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기판 처리 방법으로서,제1 표면 영역 및 상기 제1 표면 영역과 다른 표면 상태를 가지는 제2 표면 영역을 포함하는 기판을 제공하는 단계와,증착 억제제를 포함하는 기판 표면 처리 조성물에 상기 기판을 노출시키는 단계와,HF를 포함하는 후처리 조성물에 상기 기판을 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법
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제1항에 있어서, 상기 후처리 조성물에 상기 기판을 노출시키는 단계는, HF를 포함하는 액상 후처리 조성물에 상기 기판을 침지(dipping)하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법
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제2항에 있어서,상기 액상 후처리 조성물은 5%~15%의 HF 희석 용액인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법
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제3항에 있어서,상기 액상 후처리 조성물은 10%의 HF 희석 용액인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법
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제1항에 있어서,상기 후처리 조성물에 상기 기판을 노출시키는 단계는, HF를 포함하는 기상 후처리 조성물을 상기 기판상으로 공급하는 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법
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제1항에 있어서, 상기 증착 억제제는, 상기 제1 표면 영역 및 상기 제2 표면 영역에 대한 흡착도가 다른 헤드부와, 상기 헤드부와 반대측 단부에 배치되는 말단부와, 상기 헤드부와 상기 말단부를 연결하는 몸체부를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법
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제6항에 있어서,상기 헤드부는, 티올 또는 포스폰 산(phosphonic acid)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법
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제6항에 있어서,상기 헤드부는 복수의 헤드 그룹을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법
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제6항에 있어서,상기 몸체부는, 불소(F)로 치환되거나 비치환된 C4~C18의 알킬렌으로 이루어지는 체인구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법
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제9항에 있어서,상기 몸체부는, 복수의 상기 체인구조체를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법
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제9항에 있어서,상기 말단부는 상기 몸체부의 상기 체인구조체에 대응하는 비반응성 모이어티를 가지며, 상기 비반응성 모이어티는 -CH3 또는 -CF3인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법
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제1항에 있어서,상기 기판 표면 처리 조성물에 상기 기판을 노출시키는 단계는, 액상의 기판 표면 처리 조성물에 상기 기판을 침지하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판 표면 처리 조성물에 상기 기판을 노출시키는 단계는, 기상의 기판 표면 처리 조성물을 상기 기판상으로 공급하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 표면 영역은 도전성 또는 금속성 표면 영역이고, 상기 제2 표면 영역은 유전성 표면 영역인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법
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기판상에 박막을 영역 선택적으로 증착하기 위한 방법으로서,제1항 내지 제14항 중 어느 한 항의 기판 처리 방법으로 기판을 처리하는 단계와,처리된 상기 기판을 증착 반응물 가스에 노출시켜, 상기 기판의 제1 표면 영역 또는 제2 표면 영역에 상기 박막을 선택적으로 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적 증착 방법
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제15항에 있어서, 상기 제1 표면 영역은 도전성 또는 금속성 표면 영역이고, 상기 제2 표면 영역은 유전성 표면 영역이며, 실리콘 함유막, 하프늄 함유막, 또는 루테늄 함유막을 포함하는 상기 박막을 상기 제2 표면 영역상에 선택적으로 증착하는 것을 특징으로 하는 선택적 증착 방법
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제15항에 있어서,상기 박막은 ALD 또는 CVD 방법에 의한 증착되는 것을 특징으로 하는 선택적 증착 방법
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