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이중 게이트로 조절되는 다이오드 구조를 포함하는 반도체 장치

  • 기술번호 : KST2015136786
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 적어도 2 이상의 단위 소자의 집합체를 포함하는 반도체 장치가 개시된다. 상기 단위소자는 반도체 영역, 상기 반도체 영역의 좌우 양단에 배치되고 전자 및 홀 중 어느 하나를 제공하거나 수렴하는 소스 및 드레인 영역, 상기 반도체 영역 위에 배치되는 제1 절연체, 상기 제1 절연체 위에 배치되고 상기 반도체 영역의 상부에서 상기 전자 및 상기 홀 중 어느 하나의 분포 상태를 변경시키는 제1 전극, 상기 반도체 영역 아래에 배치되는 제2 절연체 및 상기 제2 절연체 아래에 배치되고 상기 반도체 영역의 하부에서 상기 전자 및 상기 홀 중 어느 하나의 분포 상태를 변경시키는 제2 전극을 포함한다. 상기 적어도 2 이상의 단위 소자의 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 서로 교대로 배열되어 집합체를 형성한다.
Int. CL H01L 31/103 (2006.01.01) H01L 29/739 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01)
CPC H01L 31/103(2013.01) H01L 31/103(2013.01) H01L 31/103(2013.01)
출원번호/일자 1020080086433 (2008.09.02)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1442800-0000 (2014.09.15)
공개번호/일자 10-2010-0027494 (2010.03.11) 문서열기
공고번호/일자 (20140923) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.06.20)
심사청구항수 26

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박영준 대한민국 서울특별시 관악구
2 김헌석 대한민국 서울특별시 양천구
3 이석하 대한민국 충청남도 아산시 문화로번길
4 차병학 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남정길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2008-0625388-15
2 보정요구서
Request for Amendment		 2008.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0112169-17
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0662146-85
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2013.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-0550688-22
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0352406-67
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.07.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0667481-23
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0569372-25
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
9 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2014.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0839922-02
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 장치에 있어서,적어도 2 이상의 단위 소자의 집합체를 포함하되,상기 단위 소자는,반도체 영역;상기 반도체 영역의 좌우 양단에 배치되고, 전자 및 홀 중 어느 하나를 제공하거나 수렴하는 소스 및 드레인 영역; 상기 반도체 영역 위에 배치되는 제1 절연체;상기 제1 절연체 위에 배치되고, 상기 반도체 영역의 상부에서 상기 전자 및 상기 홀 중 어느 하나의 분포 상태를 변경시키는 제1 전극;상기 반도체 영역 아래에 배치되는 제2 절연체; 및상기 제2 절연체 아래에 배치되고, 상기 반도체 영역의 하부에서 상기 전자 및 상기 홀 중 어느 하나의 분포 상태를 변경시키는 제2 전극을 포함하고,상기 적어도 2 이상의 단위 소자는 바로 이웃한 단위 소자와 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극을 공유하도록 배열되어 집합체를 형성하는 반도체 장치
2 2
제1 항에 있어서,상기 소스 및 상기 드레인 중의 어느 하나는 N형 반도체이며, 다른 하나는 P형 반도체인 반도체 장치
3 3
제2 항에 있어서,상기 소스 및 상기 드레인 사이에서 순방향의 전류가 흐르도록 전압이 인가되는 반도체 장치
4 4
제1 항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 도핑된 실리콘, 금속, 금속 실리사이드 및 투명 전도성 물질로 구성되는 그룹에서 선택된 어느 하나를 포함하는 반도체 장치
5 5
제4 항에 있어서,상기 금속은 텅스텐, 은, 금, 구리, 알루미늄, 백금, 티타늄 및 탄탈륨으로 구성되는 그룹에서 선택된 어느 하나를 포함하는 반도체 장치
6 6
제4 항에 있어서,상기 투명 전도성 물질은 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO) 및 인듐산화물(In2O3)로 구성되는 그룹에서 선택된 어느 하나를 포함하는 반도체 장치
7 7
제1 항에 있어서,상기 단위 소자는 상기 반도체 영역으로부터 빛을 방출하는 발광 소자인 것인 반도체 장치
8 8
제7 항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 반도체 영역의 상부에 상기 전자 및 상기 홀 중 어느 하나의 반전 또는 축적을 발생시키는 제1 전압을 제공하고,상기 제2 전극은 상기 반도체 영역의 하부에 상기 전자 및 상기 홀 중 어느 하나의 반전 또는 축적을 발생시키는 제2 전압을 제공하는 반도체 장치
9 9
제8 항에 있어서,상기 반도체 영역의 상부에 반전된 상기 전자와 상기 반도체 영역의 하부에 축적된 상기 홀의 재결합에 의하거나, 상기 반도체 영역의 상부에 축적된 상기 홀과 상기 반도체 영역의 하부에 반전된 상기 전자의 재결합에 의하여, 상기 반도체 영역으로부터 빛이 방출되는 반도체 장치
10 10
제9 항에 있어서,상기 전자와 상기 홀의 재결합은 상기 반도체 영역의 상기 상부 및 상기 하부 사이에서, 상기 전자 또는 상기 홀의 터널링에 의한 천이로부터 발생하는 반도체 장치
11 11
제7 항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 전압 또는 상기 제2 전압을 조절하여, 상기 반도체 영역의 상기 상부 또는 상기 하부에서 상기 전자 또는 상기 홀이 반전 또는 축적되는 영역을 변경함으로써, 반도체 영역으로부터 방출되는 빛의 양을 조절하는 반도체 장치
12 12
제7 항에 있어서,상기 적어도 2 이상의 단위 소자의 집합체 좌우 양단에 배치되는 거울들을 더 포함하는 반도체 장치
13 13
제12 항에 있어서,상기 반도체 영역에서 방출된 빛은 상기 거울들 사이를 왕복하는 반도체 장치
14 14
제7 항에 있어서,상기 반도체 영역에서 방출된 빛은 상기 제1 전극 및 상기 제1 절연체 사이의 계면 또는 상기 제2 전극 및 상기 제2 절연체 사이의 계면을 따라 진행하여 외부로 방출되는 반도체 장치
15 15
제1 항에 있어서,상기 단위 소자는 외부로부터 인가된 빛에 응답하여 전류를 발생시키는 광 다이오드 소자인 반도체 장치
16 16
제15 항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 반도체 영역의 상부에 상기 전자 및 상기 홀 중 어느 하나의 반전 또는 축적을 발생시키는 제1 전압을 제공하고,상기 제2 전극은 상기 반도체 영역의 하부에 상기 전자 및 상기 홀 중 어느 하나의 반전 또는 축적을 발생시키는 제2 전압을 제공하는 반도체 장치
17 17
제15 항에 있어서,상기 반도체 영역은 상기 외부로부터 인가된 빛에 응답하여, 상기 반도체 영역에서, 상기 전자 및 홀 쌍을 생성시키는 반도체 장치
18 18
제15 항에 있어서, 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극에 인가되는 전압을 각각 조절함으로써, 상기 반도체 영역에서 생성된 전자-홀 쌍에 의하여 발생하는 전류의 양을 조절하는 반도체 장치
19 19
(a) 반도체 영역, 상기 반도체 영역의 좌우 양단에 배치되는 소스 및 드레인 영역 및 상기 반도체 영역의 상부 및 하부에 배치되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 단위 소자를 적어도 2 이상 구비하는 집합체를 제공하는 단계; (b) 상기 단위 소자의 상기 소스 및 드레인 영역 사이에 순방향 전류가 흐르도록 전압을 인가하는 단계; 및(c) 상기 단위 소자의 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 각각 전압을 인가하여 상기 반도체 영역의 상부 및 하부의 전자 및 홀의 분포 상태를 각각 변경시키는 단계를 포함하되,상기 적어도 2 이상의 단위 소자는 바로 이웃한 단위 소자와 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극을 공유하도록 배열되어 집합체를 형성하는 반도체 장치의 구동 방법
20 20
제19 항에 있어서, 상기 (c) 단계는 상기 반도체 영역의 상부 및 하부 사이에서 상기 전자 및 상기 홀의 터널링을 발생시키고, 상기 터널링에 의한 상기 전자 및 상기 홀의 재결합에 의해 빛을 방출시키는 단계를 포함하는 반도체 장치의 구동 방법
21 21
제20 항에 있어서,상기 반도체 영역에서 방출된 빛은 표면 플라즈몬(surface plasmon) 현상에 의하여, 상기 제1 전극 및 상기 제1 절연체 사이의 계면 또는 상기 제2 전극 및 상기 제2 절연체 사이의 계면을 따라 진행하여 외부로 방출되는 반도체 장치의 구동 방법
22 22
제19 항에 있어서,(d) 상기 적어도 2 이상의 단위 소자의 소스 및 드레인 영역에 인접하도록 거울들을 배치하여, 상기 반도체 영역에서 방출된 빛을 상기 거울들 사이에서 왕복시키는 단계를 더 포함하는 반도체 장치의 구동 방법
23 23
제19 항에 있어서,상기 (c) 단계는 상기 제1 전압 또는 상기 제2 전압을 각각 조절하여, 상기 반도체 영역으로부터 방출되는 빛의 양을 조절하는 반도체 장치의 구동 방법
24 24
(a) 반도체 영역, 상기 반도체 영역의 좌우 양단에 배치되는 소스 및 드레인 영역 및 상기 반도체 영역의 상부 및 하부에 배치되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 단위 소자를 적어도 2 이상 구비하는 집합체를 제공하는 단계; (b) 상기 단위 소자에 빛을 입사시켜 상기 반도체 영역에서 전자 및 홀의 쌍을 생성시키는 단계를 포함하되,상기 적어도 2 이상의 단위 소자는 바로 이웃한 단위 소자와 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극을 공유하도록 배열되어 집합체를 형성하는 반도체 장치의 구동 방법
25 25
제24 항에 있어서,(c) 상기 단위 소자의 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극이 각각 전압을 인가하여 상기 반도체 영역의 상부 및 하부에 전계를 형성하는 단계를 더 포함하는 반도체 장치의 구동 방법
26 26
제25 항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 의해 인가되는 전압의 크기를 조절하여, 상기 반도체 영역에서 발생한 전자 또는 홀의 이동을 조절하는 단계를 더 포함하는 반도체 장치의 구동 방법
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1 KR100971716 KR 대한민국 FAMILY
2 US20110050121 US 미국 FAMILY
3 WO2009091176 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
4 WO2009091176 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 US2011050121 US 미국 DOCDBFAMILY
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