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비휘발성 스핀 메모리 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014040724
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 비휘발성 스핀 메모리 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 플로팅 게이트에 자성 반도체 양자점을 형성하고 자성 반도체 양자점 내에 전자의 스핀을 저장 및 소거함으로써 정보를 저장하는 스핀 메모리 소자를 제조할 수 있다. 자성 반도체 양자점의 형성은 전이금속을 포함하는 금속층, 고분자 전구체층을 순차 적층한 후 열처리를 함으로써 고분자막 내에 다수의 자성 반도체 양자점을 형성하게 된다. 메모리 소자의 동작에 있어 편극광을 조사하여 전자의 스핀을 자성 양자점내에 저장함으로써 전자의 전하 뿐만 아니라 전자의 스핀을 이용하는 스핀 메모리 소자를 제공하게 된다. 자성 양자점, 나노 부유게이트 메모리(NFGM), 스핀 메모리, 플렉시블
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01)
CPC G11C 11/16(2013.01) G11C 11/16(2013.01)
출원번호/일자 1020090109358 (2009.11.12)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1061674-0000 (2011.08.26)
공개번호/일자 10-2011-0052364 (2011.05.18) 문서열기
공고번호/일자 (20110901) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.12)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김은규 대한민국 서울특별시 성동구
2 송후영 대한민국 서울특별시 용산구
3 이동욱 대한민국 서울특별시 성동구
4 김선필 대한민국 서울특별시 성동구
5 한동석 대한민국 서울특별시 구로구
6 조원주 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2009-0696550-93
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0100845-95
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0293860-04
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.04.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0293901-88
5 등록결정서
Decision to grant		 2011.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0478459-83
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 터널 절연막; 상기 터널 절연막 상에 형성되며 적어도 하나의 자성 반도체 양자점을 포함하는 고분자 절연막; 및 상기 고분자 절연막 상에 형성되는 게이트 전극을 포함하고, 상기 적어도 하나의 자성 반도체 양자점에 광학적 편극광을 조사하여 전자의 스핀을 정렬시키고, 상기 자성 반도체 양자점 내에 상기 스핀 정렬된 전자를 저장하는 비휘발성 스핀 메모리 소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 광투과성 수지 기판인 비휘발성 스핀 메모리 소자
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 기판과 상기 터널 절연막 사이에 배치된 채널막; 및 상기 기판 상에서 상기 채널막의 양단에 접속하는 소오스/드레인 전극들을 더 포함하는 비휘발성 스핀 메모리 소자
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 기판은 폴리카보네이트(polycarbonate: PC), 폴리아릴레이트(polyarylate: PAR), 폴리에테르술폰(polyethersulphone: PES) 및 폴리이미드(polyimide: PI) 중 선택된 적어도 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 비휘발성 스핀 메모리 소자
5 5
제 3 항에 있어서, 상기 채널막은 산화아연(ZnO), 질화갈륨(GaN), 펜타센(pentacen), 폴리엔비닐카바졸(polyvinyl carbazole: PVK) 및 폴리스티렌(polystyrene, PS) 중 선택된 적어도 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 비휘발성 스핀 메모리 소자
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 터널 절연막은 Al2O3, MgO, SiO2, ZrO2 및 HfO2 중 선택된 적어도 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 비휘발성 스핀 메모리 소자
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 터널 절연막은 두께가 2㎚~5㎚ 인 것을 특징으로 하는 비휘발성 스핀 메모리 소자
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 자성 반도체 양자점은 ZnMnO, NiO, Fe2O3 및 FeNiO 중 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 비휘발성 스핀 메모리 소자
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 고분자 절연막의 재질은 폴리이미드를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 스핀 메모리 소자
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 폴리이미드는 BPDA-PDA(poly(p-phenylene biphenyl tetracarboximide)), PMDA-PDA (poly(p-phenylene pyromellitimide)), OPDA-PDA(poly(p-phenylene 3, 3", 4,4"-oxtdiphthalimide)) 및 6FDA-PDA (poly(p-phenylene4,4"-hexafluoro isopropylidene diphthalimide)) 중 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 비휘발성 스핀 메모리 소자
11 11
기판 상에 터널 절연막을 형성하는 단계; 상기 터널 절연막 상에 적어도 하나의 자성 반도체 양자점을 포함하는 고분자 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 고분자 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 적어도 하나의 자성 반도체 양자점에 광학적 편극광을 조사하여 전자의 스핀을 정렬시키고, 상기 자성 반도체 양자점 내에 상기 스핀 정렬된 전자를 저장하는 비휘발성 스핀 메모리 소자의 제조방법
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 터널 절연막을 형성하기 전에, 상기 기판 상에 채널막 형성하는 단계; 및 상기 채널막의 양단에 접속하는 소오스/드레인 전극들을 형성하는 단계를 더 포함하는 비휘발성 스핀 메모리 소자의 제조방법
13 13
제 11 항에 있어서, 상기 자성 반도체 양자점을 포함하는 고분자 절연막을 형성하는 단계는, 상기 터널 절연막 상에 전이금속을 포함하는 적어도 하나의 금속층 및 카르복시기를 갖는 고분자 전구체층을 순차적으로 형성한 후 열처리 공정을 통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 스핀 메모리 소자의 제조방법
14 14
제 3 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 자성 반도체 양자점에 광학적 편극광을 조사하여 상기 자성 반도체 양자점 내에 스핀 정렬된 전자를 주입함으로써 정보를 기록하는 비휘발성 스핀 메모리 소자
15 15
제 14 항에 있어서, 상기 게이트 전극과 소오스/드레인 전극들 사이에 전계를 인가하여 상기 채널막에 주입되는 전자와 상기 스핀 정렬된 전자를 재결합시켜 상기 자성 반도체 양자점내의 스핀을 제거함으로써 정보를 소거하는 비휘발성 스핀 메모리 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부(과기부) 교육과학기술부(과기부)(한국과학재단) 기초연구사업(중견연구자지원사업) 스피닉스 응용을 위한 반도체와 자성체 이종접합 양자구조 연구