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전극의 표면에 코팅층을 형성하는 방법으로서,전극을 일부만 전해액에 침지하고 나머지는 전해액 밖으로 노출시킨 상태에서 전해증착을 진행하여, 상기 전해액에 침지된 전극의 표면에는 전해증착을 수행하고 노출된 표면에는 산화반응을 수행하되,상기 전극을 지면과 평행한 회전축을 기준으로 회전시켜 전해액에 침지된 부분을 변경하며, 상기 전극이 2회 이상 회전하는 것을 특징으로 하는 코팅층 형성방법
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청구항 1에 있어서,상기 전극이 침지된 깊이를 조절하여, 전극 표면에 대하여 상기 전해증착이 수행되는 시간과 상기 산화반응이 수행되는 시간의 비율을 조절하는 것을 특징으로 하는 코팅층 형성방법
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청구항 1에 있어서,상기 전극이 원통형이며, 상기 원통형 전극을 길이 방향으로 눕혀서 일부만 전해액에 침지시키고, 상기 회전축이 측면원의 중심인 것을 특징으로 하는 코팅층 형성방법
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전극 표면에 코팅층을 형성하는 방법으로서,전극을 전극 표면에 전해 증착막을 형성하는 제1단계; 및상기 전극을 일부만 전해액에 침지하고 나머지는 전해액 밖으로 노출시켜, 상기 노출된 전해 증착막의 표면에 산화반응을 수행하는 제2단계;를 반복하여 수행하는 것을 특징으로 하는 코팅층의 형성방법
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청구항 4에 있어서,상기 전극을 상하로 움직여서 상기 제1단계와 상기 제2단계를 반복 수행하는 것을 특징으로 하는 코팅층의 형성방법
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청구항 4에 있어서,상기 전해액의 높이를 변경하여 상기 제1단계와 상기 제2단계를 반복 수행하는 것을 특징으로 하는 코팅층의 형성방법
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7
청구항 1 또는 청구항 4에 있어서,상기 산화반응에 의해서 산화물이 상기 전해 증착막의 표면에 형성되는 것을 특징으로 하는 코팅층의 형성방법
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8
청구항 7에 있어서,상기 산화물이 산화물층을 형성하는 것을 특징으로 하는 코팅층의 형성방법
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9
청구항 1 또는 청구항 4에 있어서,황을 포함하는 가스분위기에서 공정을 수행하여, 노출된 전극 표면에서 황화반응이 수행되는 것을 특징으로 하는 코팅층의 형성방법
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10
청구항 9에 있어서,상기 황화반응에 의해서 황화물이 상기 전해 증착막의 표면에 형성되는 것을 특징으로 하는 코팅층의 형성방법
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11
청구항 10에 있어서,상기 황화물이 황화물층을 형성하는 것을 특징으로 하는 코팅층의 형성방법
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12
청구항 1 또는 청구항 4의 방법으로 형성된 코팅층으로서,전해액에 침지된 상태에서 형성된 전해 증착막이 적층된 구조이고, 각 전해 증착막의 사이에는 산화반응에 의해서 형성된 산화물이 삽입된 것을 특징으로 하는 코팅층
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13
청구항 12에 있어서,상기 산화물이 산화물층을 구성하여, 전해 증착막과 산화물층이 순차적으로 적층된 구조인 것을 특징으로 하는 코팅층
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14
청구항 9의 방법으로 형성된 코팅층으로서,전해액에 침지된 상태에서 형성된 전해 증착막이 적층된 구조이고, 각 전해 증착막의 사이에는 황화반응에 의해서 형성된 황화물이 삽입된 것을 특징으로 하는 코팅층
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15
청구항 14에 있어서,상기 황화물이 황화물층을 구성하여, 전해 증착막과 황화물층이 순차적으로 적층된 구조인 것을 특징으로 하는 코팅층
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