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핵산으로 코팅된 탄소 나노 튜브를 포함하는 전계 전자 방출원 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015133679
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  • 전화번호 :
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 핵산을 포함하는 탄소 나노 튜브를 포함하는 전계 전자 방출원 및 이의 제조 방법이 개시된다.　　 상기 방법은 간편하게 탄소 나노 튜브를 포함하는 전계 전자 방출원을 제조할 수 있는 방법이다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020090005568 (2009.01.22)
출원인 삼성전자주식회사, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1533048-0000 (2015.06.25)
공개번호/일자 10-2010-0086284 (2010.07.30) 문서열기
공고번호/일자 (20150701) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.26)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손윤철 대한민국 경기도 화성
2 김용철 대한민국 서울특별시 서초구
3 허정나 대한민국 경기도 용인시 기흥구
4 주병권 대한민국 서울특별시 종로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2009-0043698-03
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2013.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-1192146-24
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.09.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.10.14 수리 (Accepted) 9-1-2014-0078413-33
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.12.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0861797-98
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.02.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0164730-23
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0164729-87
13 등록결정서
Decision to grant		 2015.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0207522-22
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 탄소 나노 튜브를 포함하는 박막층을 포함하며, 상기 박막층이 핵산을 포함하는 전계 전자 방출원으로서,상기 탄소 나노 튜브 박막층과 기판 사이의 계면에 존재하는 탄소 나노 튜브에만 핵산이 피복되는 전계 전자 방출원
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 핵산이 핵산 및 탄소 나노 튜브 사이의 π-π 스태킹에 의하여 탄소 나노 튜브 표면에 피복되는 전계 전자 방출원
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 기판이 전도성 투명 기판인 전계 전자 방출원
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 인듐 틴 옥사이드 (indium tin oxide: ITO), 알루미늄 도핑된 산화 아연(aluminium doped zinc oxide), 아연 도핑된 산화 인듐(zinc doped indium oxide) 및 갈륨 인듐 옥사이드 (gallium indium oxide)로 이루어진 군으로 부터 선택되는 전극인 전계 전자 방출원
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 핵산은 DNA, RNA, 또는 PNA (pentose nucleic acid)인 전계 전자 방출원
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 핵산은 단일가닥 또는 이중가닥 핵산인 전계 전자 방출원
8 8
삭제
9 9
제 1 항 및 제 3 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 전계 전자 방출원을 포함하는 전계 전자 방출 소자
10 10
기판 상에 탄소 나노 튜브 수분산액을 코팅하는 단계; 및 상기 코팅된 탄소 나노 튜브 수분산액을 건조시키는 단계;를 포함하며, 상기 탄소 나노 튜브 수분산액이 탄소 나노 튜브 및 핵산을 포함하는 전계 전자 방출원 제조 방법으로서,상기 탄소 나노 튜브 수분산액은 용매에 핵산 및 탄소 나노 튜브를 첨가하는 단계; 및 상기 핵산 및 탄소 나노 튜브가 첨가된 용액을 초음파 처리하는 단계;를 포함하며,상기 탄소 나노 튜브 및 핵산은 1:1 내지 10:1의 중량비로 혼합되어 첨가되는 전계 전자 방출원 제조 방법
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 탄소 나노 튜브 수분산액에서 분산된 탄소 나노 튜브의 일부가 핵산으로 피복된 전계 전자 방출원 제조 방법
12 12
제 10 항에 있어서, 상기 기판이 전도성 투명 기판인 전계 전자 방출원 제조 방법
13 13
제 10 항에 있어서, 상기 기판은 ITO, 알루미늄 도핑된 산화아연(aluminium doped zinc oxide), 아연 도핑된 산화 인듐(zinc doped indium oxide) 및 갈륨 인듐 옥사이드 (gallium indium oxide)로 이루어진 군으로 부터 선택되는 전계 전자 방출원 제조 방법
14 14
제 10 항에 있어서, 상기 핵산은 DNA, RNA, 또는 PNA인 전계 전자 방출원 제조 방법
15 15
제 10 항에 있어서, 상기 핵산은 단일가닥 또는 이중가닥 핵산인 전계 전자 방출원 제조 방법
16 16
삭제
17 17
삭제
18 18
제 10 항에 있어서, 상기 건조 단계 후에, 건조된 탄소 나노 튜브 코팅층을 활성화하는 단계를 더 포함하는 전계 전자 방출원 제조 방법
19 19
제 18 항에 있어서, 상기 활성화 단계가 에칭 공정에 의하여 상기 탄소 나노 튜브와 기판 사이의 접착부의 핵산만 남기고 접착부 이외의 탄소 나노 튜브를 코팅하는 핵산은 제거하는 단계인 전계 전자 방출원 제조 방법
20 20
제 18 항에 있어서, 상기 활성화 단계가 테이핑 공정인 전계 전자 방출원 제조 방법
21 21
제 10 항에 있어서, 상기 탄소 나노 튜브 수분산액을 기판 상에 코팅하기 전에, 상기 탄소 나노 튜브 수분산액으로부터 핵산으로 피복된 탄소 나노 튜브만을 분리하는 단계를 추가로 포함하는 전계 전자 방출원 제조 방법
22 22
제 21 항에 있어서, 핵산으로 피복된 탄소 나노 튜브의 분리가 원심분리, 침전, 건조에 의하여 수행되는 전계 전자 방출원 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08314539 US 미국 FAMILY
2 US20100181894 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2010181894 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8314539 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.