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상변화층 패턴을 포함하는 상변화 메모리부;상기 상변화 메모리부의 상변화층 패턴에 레이저빔을 국부적으로 집속하는 레이저빔 집속부; 및 상기 레이저빔을 발생시켜 상기 레이저빔 집속부로 상기 레이저빔을 방출하는 반도체 레이저부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 상변화 메모리부, 레이저빔 집속부 및 반도체 레이저부는 순차적으로 적층 및 접합하여 구성되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 상변화층 패턴 상에는 레이저빔을 국부적으로 입사시킬 수 있는 레이저빔 창을 갖는 레이저빔 차단 패턴이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 레이저빔 집속부는 상기 상변화층 패턴에 레이저빔을 국부적으로 집속할 수 있게 하는 마이크로 프로브를 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 반도체 레이저부는 방출되는 레이저빔의 모양을 조절할 수 있는 레이저빔 제어 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
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6
제1 기판 상에 콘택홀을 갖게 형성된 전극;상기 콘택홀에 형성되어 상기 전극과 연결된 상변화층 패턴;상기 상변화층 패턴 및 전극 상에 형성되고 상기 상변화층 패턴에 레이저빔을 국부적으로 입사시킬 수 있는 레이저빔 창을 갖는 레이저빔 차단 패턴;상기 레이저빔 차단 패턴의 양단부에 지지 및 접합되고 상기 레이저빔 창을 통하여 상기 레이저빔을 입사시킬 수 있는 마이크로 프로브를 포함하는 제2 기판; 및 상기 제2 기판의 배면 상에 지지 및 접합되고, 레이저빔을 발생시켜 레이저빔 제어 패턴을 통하여 상기 마이크로 프로브로 국부적으로 레이저빔을 방출시킬 수 있는 반도체 레이저를 포함하는 제3 기판을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
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제6항에 있어서, 상기 마이크로 프로브를 포함하는 제2 기판과 상기 반도체 레이저를 포함하는 제3 기판 사이에는 상기 레이저빔 제어 패턴을 노출하고 상기 마이크로 프로브에 대응되는 부분에 접속판이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
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8
제6항에 있어서, 상기 제2 기판의 내부에는 내부홀이 형성되어 있고, 상기 내부홀의 중간에는 돌출되어 상기 마이크로 프로브가 형성되어 있고, 상기 내부홀의 양단부에는 콘택 패드가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
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9
제8항에 있어서, 상기 콘택 패드 상에는 상기 상변화층 패턴을 포함하는 제1 기판과 마이크로 프로브를 포함하는 제2 기판 사이의 간격을 조절할 수 있는 보호층 패턴이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
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10
제6항에 있어서, 상기 반도체 레이저는 상기 제3 기판 상에 형성된 액티브 영역과 상기 액티브 영역의 상하부(위아래)에 위치하는 제1 공진 미러 및 제2 공진 미러로 구성되고, 상기 2 공진 미러 상에는 상기 레이저빔 제어 패턴이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
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