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모스 버랙터 제조방법

  • 기술번호 : KST2015131752
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 밀리미터 웨이브 대역의 회로 및 소자를 위한 MOS 버랙터로서, 기판의 웰 영역에 섬 모양으로 안착된 복수의 게이트 및 상기 게이트 위의 게이트컨택을 이용하여 시리즈 저항을 줄이고 Q-인자를 개선시킨 MOS 버랙터 및 이의 제조방법에 관한 것이다.구체적으로 본 발명은 기판의 웰 영역에서 (n×m)의 행렬(단, n, m은 각각 1보다 큰 정수)로 등 간격 배열되는 섬 모양 게이트절연막 및 상기 게이트절연막 상부에 놓인 제 1 높이(t1)의 게이트전극; 상기 게이트전극에 접촉된 게이트컨택; 상기 게이트컨택과 전기적으로 연결된 제 2 높이(t2, 단 t1003c#t2)의 제 1 금속배선; 상기 게이트전극을 중심에 둔 정사각형의 꼭지점을 이루도록 (n+1)×(m+1)의 행렬로 등 간격 배열되어 상기 게이트절연막의 하단을 제외한 도핑영역에 접촉되는 소스 및 드레인컨택; 및 상기 소스 및 드레인컨택과 전기적으로 연결된 제 3 높이(t3, 단 t2003c#t3)의 제 2 금속배선을 포함하는 MOS 버랙터 및 이의 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 29/93 (2006.01) H01L 29/94 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020090026678 (2009.03.27)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1246348-0000 (2013.03.15)
공개번호/일자 10-2010-0108147 (2010.10.06) 문서열기
공고번호/일자 (20130325) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020110075107;
심사청구여부/일자 Y (2009.03.27)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재성 대한민국 서울특별시 마포구
2 오용호 대한민국 인천광역시 부평구
3 김수연 대한민국 대구광역시 북구
4 이승용 대한민국 부산광역시 해운대구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전종학 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, 성지*차빌딩 **층 대표:****호 경은국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0187683-51
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0519468-55
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.01.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0037560-74
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0037580-87
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0356088-19
8 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2011.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0584725-96
9 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2013.01.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2013-0002584-14
10 등록결정서
Decision to grant		 2013.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0055064-77
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판에 웰 영역을 형성하고, 상기 웰 영역에서 (n×m)의 행렬(단, n, m은 각각 1보다 큰 정수)을 이루도록 복수의 게이트절연막 및 상기 게이트절연막 상부의 게이트전극을 등 간격의 섬 모양으로 구현하는 단계; (b) 상기 게이트절연막 하단을 제외한 상기 기판에 도핑영역을 형성하고, 상기 게이트전극을 덮는 제 1 절연층을 증착하는 단계; (c) 상기 게이트전극에 연결된 제 1 컨택홀, (n+1)×(m+1)의 행렬로 등 간격 배열되어 상기 게이트전극을 중심에 둔 정사각형의 꼭지점을 이루도록 상기 도핑영역에 연결된 제 2 컨택홀을 각각 상기 제 1 절연층에 관통 형성하는 단계; (d) 상기 제 1 컨택홀에 충진된 게이트컨택, 상기 제 2 컨택홀에 충진된 제 1 소스 및 드레인컨택, 상기 제 1 절연층 위에서 상기 게이트컨택을 연결하는 제 1 금속배선을 형성하는 단계; (e) 상기 제 1 금속배선을 덮는 제 2 절연층을 증착하는 단계; (f) 상기 제 1 소스 및 드레인컨택에 연결되는 제 3 컨택홀을 상기 제 2 절연층에 관통 형성하는 단계; 및 (g) 상기 제 3 컨택홀에 충진된 제 2 소스 및 드레인컨택, 상기 제 2 절연층 위에서 제 2 소스 및 드레인컨택을 연결하는 제 2 금속배선을 형성하는 단계를 포함하는 MOS 버랙터 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 (d) 단계는, 상기 (c) 단계 후 (d1) 상기 게이트컨택과 상기 제 1 소스 및 드레인컨택을 형성하는 단계; 및 상기 (d1) 단계 후 (d2) 상기 제 1 금속배선을 형성하는 단계로 구분되는 MOS 버랙터 제조방법
3 3
청구항 2에 있어서,상기 (d2) 단계는, 상기 제 1 절연층 위에서 상기 제 1 소스 및 드레인컨택과 상기 제 2 소스 및 드레인컨택을 연결하는 플러그를 상기 제 1 금속배선과 동일재질로 형성하는 단계를 더 포함하는 MOS 버랙터 제조방법
4 4
청구항 3에 있어서,상기 (d1) 단계 후 상기 (d2) 단계 전, 상기 제 1 절연층 위에 층간절연층을 증착하고, 상기 제 1 금속배선과 상기 플러그를 위한 제 1 다마신홀을 관통 형성하는 단계를 더 포함하는 MOS 버랙터 제조방법
5 5
청구항 4에 있어서,상기 제 1 금속배선은 구리(Cu)인 MOS 버랙터 제조방법
6 6
청구항 1에 있어서,상기 (g) 단계는, 상기 (f) 단계 후 (g1) 상기 제 2 소스 및 드레인컨택을 형성하는 단계; 및상기 (g1) 단계 후 (g2) 상기 제 2 금속배선을 형성하는 단계로 구분되는 MOS 버랙터 제조방법
7 7
청구항 6에 있어서,상기 (g1) 단계 후 상기 (g2) 단계 전, 상기 제 2 절연층 위에 제 3 절연층을 증착하고, 상기 제 2 금속배선을 위한 제 2 다마신홀을 관통 형성하는 단계를 더 포함하는 MOS 버랙터 제조방법
8 8
청구항 7에 있어서,상기 제 2 금속배선은 구리(Cu)인 MOS 버랙터 제조방법
9 9
청구항 1에 있어서,상기 게이트전극은 정사각형을 포함하는 다각형 또는 원형이고, 폴리실리콘, 실리사이드된 폴리실리콘, 금속 중 하나로 이루어진 MOS 버랙터 제조방법
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3 US20100244113 US 미국 FAMILY

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2 US7989868 US 미국 DOCDBFAMILY
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