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분리된 게이트를 가지는 2비트 멀티레벨 플래시 메모리

  • 기술번호 : KST2014043279
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 하나의 셀에 2비트의 데이터를 저장할 수 있는 플래시 메모리가 개시된다. 핀 형상의 기판 상에 2개의 게이트 구조물이 형성되며, 형성된 게이트 구조물들 사이는 고유전율의 게이트 분리막이 개재된다. 개재된 게이트 분리막은 게이트 구조물들을 서로 전기적으로 절연한다. 따라서, 게이트들이 서로 전기적 영향을 미치는 커플링 현상은 방지된다. 또한, 고유전율의 게이트 분리막에 의해 백터널링 효과는 저감된다. 아울러 핀 구조로 인해 짧은 소스 및 드레인 사이의 이격거리에서도 충분한 채널 길이를 확보할 수 있다. 플래시 메모리, 핀 트랜지스터, 비휘발성 메모리
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01)
CPC H01L 27/11568(2013.01) H01L 27/11568(2013.01) H01L 27/11568(2013.01)
출원번호/일자 1020080071483 (2008.07.23)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0976064-0000 (2010.08.10)
공개번호/일자 10-2010-0010567 (2010.02.02) 문서열기
공고번호/일자 (20100816) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.14)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울특별시 마포구
2 곽계달 대한민국 서울 종로구
3 박상수 대한민국 광주광역시 북구
4 오세웅 대한민국 경기도 안양시 만안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0527940-32
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2008.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0582202-90
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.04.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0028012-84
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0224930-18
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.07.07 수리 (Accepted) 1-1-2010-0437708-71
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.07.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0437703-43
8 등록결정서
Decision to grant		 2010.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0329158-50
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
표면으로부터 매몰된 핀 영역을 구비하는 기판; 상기 기판의 상기 핀 영역을 매립하는 2개의 게이트 구조물들; 상기 게이트 구조물의 일측면에 형성된 소스 영역; 상기 게이트 구조물을 중심으로 상기 소스 영역과 대향하는 드레인 영역; 및 상기 2개의 게이트 구조물들 사이에 배치되어, 상기 2개의 게이트 구조물을 전기적으로 분리하는 게이트 분리막을 포함하고, 상기 게이트 구조물들은 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이에 순차적으로 배치되고, 상기 각각의 게이트 구조물들은 상기 핀 영역의 폭 방향으로 나란히 배치되는 플래시 메모리
2 2
제1항에 있어서, 상기 게이트 분리막은 고유전율을 가지는 하프늄 산화물, 티타늄 산화물, 이트륨 산화물, 알루미늄 산화물, 탄탈륨 산화물 및 지르코늄 산화물로 구성된 그룹에서 선택되거나, 이들 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나에 질소 또는 실리콘의 첨가물이거나, 이들의 복합막인 것을 특징으로 하는 플래시 메모리
3 3
제1항에 있어서, 상기 게이트 구조물은, 상기 핀 영역 상에 형성된 터널링 산화막; 상기 터널링 산화막 상에 형성되고, 실리콘 질화물로 구성된 전하 트랩층; 상기 전하 트랩층 상에 형성된 블로킹 절연막; 및 상기 블로킹 절연막 상에 형성된 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리
4 4
제1항에 있어서, 상기 핀 영역은 상기 소스 영역 또는 상기 드레인 영역에 인접한 일측 부위가 타측 부위에 비해 높은 도핑 농도를 가지는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 한양대학교 국가지정연구실 복합형 나노 양자 구조를 이용한 차세대 비휘발성 메모리소자 및 발광 소자를 위한 나노 물리, 나노 소재 및 소자에대한 연구