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저항형 메모리 장치 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015098514
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저항형 메모리 장치 및 그 제조 방법을 제공한다. 이 장치에서는 전자채널층이 스웰링 공정 및 열처리 공정에 의해 형성되므로, 전자채널층 안에 전도성 나노 입자의 분포가 균일하게 형성된다. 이로써 신뢰성이 향상된 저항형 메모리 장치를 제공할 수 있다. 또한, 이 방법에서는 프린팅 공정, 스웰링 공정 및 열처리 공정으로 전자채널층을 형성하므로, 제조 시간을 단축시킬 수 있다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC G11C 13/0007(2013.01) G11C 13/0007(2013.01) G11C 13/0007(2013.01) G11C 13/0007(2013.01) G11C 13/0007(2013.01) G11C 13/0007(2013.01) G11C 13/0007(2013.01) G11C 13/0007(2013.01) G11C 13/0007(2013.01) G11C 13/0007(2013.01)
출원번호/일자 1020100043570 (2010.05.10)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1295888-0000 (2013.08.06)
공개번호/일자 10-2011-0124022 (2011.11.16) 문서열기
공고번호/일자 (20130812) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.05.10)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양용석 대한민국 대전광역시 유성구
2 유인규 대한민국 대전광역시 유성구
3 구재본 대한민국 대전광역시 유성구
4 정순원 대한민국 대전광역시 유성구
5 김강대 대한민국 대전광역시 유성구
6 노용영 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0299350-25
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.05.11 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2010-0300687-21
3 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2010.05.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0043125-71
4 [심사유예신청]결정 보류(심사유예)신청서
[Request for Deferment of Examination] Request for Deferment on Decision (Deferment of Examination)		 2010.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0310805-13
5 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document		 2010.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0310804-67
6 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2010.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0043861-56
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.06.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0057699-02
9 등록결정서
Decision to grant		 2013.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0515803-79
10 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0593243-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상의 제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 위치하는 전자채널층; 및상기 전자채널층 상의 제 2 전극을 포함하되,상기 제 2 전극 하부에서 상기 전자채널층의 상부면은 상기 제 2 전극쪽으로 돌출되는 것을 특징으로 하는 저항형 메모리 장치
2 2
제 1 항에 있어서,상기 전자채널층은 유기물 박막층과 그 내부에 산포된 전도성 나노 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항형 메모리 장치
3 3
제 2 항에 있어서,상기 유기물 박막층은, 폴리엔비닐카바졸(PVK, poly-N-Vinylcarbazole), 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리카보네이트(PC, poly carbonate), 폴리비닐피롤리돈(PVP, polyvinyl pyrrolidone), 폴리염화비닐(PVC, polyvinyl chloride), 폴리스티렌(PS, polystyrene), 폴리플루오렌(PFO, polyfluorene), 폴리페닐렌비닐렌(PPV, polyphenylenevinylene), 에폭시(EP, epoxy), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA, polymethyl methacrylate), 폴리에틸렌(PE, polyehylene) 또는 에틸렌 공중합체를 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나, 이의 혼합물, 화합물, 올리고머 및 화합물 유도체인 것을 특징으로 하는 저항형 메모리 장치
4 4
제 2 항에 있어서,상기 전도성 나노 입자는 금, 은 및 구리, 인듐주석산화물(ITO), 아연산화물(ZnO) 및 티타늄산화물(TiO2)을 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 저항형 메모리 장치
5 5
기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;평탄한 상부면을 가지는 유기물 박막층을 형성하는 단계;상기 유기물 박막층의 소정 영역에 전도성 나노입자와 제 1 용매를 포함하는 제 1 용액을 공급하는 단계;상기 제 1 용매로 상기 유기물 박막층을 스웰링(swelling)하는 동시에 상기 전도성 나노 입자를 상기 유기물 박막층 내로 침투시키는 단계; 어닐링(annealing) 공정을 진행하여 상기 제 1 용매를 휘발시키는 동시에 상기 전도성 나노 입자를 상기 유기물 박막층 내에 임베딩(embedding)하여 전자채널층을 형성하는 단계;상기 전자채널층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 저항형 메모리 장치의 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 제 1 용매는 아세트알데하이드(Acetaldehyde), 아세트산(Acetic acid), 아세톤(Acetone), 아밀 아세테이트(Amyl acetate), 아밀 알콜(Amyl alcohol), 아닐린(Aniline), 벤즈알데하이드(Benzaldehyde), 벤젠(Benzene), 부타놀(Butanol), 카본 디설파이드(Carbon disulphide), 카본 테트라클로라이드(Carbon tetrachloride), 클로로벤젠(Chlorobenzene), 클로로포름(Chloroform), 시클로헥사놀(Cyclohexanol), 시클로헥사논(Cyclohexanone), 1,2-디클로로에탄(1,2-dichloroethane), 1,4-디메틸벤젠(1,4-dimethylbenzene), 디메틸포르마이드(Dimethylformamide), 디옥산(Dioxane), 에탄올(Ethanol), 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 메탄올(Methanol), 메틸에틸케톤(Methyl ethyl ketone), 페놀(Phenol), 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran), 트리클로로에틸렌(Trichloroethylene) 및 크실렌(Xylene)을 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항형 메모리 장치의 제조 방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 전도성 나노 입자는 상기 제 1 용매에 5~20 중량%로 포함되는 것을 특징으로 하는 저항형 메모리 장치의 제조 방법
8 8
제 5 항에 있어서,상기 제 1 용액은 1~20 centi Poise의 점도를 가지는 것을 특징으로 하는 저항형 메모리 장치의 제조 방법
9 9
제 5 항에 있어서,상기 유기물 박막층을 형성하는 단계는, 유기화합물을 제 2 용매에 용해시켜 제 2 용액을 제조하는 단계;상기 기판 상에 상기 제 2 용액을 공급하는 단계; 및상기 제 2 용액을 경화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항형 메모리 장치의 제조 방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 유기물 화합물은 상기 제 2 용매에 0
11 11
제 9 항에 있어서, 상기 제 2 용매는 톨루엔(Toluene), 클로로포름(Chloroform), 1,1,2,2-테트라클로로에탄(1,1,2,2-tetrachloroethane), 테트라히드로퓨란(Tetrahydrofuran), 1,2-디클로로에탄(1,2-dichloroethane), 디클로로메탄(dichloromethane), 디메틸포름아미드(Dimethylformamide), 메틸 에틸 케톤(Methyl ethyl ketone), 1,4-디메틸벤젠(1,4-dimethylbenzene), 및 벤젠(Benzene)을 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항형 메모리 장치의 제조 방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국전자통신연구원 융합연구사업 LCD 백플레인용 신소재 및 용액공정 기술 개발