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3차원 구조를 가지는 낸드 플래시 메모리

  • 기술번호 : KST2014059732
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 기판으로부터 수직방향으로 신장되고, 다층의 적층구조를 가지는 낸드 플래시 메모리가 개시된다. 제어 게이트는 층간 절연막과 번갈아가며 형성된다. 또한, 제어 게이트는 차단 절연막을 통해 기판과 수평한 방향으로 분리된다. 따라서, 제어 게이트의 일측면만이 블로킹 절연막과 접촉한다. 이를 통해 하나의 스택 구조에서 양측으로 독립적인 전하의 트랩 동작이 가능해진다. 따라서, 플래시 메모리의 집적도는 향상되며, 전하의 제어 능력은 향상된다.
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01)
CPC H01L 27/11582(2013.01) H01L 27/11582(2013.01) H01L 27/11582(2013.01) H01L 27/11582(2013.01) H01L 27/11582(2013.01)
출원번호/일자 1020110054440 (2011.06.07)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1240888-0000 (2013.02.28)
공개번호/일자 10-2012-0135624 (2012.12.17) 문서열기
공고번호/일자 (20130311) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.07)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울특별시 강남구
2 유주형 대한민국 서울특별시 강서구
3 진준 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.06.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0424277-24
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.04.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.05.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0038345-20
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0481993-58
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.10.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0829273-19
6 등록결정서
Decision to grant		 2013.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0137142-31
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상의 절연막 상에 형성된 게이트 스택 영역;상기 절연막 상에 형성되고, 상기 게이트 스택 영역의 일측에 형성된 소스 영역; 및상기 절연막 상에 형성되고, 상기 게이트 스택 영역을 중심으로 상기 소스 영역에 대향하는 드레인 영역을 포함하고,상기 게이트 스택 영역은,중심부위의 차단 절연막에 의해 분리되고, 상기 차단 절연막을 중심으로 서로 대향하는 다수의 제어 게이트들을 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 구조를 가지는 낸드 플래시 메모리
2 2
제1항에 있어서, 상기 게이트 스택 영역은,상기 제어 게이트와 층간 절연막이 순차적으로 적층된 다층 제어 게이트;상기 다층 제어 게이트의 측면과 상면에 형성된 블로킹 절연막;상기 블로킹 절연막의 측면과 상면에 형성된 전하 트랩층;상기 전하 트랩층의 측면과 상면에 형성된 터널링 절연막; 및상기 터널링 절연막의 측면과 상면에 형성된 채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 구조를 가지는 낸드 플래시 메모리
3 3
제2항에 있어서, 상기 다층 제어 게이트는 상기 차단 절연막을 더 포함하고, 상기 차단 절연막에 의해 상기 기판의 수평 방향으로 분리되는 것을 특징으로 하는 3차원 구조를 가지는 낸드 플래시 메모리
4 4
제2항에 있어서, 상기 소스 영역 또는 상기 드레인 영역은, 다결정 실리콘을 포함하고, 상기 채널과 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 구조를 가지는 낸드 플래시 메모리
5 5
제4항에 있어서, 상기 소스 영역 또는 상기 드레인 영역은 상기 절연막 상의 채널에 대한 이온주입에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 구조를 가지는 낸드 플래시 메모리
6 6
제2항에 있어서, 상기 차단 절연막은 상기 제어 게이트들 및 상기 층간 절연막을 관통하여 형성되고, 상기 절연막 상부까지 신장되는 것을 특징으로 하는 3차원 구조를 가지는 낸드 플래시 메모리
7 7
기판 상에 형성된 절연막;상기 절연막 상에 형성된 소스 영역;상기 절연막 상에 형성되고 상기 소스 영역에 대향하는 드레인 영역; 및상기 절연막 상에 형성되고, 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이에 배치되며, 다수의 제어 게이트들이 상기 기판에 수직한 방향으로 적층되고, 인접한 상기 제어 게이트들은 상기 기판에 수직한 방향 및 상기 기판에 수평한 방향으로 상호간에 분리된 게이트 스택 영역을 포함하는 3차원 구조를 가지는 낸드 플래시 메모리
8 8
제7항에 있어서, 상기 게이트 스택 영역은,상기 제어 게이트와 층간 절연막이 순차적으로 적층된 다층 제어 게이트;상기 다층 제어 게이트의 측면과 상면에 형성된 블로킹 절연막;상기 블로킹 절연막의 측면과 상면에 형성된 전하 트랩층;상기 전하 트랩층의 측면과 상면에 형성된 터널링 절연막; 및상기 터널링 절연막의 측면과 상면에 형성된 채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 구조를 가지는 낸드 플래시 메모리
9 9
제8항에 있어서, 상기 다층 제어 게이트는 상기 제어 게이트들 및 상기 층간 절연막을 관통하여 형성되는 차단 절연막을 더 포함하고, 상기 차단 절연막은 상기 절연막 상부까지 신장되는 것을 특징으로 하는 3차원 구조를 가지는 낸드 플래시 메모리
10 10
제9항에 있어서, 상기 제어 게이트들은 상기 기판에 수평한 방향의 일측면으로만 상기 블로킹 절연막과 접하는 것을 특징으로 하는 3차원 구조를 가지는 낸드 플래시 메모리
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2012169731 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
2 WO2012169731 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2012169731 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
2 WO2012169731 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한양대학교 산학협력단 기초연구사업(중견연구자지원사업) 복합형 나노 양자 구조를 이용한 차세대 비휘발성 메모리 소자 및 발광 소자를 위한 나노 물리, 나노 소재 및 소자에 대한 연구