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저항변화 메모리 소자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014042306
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 비휘발성 메모리 소자인 ReRAM 및 이의 제조방법이 개시된다. 인가되는 펄스에 따라 저항 상태의 변화를 수행하는 저항 변화층은 3 층의 산화막들의 적층구조를 가진다. 각각의 산화막들은 인접한 산화막과 동종의 산화막들로 구성되지만, 인접한 산화막들은 상화간에 서로 다른 산소의 조성비를 가진다. 저항 변화, ReRAM, 비휘발성 메모리
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01)
CPC H01L 45/08(2013.01) H01L 45/08(2013.01) H01L 45/08(2013.01) H01L 45/08(2013.01) H01L 45/08(2013.01) H01L 45/08(2013.01)
출원번호/일자 1020090037123 (2009.04.28)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1105981-0000 (2012.01.06)
공개번호/일자 10-2010-0118341 (2010.11.05) 문서열기
공고번호/일자 (20120118) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.04.28)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍진표 대한민국 서울특별시 성동구
2 도영호 대한민국 서울특별시 성동구
3 곽준식 대한민국 경기도 의왕시
4 배윤철 대한민국 경상남도 거제시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0258269-16
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0535940-70
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0054912-96
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.01.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0054933-44
5 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2011.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0169826-77
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0400422-08
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0400430-63
8 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0704932-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 상에 형성된 하부 전극; 상기 하부 전극 상에 형성되고, 순차적으로 적층된 제1 산화막, 제2 산화막 및 제3 산화막으로 구성되고, 상기 산화막들은 동종의 산화물로 구성되되, 인접한 산화막들 사이는 조성비를 달리하여 형성된 저항 변화층; 및 상기 저항 변화층 상에 형성된 상부 전극을 포함하고, 상기 제1 산화막 및 상기 제3 산화막은 산소의 조성비를 만족하는 화학양론층으로 구성되고, 상기 제2 산화막은 산소의 조성비가 상기 제1 산화막 및 상기 제3 산화막에 비해 부족한 비화학양론층인 것을 특징으로 하는 ReRAM 소자
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 산화막 및 제3 산화막은 TiO2, MgO, NiO, ZnO 또는 HfO2이고, 상기 제2 산화막은 TiO2-x(x는 0
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제3항에 있어서, 상기 저항 변화층을 구성하는 상기 제1 산화막, 제2 산화막 및 제3 산화막의 두께를 서로 다르게 하는 것을 특징으로 하는 ReRAM 소자
7 7
삭제
8 8
기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계; 상기 하부 전극 상에 제1 산화막을 형성하는 단계; 상기 제1 산화막 상에 상기 제1 산화막과 동종이되, 상기 제1 산화막보다 낮은 산소의 조성비를 가지는 제2 산화막을 형성하는 단계; 상기 제2 산화막 상에 상기 제2 산화막과 동종이되, 상기 제2 산화막보다 높은 산소의 조성비를 가지는 제3 산화막을 형성하는 단계; 및 상기 제3 산화막 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 ReRAM 소자의 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 제1 산화막 및 상기 제3 산화막은 TiO2, MgO, NiO, ZnO 또는 HfO2이고, 상기 제2 산화막은 TiO2-x(x는 0
10 10
제8항에 있어서, 상기 제3 산화막을 형성하는 단계 이후에, 상기 기판에 대해 열처리를 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 ReRAM 소자의 제조방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 열처리는 100℃ 내지 1000℃에서 수행하는 것을 특징으로 하는 ReRAM 소자의 제조방법
12 12
제10항에 있어서, 상기 열처리는 100 Torr 내지 500 Torr의 질소 분압 또는 산소 분압이 인가되는 가스 분위기 또는 진공 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 ReRAM 소자의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08749023 US 미국 FAMILY
2 US20120049147 US 미국 FAMILY
3 WO2010126232 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
4 WO2010126232 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2012049147 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8749023 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2010126232 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
4 WO2010126232 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업자원부 한양대학교 산학협력단 산업기술개발사업 고신뢰성 Binary oxide 소자 개발