요약 | 프린징 효과 및 정전차폐 기능을 이용하는 플래시 메모리가 개시된다. 인접한 게이트 스택 사이의 이격 공간은 프린징 효과에 의해 제어되며, 각각의 게이트 스택에서의 동작은 터널링 절연막까지 신장되어 형성된 게이트 전극에 의해 정전차폐된다. 따라서, 정전차폐를 통해 인접한 게이트 스택의 간섭현상은 최소화된다. |
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Int. CL | H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01) |
CPC | H01L 27/11568(2013.01) H01L 27/11568(2013.01) H01L 27/11568(2013.01) H01L 27/11568(2013.01) H01L 27/11568(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020100125142 (2010.12.08) |
출원인 | 한양대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1152446-0000 (2012.05.25) |
공개번호/일자 | |
공고번호/일자 | (20120601) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2010.12.08) |
심사청구항수 | 7 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 김태환 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
2 | 김성호 | 중국 | 서울특별시 동대문구 |
3 | 유주형 | 대한민국 | 서울특별시 강서구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인이상 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 | 서울특별시 강남구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.12.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0809633-15 |
2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2011.07.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2011.08.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0067253-63 |
4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.11.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0696153-75 |
5 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.01.20 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0054008-71 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.01.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0053997-11 |
7 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.04.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0246917-08 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 기판 상에 형성된 터널링 절연막;상기 터널링 절연막 상에 형성된 제1 게이트 스택; 및상기 제1 게이트 스택과 게이트간 절연막을 통해 이격되고, 상기 터널링 절연막 상에 형성된 제2 게이트 스택을 포함하고,상기 제1 게이트 스택 및 상기 제2 게이트 스택은 상기 터널링 절연막 상부까지 신장된 각각의 게이트 전극을 가지는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 |
2 |
2 제1항에 있어서, 상기 제1 게이트 스택은,상기 터널링 절연막 상에 형성된 제1 전하 트랩층;상기 제1 전하 트랩층의 측면과 상면을 감싸면서 형성된 제1 블로킹 절연막; 및상기 제1 블로킹 절연막의 측면과 상면을 감싸면서 형성된 제1 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 |
3 |
3 제2항에 있어서, 상기 제1 게이트 전극은 상기 제1 전하 트랩층의 측면까지 신장되고, 상기 제1 전하 트랩층을 차폐하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 |
4 |
4 제2항에 있어서, 상기 제1 게이트 전극은 프린징 효과를 이용하여 상기 제1 게이트 스택과 상기 제2 게이트 스택 사이의 이격공간에서의 채널영역을 제어하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 |
5 |
5 제1항에 있어서, 상기 제2 게이트 스택은,상기 터널링 절연막 상에 형성된 제2 전하 트랩층;상기 제2 전하 트랩층의 측면과 상면을 감싸면서 형성된 제2 블로킹 절연막; 및상기 제2 블로킹 절연막의 측면과 상면을 감싸면서 형성된 제2 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 |
6 |
6 제5항에 있어서, 상기 제2 게이트 전극은 상기 제2 전하 트랩층의 측면까지 신장되고, 상기 제2 전하 트랩층을 차폐하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 |
7 |
7 기판 상에 형성된 터널링 절연막;상기 터널링 절연막 상에 형성된 제1 게이트 스택; 및상기 터널링 절연막 상에 형성되고, 상기 제1 게이트 스택과 인접한 제2 게이트 스택을 포함하고,상기 제1 게이트 스택 및 제2 게이트 스택 사이의 이격공간의 채널 영역은 프린징 효과에 의해 제어되고, 각각의 상기 게이트 스택은 정전차폐에 의해 상호간의 간섭이 배제되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 |
지정국 정보가 없습니다 |
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순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US09202933 | US | 미국 | FAMILY |
2 | US20130256782 | US | 미국 | FAMILY |
3 | WO2012077951 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
4 | WO2012077951 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US2013256782 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
2 | US9202933 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
3 | WO2012077951 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
4 | WO2012077951 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 교육과학기술부 | 한양대학교 산학협력단 | 기초연구사업(중견연구자지원사업) | 복합형 나노 양자 구조를 이용한 차세대 비휘발성 메모리 소자 및 발광 소자를 위한 나노 물리, 나노 소재 및 소자에 대한 연구 |
공개전문 정보가 없습니다 |
---|
특허 등록번호 | 10-1152446-0000 |
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표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20101208 출원 번호 : 1020100125142 공고 연월일 : 20120601 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120427 청구범위의 항수 : 7 유별 : H01L 27/115 발명의 명칭 : 프린징 효과 및 정전차폐를 이용하는 플래시 메모리 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 한양대학교 산학협력단 서울 성동구... |
2 |
(권리자) 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구... |
2 |
(의무자) 한양대학교 산학협력단 서울 성동구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 159,000 원 | 2012년 05월 25일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 194,000 원 | 2015년 03월 31일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 135,800 원 | 2016년 04월 27일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 160,240 원 | 2017년 11월 02일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 199,470 원 | 2018년 08월 27일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 183,000 원 | 2019년 04월 25일 | 납입 |
제 9 년분 | 금 액 | 183,000 원 | 2020년 04월 23일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
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1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.12.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0809633-15 |
2 | 선행기술조사의뢰서 | 2011.07.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 | 2011.08.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0067253-63 |
4 | 의견제출통지서 | 2011.11.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0696153-75 |
5 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.01.20 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0054008-71 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.01.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0053997-11 |
7 | 등록결정서 | 2012.04.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0246917-08 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
기술번호 | KST2014039608 |
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자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 한양대학교 |
기술명 | 프린징 효과 및 정전차폐를 이용하는 플래시 메모리 |
기술개요 |
프린징 효과 및 정전차폐 기능을 이용하는 플래시 메모리가 개시된다. 인접한 게이트 스택 사이의 이격 공간은 프린징 효과에 의해 제어되며, 각각의 게이트 스택에서의 동작은 터널링 절연막까지 신장되어 형성된 게이트 전극에 의해 정전차폐된다. 따라서, 정전차폐를 통해 인접한 게이트 스택의 간섭현상은 최소화된다. |
개발상태 | 기술개발진행중 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | 반도체 소자 |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1345099944 |
---|---|
세부과제번호 | 2007-0056638 |
연구과제명 | 복합형나노양자구조를이용한차세대비휘발성메모리소자및발광소자를위한나노물리,나노소재및소자에대한연구 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 한양대학교 |
성과제출연도 | 2009 |
연구기간 | 200707~201206 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345121980 |
---|---|
세부과제번호 | 2007-0056638 |
연구과제명 | 복합형 나노 양자 구조를 이용한 차세대 비휘발성 메모리 소자 및 발광 소자를 위한 나노 물리, 나노 소재 및 소자에 대한 연구 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 한양대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200707~201206 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
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