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핀 펫 구조를 가지는 플래시 메모리 및 이의 동작 방법

  • 기술번호 : KST2014040748
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 센싱 그룹 별로 데이터의 읽기 동작이 가능한 플래시 메모리 및 이의 동작 방법이 개시된다. 각각의 센싱 그룹은 제1 방향으로 신장되고, 서로 대향하는 방향에 설치된 스위칭 트랜지스터들과 스위칭 트랜지스터들 사이에 배치된 다수의 셀 트랜지스터들로 구성된다. 읽기 동작 시에 특정의 셀 트랜지스터에 저장된 데이터는 선택된 셀 트랜지스터가 속한 센싱 그룹을 통과한다. 이를 통해 읽기 동작은 특정의 센싱 그룹에 대해서만 수행된다. 플래시 메모리, 핀 펫, 스위칭 트랜지스터
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) G11C 16/00 (2006.01.01)
CPC H01L 27/2436(2013.01) H01L 27/2436(2013.01) H01L 27/2436(2013.01)
출원번호/일자 1020090098571 (2009.10.16)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1039214-0000 (2011.05.30)
공개번호/일자 10-2011-0041645 (2011.04.22) 문서열기
공고번호/일자 (20110603) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.10.16)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울특별시 마포구
2 곽계달 대한민국 서울 종로구
3 김현주 대한민국 경기도 고양시 일산서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0633979-55
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0080526-76
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0271478-50
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0359899-09
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0359873-12
6 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0285866-81
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 표면으로부터 돌출되고, 제1 방향으로 신장된 제1 영역 및 제2 영역, 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 신장되고 상기 제1 영역과 상기 제2 영역을 연결하는 제3 영역을 가지고, "" 형상을 가지는 액티브 영역; 상기 제1 영역 상에 형성된 제1 스위칭 트랜지스터; 상기 제2 영역 상에 형성된 제2 스위칭 트랜지스터; 및 상기 제3 영역 상에 형성된 복수의 셀 트랜지스터들을 포함하는 플래시 메모리
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역은 서로 대향하여 신장되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리
3 3
제2항에 있어서, 상기 제1 스위칭 트랜지스터 또는 제2 스위칭 트랜지스터는 상기 액티브 영역 상에 형성된 유전막; 및 상기 유전막 상에 형성된 게이트 전극을 포함하고, 상기 유전막은 상기 액티브 영역을 감싸고, 상기 게이트 전극은 상기 유전막을 감싸는 형상으로 구비되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리
4 4
제1항에 있어서, 상기 셀 트랜지스터는 상기 액티브 영역 상에 형성된 터널링 산화막; 상기 터널링 산화막을 감싸면서 형성된 전하 저장층; 상기 전하 저장층을 감싸면서 형성된 블로킹 절연막; 및 상기 블로킹 절연막을 감싸면서 형성된 셀 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1 스위칭 트랜지스터 및 상기 제2 스위칭 트랜지스터는 읽기 동작 시에 턴온되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리
6 6
제1 데이터 선택 트랜지스터와 제1 스트링 선택 트랜지스터 사이에 구비된 복수개의 셀 트랜지스터를 가지는 제1 센싱 그룹; 및 상기 제1 스트링 선택 트랜지스터와 제2 데이터 선택 트랜지스터 사이에 구비된 복수개의 셀 트랜지스터를 가지는 제2 센싱 그룹을 가지고, 상기 제1 센싱 그룹과 상기 제2 센싱 그룹은 상기 제1 스트링 선택 트랜지스터를 공유하고, 상기 각각의 센싱 그룹은 "" 형상을 가지는 액티브 영역 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리
7 7
제6항에 있어서, 상기 플래시 메모리는 상기 제2 데이터 선택 트랜지스터와 제2 스트링 선택 트랜지스터 사이에 구비된 복수개의 셀 트랜지스터를 가지고, 상기 제2 센싱 그룹과 상기 제2 데이터 선택 트랜지스터를 공유하는 제3 센싱 그룹을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리
8 8
제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 제1 데이터 선택 트랜지스터 및 상기 제2 데이터 선택 트랜지스터는 데이터 선택 라인에 공통 연결되어 온/오프 동작을 수행하고, 상기 제1 스트링 선택 트랜지스터 및 상기 제2 스트링 선택 트랜지스터는 스트링 선택 라인에 공통 연결되어 온/오프 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리
9 9
제6항에 있어서, 상기 제1 데이터 선택 트랜지스터와 상기 제1 스트링 선택 트랜지스터는 서로 대향하는 방향으로 배치되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리
10 10
하나의 스트링을 다수의 센싱 그룹으로 분리하고, 각각의 센싱 그룹에 속한 스위칭 소자를 턴온시키는 단계; 및 상기 턴온된 스위칭 소자를 통해 센싱 대상인 셀 트랜지스터의 정보를 센싱하는 단계를 포함하고, 상기 각각의 센싱 그룹은 "" 형상의 액티브 영역 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 동작 방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 셀 트렌지스터의 정보를 센싱하는 단계는, 비트라인에 연결된 스위칭 트랜지스터의 턴온에 의해 상기 센싱 대상인 셀 트랜지스터가 속한 센싱 그룹에 전류를 공급하는 단계; 및 상기 비트라인에 연결된 스위칭 트랜지스터에 대향하는 방향에 구비되고, 상기 센싱 대상인 셀 트랜지스터가 속한 센싱 그룹의 다른 스위칭 소자를 통해 전류를 출력하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 동작 방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 센싱 대상이 셀 트랜지스터가 속한 센싱 그룹 이외의 다른 센싱 그룹에 속한 셀 트랜지스터는 턴 오프되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 동작 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 한양대학교 국가지정연구실 복합형 나노 양자 구조를 이용한 차세대 비휘발성 메모리 소자 및 발광 소자를 위한 나노 물리, 나노 소재 및 소자에 대한 연구