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온 웨이퍼 인덕터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015134004
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 MOS, Si/SiGe, HBT, 바이폴라/CMOS 공정을 통해 실리콘 웨이퍼의 배선영역에 마련되어 고주파 영역에서 동작하는 온 웨이퍼 인덕터로서, 저 유전율 절연체를 이용하여 Q-인자와 자기공명주파수 특성을 향상시킨 온 웨이퍼 인덕터 및 그 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로 본 발명은 복층의 절연막 및 상기 절연막에 매립된 배선을 포함하는 배선영역을 제공하는 실리콘 웨이퍼; 상기 복층의 절연막을 관통하여 상기 실리콘 웨이퍼에 도달하는 다마신홀; 상기 다마신홀의 내면을 따라 형성된 장벽층; 상기 장벽층 내부로 충진된 저 유전율 절연체; 및 상기 다마신홀 상면으로 노출되도록 상기 저 유전율 절연체에 이격 삽입된 한 쌍의 인덕터 전극을 포함하는 온 웨이퍼 인덕터 및 이의 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 27/04 (2006.01)
CPC H01L 23/5227(2013.01) H01L 23/5227(2013.01) H01L 23/5227(2013.01) H01L 23/5227(2013.01)
출원번호/일자 1020090016053 (2009.02.25)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1057922-0000 (2011.08.11)
공개번호/일자 10-2010-0096944 (2010.09.02) 문서열기
공고번호/일자 (20110819) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.25)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재성 대한민국 서울특별시 마포구
2 오용호 대한민국 인천광역시 부평구
3 김수연 대한민국 대구광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전종학 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, 성지*차빌딩 **층 대표:****호 경은국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2009-0118250-00
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.10.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0063252-90
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0491126-11
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.12.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0865382-52
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0865387-80
9 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0293965-35
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복층의 절연막 및 상기 절연막에 매립된 배선을 포함하는 배선영역을 제공하는 실리콘 웨이퍼; 상기 복층의 절연막을 관통하여 상기 실리콘 웨이퍼에 도달하는 다마신홀; 상기 다마신홀의 내면을 따라 형성된 장벽층; 상기 장벽층 내부로 충진된 저 유전율 절연체; 및 상기 다마신홀 상면으로 노출되도록 상기 저 유전율 절연체에 이격 삽입된 한 쌍의 인덕터 전극을 포함하는 온 웨이퍼 인덕터
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 장벽층은, W, Ta 또는 Ti를 포함하는 금속이나 금속 합금 중 선택된 하나 또는 Si를 포함하는 절연물질 중 선택된 하나로 이루어지는 온 웨이퍼 인덕터
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 저 유전율 절연체는, SiO2 보다 유전율이 낮은 온 웨이퍼 인덕터
4 4
청구항 3에 있어서, 상기 저 유전율 절연체는, C, F 또는 기포 중 적어도 하나를 함유한 온 웨이퍼 인덕터
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 배선영역의 최상층에 마련되며 상기 인덕터 전극과 동일재질로 이루어진 복수의 배선전극을 더 포함하는 온 웨이퍼 인덕터
6 6
(a) 반도체 구조물을 포함하는 소자영역과 복층의 절연막 및 상기 절연막에 매립된 배선을 포함하는 배선영역이 구분 형성된 실리콘 웨이퍼를 준비하는 단계; (b) 상기 배선영역에서 상기 복층의 절연막을 통해 상기 실리콘 웨이퍼에 도달하는 다마신홀을 관통 형성하는 단계; (c) 상기 다마신홀의 내면을 따라 장벽층을 증착하는 단계; (d) 상기 장벽층 내부로 저 유전율 절연체를 충진시키는 단계; 및 (e) 상기 저 유전율 절연체의 상면으로부터 이격 삽입되는 한 쌍의 인덕터 전극과 상기 배선영역의 최상층에 구비되어 상기 배선에 전기적으로 연결되는 배선전극을 형성하는 단계를 포함하는 온 웨이퍼 인덕터 제조방법
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 (d) 단계 후 상기 (e) 단계 전, 상기 저 유전율 절연체를 치밀화하기 위한 고온 어닐링 단계를 더 포함하는 온 웨이퍼 인덕터 제조방법
8 8
청구항 6에 있어서, 상기 (d) 단계 후 상기 (e) 단계 전, 상기 다마신홀 이외의 상기 배선영역에 존재하는 장벽층 및 저 유전율 절연체를 제거하는 화학기계연마(CMP)의 평탄화 단계를 더 포함하는 온 웨이퍼 인덕터 제조방법
9 9
청구항 6에 있어서, 상기 (b) 단계의 상기 다마신홀은 포토리소그라피 및 식각을 통해 관통 형성되고, 상기 (c) 단계의 상기 장벽층은 Ta나 Ti를 포함하는 금속 또는 금속 합금이나 Si를 포함하는 절연물질 중 선택된 하나의 화학기상증착 또는 도금으로 증착되며, 상기 (d) 단계의 상기 저 유전율 절연체는 C, F 또는 기포 중 적어도 하나를 함유하여 SiO2 보다 유전율이 낮은 절연물질의 스핀도포 또는 화학기상증착으로 충진되는 온 웨이퍼 인덕터 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.