조 방법, 및 그에 의한 캐패시터와 트랜지스터를 제공한다. |
| 개발상태 | 기술개발진행중 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 유기-무기 나노하이브리드 비휘발성 메모리 캐패시터, 유기-무기 나노하이브리드 비휘발성 메모리 트랜지스터 및 이들의 제조 방법 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 라이센스, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345200257 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2012M3A7B4034985 |
| 연구과제명 | 유기-무기 나노복합 계면 제어 기술 개발 및 이종접합 전자소자 응용 연구 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 미래창조과학부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2013 |
| 연구기간 | 201206~201706 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1711000202 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-0092807 |
| 연구과제명 | 분자층성장 기술을 이용한 유기-무기 나노복합초격자 제조 및 응용 연구 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 미래창조과학부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2013 |
| 연구기간 | 200909~201408 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345147132 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-0092807 |
| 연구과제명 | 분자층성장 기술을 이용한 유기-무기 나노복합초격자 제조 및 응용 연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한양대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200909~201408 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
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