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비휘발성 메모리 소자의 프로그램 방법

  • 기술번호 : KST2015132293
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비휘발성 메모리 소자의 프로그램 방법을 공개한다. 본 발명은 PN 접합에 있어서, 인가되는 역방향 바이어스 전압의 작은 변화에도 큰 전류의 변화가 발생하는 항복 전압 부근의 바이어스 전압을 게이트-드레인(또는 소오스) 접합에 인가하여 게이트로부터 드레인 영역으로 유입되는 고속의 전하들 중 전하 포획층으로 유입된 일부 전하들을 포획하여 프로그램을 수행함으로써, 종래의 프로그램 방식보다 저전력으로 고속의 프로그램을 수행할 수 있다. 특히, 본 발명은 항복 전압 부근의 바이어스 전압을 프로그램 전압으로 이용하므로, 바이어스 전압의 소량 증가만으로도 전하 포획층으로 유입되는 전하의 양을 크게 증가시킬 수 있다. 따라서, 드레인(또는 소오스) 영역에 인가되는 프로그램 전압을 크게 증가시키지 않고서도 전하 포획층으로 유입되는 전하량을 조절함으로써 고속의 멀티 레벨 프로그램이 가능하다. 또한, 본 발명은 드레인 영역에 인접한 전하 포획층 및 소오스 영역에 인접한 전하 포획층에 각각 국소적으로 전하를 주입함으로써 멀티 비트 프로그램이 가능하다.
Int. CL G11C 16/12 (2006.01) G11C 16/34 (2006.01) G11C 16/30 (2006.01)
CPC G11C 16/12(2013.01) G11C 16/12(2013.01) G11C 16/12(2013.01) G11C 16/12(2013.01) G11C 16/12(2013.01)
출원번호/일자 1020090116586 (2009.11.30)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1011670-0000 (2011.01.24)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20110128) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.30)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 안호명 대한민국 서울시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인주원 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0735485-72
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
3 등록결정서
Decision to grant		 2011.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0039943-40
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전하를 포획하여 프로그램되는 전하 포획층이 포함된 반도체층이 기판위에 형성되고, 상기 반도체층의 양 옆에 소오스 영역 및 드레인 영역이 형성된 비휘발성 메모리 소자에 프로그램을 수행하는 방법으로서, (a) 드레인 영역 또는 소오스 영역 중 선택된 어느 하나의 영역(선택영역)과 기판 간에, 상기 선택 영역과 기판간의 항복 전압 이상의 역방향 바이어스 전압을 인가하는 단계; 및 (b) 상기 선택 영역과 상기 기판간의 접합면에서 발생된 고온 전하를 상기 전하 포획층으로 유입시켜 프로그램을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 전하 포획층에 포획된 전하의 양이 많을수록 상위 프로그램 레벨로 정의할 때, 상기 (a) 단계에서, 상기 선택 영역과 상기 기판간에 인가되는 역방향 바이어스 전압을 일정한 전위차만큼씩 증가시켜, 상기 전하 포획층에 유입되어 포획되는 전하량을 조절함으로써, 복수의 레벨을 프로그램하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 (a) 단계에서 증가되는 일정한 전위차는 0
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 (a) 단계에서, 상기 선택 영역과 상기 기판간에 인가되는 역방향 바이어스 전압을 0
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 프로그램 시간 동안 게이트 전극은 접지되고, 상기 소오스 및 드레인 중 선택되지 않은 영역은 플로팅되는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 p 타입, 상기 소오스 및 드레인 영역은 n 타입인 것을 특징으로 하는 프로그램 방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 기판에는 음의 전압을 인가하고, 상기 선택 영역은 양의 전압을 인가하여 역방향 바이어스를 인가하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.