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게이트 퍼스트 공정을 통해 제조되는 3차원 플래시 메모리

  • 기술번호 : KST2022022671
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 게이트 퍼스트 공정을 통해 제조되는 3차원 플래시 메모리가 개시된다. 일 실시예에 따르면, 3차원 플래시 메모리는 기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 수직 방향으로 교대로 적층된 층간 절연막들 및 게이트 전극들을 포함하는 적층 구조체들; 및 상기 적층 구조체들 각각을 관통하며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 구조체들-상기 수직 채널 구조체들 각각은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 데이터 저장 패턴 및 상기 데이터 저장 패턴의 내측벽에 덮으며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 패턴을 포함하고, 상기 데이터 저장 패턴 및 상기 수직 채널 패턴은 상기 워드 라인들에 대응하는 메모리 셀들을 구성함-을 포함하고, 상기 층간 절연막들 각각은, 금속 산화물로 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.
Int. CL H01L 27/11582 (2017.01.01) H01L 27/11568 (2017.01.01) H01L 27/11597 (2017.01.01) H01L 27/1159 (2017.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/311 (2006.01.01)
CPC H01L 27/11582(2013.01) H01L 27/11568(2013.01) H01L 27/11597(2013.01) H01L 27/1159(2013.01) H01L 21/02172(2013.01) H01L 21/31105(2013.01)
출원번호/일자 1020210066214 (2021.05.24)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0158425 (2022.12.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.05.24)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤흡 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2021.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2021-0593950-19
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번호 청구항
1 1
기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 수직 방향으로 교대로 적층된 층간 절연막들 및 게이트 전극들을 포함하는 적층 구조체들; 및 상기 적층 구조체들 각각을 관통하며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 구조체들-상기 수직 채널 구조체들 각각은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 데이터 저장 패턴 및 상기 데이터 저장 패턴의 내측벽에 덮으며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 패턴을 포함하고, 상기 데이터 저장 패턴 및 상기 수직 채널 패턴은 상기 워드 라인들에 대응하는 메모리 셀들을 구성함-을 포함하고, 상기 층간 절연막들 각각은, 금속 산화물로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 층간 절연막들 각각은, 상기 게이트 전극들을 구성하는 금속 물질의 산화물로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 층간 절연막들 각각에는, 상기 층간 절연막들 각각의 두께보다 얇은 절연 차단막이 내재되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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기판 상에서 수평 방향으로 연장 형성된 채 수직 방향을 따라 교대로 적층된 층간 절연막들 및 게이트 전극들을 포함하는 반도체 구조체를 준비하는 단계; 상기 반도체 구조체를 상기 수직 방향으로 관통하는 채널 홀들을 형성하는 단계; 및 상기 채널 홀들의 내부에 수직 채널 구조체들을 상기 수직 방향으로 연장 형성하는 단계를 포함하고, 상기 층간 절연막들 각각은, 금속 산화물로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제4항에 있어서,상기 층간 절연막들 각각에는, 상기 층간 절연막들 각각의 두께보다 얇은 절연 차단막이 내재되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.