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기판;상기 기판 상의 활성 층;상기 활성 층 상에 서로 이격되는 소스 및 드레인; 상기 소스와, 상기 드레인과, 상기 활성 층을 덮는 게이트 절연막; 및상기 복수개의 전극들 사이의 상기 게이트 절연막 상에 배치된 게이트를 포함하되,상기 게이트 절연막은 상기 게이트와 상기 활성 층 사이에 유도되는 전기장에 의해 상기 활성 층으로부터 상기 게이트 절연막 내부로 주입되는 전하를 저장하는 양자 점들을 구비하는 실리콘 질화막을 포함하는 투명 비휘발성 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,상기 양자 점들은 실리콘 나노입자를 포함하는 투명 비휘발성 메모리 소자
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제 2 항에 있어서,상기 실리콘 나노입자는 3나노미터 내지 7나노미터의 입경을 갖는 투명 비휘발성 메모리 소자
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제 2 항에 있어서,상기 실리콘 나노입자는 게이트 절연막 내에 1016 내지 1018개/cm3의 밀도로 배치되는 투명 비휘발성 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,상기 게이트 절연막은 90퍼센트 이상의 투과율을 갖는 투명 비휘발성 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,상기 소스/드레인과, 상기 게이트는 투명 금속을 포함하는 투명 비휘발성 메모리 소자
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제 6 항에 있어서,상기 투명 금속은 인듐주석 산화물 또는 인듐아연 산화물을 포함하는 투명 비휘발성 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,상기 활성 층은 투명 금속 산화막을 포함하는 투명 비휘발성 메모리 소자
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제 8 항에 있어서,상기 투명 금속 산화막은 산화 티타늄 또는 산화 인듐 티타늄을 포함하는 투명 비휘발성 메모리 소자
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기판 상에 활성 층을 형성하는 단계;상기 활성 층 상에 서로 이격되는 소스와 드레인을 형성하는 단계;상기 소스와 상기 드레인과 상기 활성 층 상에 양자 점을 갖는 게이트 절연막을 형성하는 단계; 및상기 소스와 상기 드레인 사이의 상기 게이트 절연막 상에 게이트를 형성하는 단계를 포함하되,상기 양자 점들은 상기 게이트 절연막과 동시에 형성되는 투명 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 게이트 절연막은 플라즈마 증강된 화학기상증착방법으로 형성된 투명 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 화학기상증착방법은 실란 가스와 질소 가스를 소스 가스로 사용하는 투명 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 실란 가스와 상기 질소 가스는 1:1000 내지 1:4000의 비율로 혼합된 투명 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 화학기상증착방법은 실란 가스와 암모니아 가스를 소스 가스로 사용하는 투명 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
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제 14 항에 있어서,상기 실란 가스와 상기 암모니아 가스는 1:1 내지 1:5의 비율로 혼합된 투명 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
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