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블록공중합체 자기조립기술을 이용한 저항 변화 메모리 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015114851
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 단극성 저항변화 메모리 소자로서, 하부전극; 상기 하부전극 상의 산화물층; 및 상기 산화물층 상의 상부전극을 포함하며, 하부전극 또는 상부전극과 상기 산화물층 사이의 계면에는 절연 나노구조가 적어도 하나 이상 형성된 것을 특징으로 하는 단극성 저항변화 메모리 소자가 제공된다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020120093023 (2012.08.24)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1381997-0000 (2014.03.31)
공개번호/일자 10-2014-0026073 (2014.03.05) 문서열기
공고번호/일자 (20140404) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.08.24)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이건재 대한민국 대전 유성구
2 정연식 대한민국 대전 유성구
3 유병국 대한민국 경기 안산시 상록구
4 박운익 대한민국 대전광역시 유성구
5 심동민 대한민국 대전광역시 유성구
6 김종민 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***, *층(삼성동,고운빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2012-0682716-96
2 보정요구서
Request for Amendment		 2012.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0110170-45
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0716049-82
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.07.29 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.08.26 수리 (Accepted) 9-1-2013-0070412-77
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.09.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0636604-49
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-1023035-46
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.11.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1023036-92
10 등록결정서
Decision to grant		 2014.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0219718-65
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
단극성 저항변화 메모리 소자 제조방법으로, 기판 상에 하부전극을 증착하는 단계;상기 하부전극 상에 산화물층을 증착하는 단계;블록공중합체가 코팅된 유연한 프린팅용 기판을 통하여 상기 산화물층 상에 상기 블록공중합체를 프린팅하는 단계;프린팅된 상기 블록공중합체를 자기정렬 후, 패터닝하여 절연 나노구조를 형성하는 단계; 및절연 나노구조가 형성된 상기 산화물층 상에 상부전극을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단극성 저항변화 메모리 소자 제조방법
2 2
단극성 저항변화 메모리 소자 제조방법으로, 기판 상에 하부전극을 증착하는 단계;블록공중합체가 코팅된 유연한 프린팅용 기판을 통하여 상기 하부전극 상에 상기 블록공중합체를 프린팅하는 단계;프린팅된 상기 블록공중합체를 자기정렬 후, 패터닝하여 절연 나노구조를 형성하는 단계; 및절연 나노구조가 형성된 상기 하부전극 상에 산화물층을 증착하는 단계; 및상기 산화물층 상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단극성 저항변화 메모리 소자 제조방법
3 3
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 절연 나노구조는 실리콘산화물 나노구조인 것을 특징으로 하는 단극성 저항변화 메모리 소자 제조방법
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10 10
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11 11
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12 12
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.