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플렉서블 메모리 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 메모리 소자
- 기술번호 : KST2015115338
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 플렉서블 메모리 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 메모리 소자가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 방법은 플렉서블 기판에 고성능 다결정 또는 단결정 실리콘 스위칭 소자를 제조하는 단계; 및 상기 제조된 스위칭 소자를 포함하는 메모리 소자를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따르면, 고성능 실리콘 소자를 스위칭으로 활용하여, 플렉서블한 형태의 다양한 메모리 소자를 제조할 수 있다. 특히 본 발명에 따르면 하나의 스위칭 소자와 하나의 메모리 구조를 통하여 메모리 어레이를 플렉서블 기판 상에 구현시킬 수 있으며, 더 나아가 RRAM, PRAM, DRAM,의 경우, 고성능 플렉서블 실리콘 트랜지스터가 비정형 TiO2(α-TiO2) 기반 쌍극자 저항 메모리, GST 상변화 메모리, ZrO2 캐패시터 메모리 요소등과 집적되어, 메모리의 논리 상태를 제어할 수 있다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8242 (2006.01) |
| CPC | H01L 27/115(2013.01) H01L 27/115(2013.01) H01L 27/115(2013.01) H01L 27/115(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020110088045 (2011.08.31) |
| 출원인 | 한국과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-1290003-0000 (2013.07.19) |
| 공개번호/일자 | 10-2013-0025010 (2013.03.11) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20130731) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2011.08.31) |
| 심사청구항수 | 12 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이건재 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 2 | 김승준 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인 다해 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 삼성로***, *층(삼성동,고운빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.08.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0681272-13 |
| 2 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.12.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0758724-13 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 4 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2013.02.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0128497-76 |
| 5 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.03.13 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0217883-52 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.03.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0217882-17 |
| 7 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.07.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0492569-05 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 플렉서블 메모리 소자 제조방법으로, 비정질 실리콘층 상에 제조된 플렉서블 메모리 소자를, 플라스틱 기판상에서 결정화시켜, 다결정 또는 단결정 실리콘층 기반 플렉서블 메모리 소자를 플라스틱기판 상에서 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 메모리 소자 제조방법 |
| 2 |
2 제 1항에 있어서, 상기 결정화는 레이저에 의하여 진행되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 메모리 소자 제조방법 |
| 3 |
3 제 1항에 있어서, 상기 플렉서블 메모리 소자는, 비정질 실리콘 기판에 제조된 후 전사되며, 상기 전사는, 상기 메모리 소자가 제조된 비정질 실리콘 기판을 수직 식각한 후, 비등방 식각하고, 이후, 상기 비정질 실리콘 기판으로부터 분리된 비정질 실리콘 멤브레인 층을 전사기판에 접착시킨 후, 상기 플라스틱 기판으로 전사시키는 방식으로 진행되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 메모리 소자 제조방법 |
| 4 |
4 플라스틱 기판상에 제조된 다결정 또는 단결정 실리콘층 기반 플렉서블 메모리 소자를 포함하며, 상기 다결정 또는 단결정 실리콘층은, 상기 플라스틱 기판 상에서 비정질 실리콘층이 결정화된 것을 특징으로 하는 플렉서블 메모리 소자 |
| 5 |
5 제 4항에 의해서, 상기 메모리 소자는 RRAM, DRAM 또는 PRAM인 것을 특징으로 하는 플렉서블 메모리 소자 |
| 6 |
6 제 5항에 있어서, 상기 메모리 소자는 다이오드 또는 소스-게이트-드레인 영역을 갖는 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 플렉서블 메모리 소자 |
| 7 |
7 비정질 실리콘 기판을 수직 식각한 후, 비등방 식각하는 단계;상기 비등방 식각에 따라 실리콘 기판으로부터 분리된 실리콘 멤브레인 층을 전사기판에 접착시킨 후, 플라스틱 기판으로 전사시키는 단계; 상기 실리콘 멤브레인층을 단결정 또는 다결정 실리콘층으로 결정화시키는 단계;상기 플라스틱 기판상의 실리콘 멤브레인층을 복수 개의 단위 소자 영역으로 아이솔레이션하는 단계;상기 단위 소자 영역 상에 게이트 절연층을 증착시키는 단계;상기 게이트 절연층에 소스 및 드레인 컨택을 형성시키는 단계;상기 게이트 절연층상에 금속을 적층하여, 소스-게이트-드레인 전극을 형성시켜 선택 트랜지스터를 제조하는 단계;상기 선택 트랜지스터의 드레인 영역 상에 하부 전극을 적층하는 단계;상기 선택 트랜지스터와 온-오프 요소를 집적화하는 단계;상기 집적화된 복수 개의 트랜지스터와 온-오프 요소를 상호연결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 메모리 제조방법 |
| 8 |
8 비정질 실리콘 기판을 수직 식각한 후, 비등방 식각하는 단계;상기 비등방 식각에 따라 실리콘 기판으로부터 분리된 실리콘 멤브레인 층을 전사기판에 접착시킨 후, 플라스틱 기판으로 전사시키는 단계; 상기 실리콘 멤브레인층을 단결정 또는 다결정 실리콘층으로 결정화시키는 단계;상기 플라스틱 기판 상의 실리콘 멤브레인층을 복수 개의 단위 소자 영역으로 아이솔레이션하는 단계;상기 단위 소자 영역 상에 게이트 절연층을 증착시키는 단계;상기 게이트 절연층에 소스 및 드레인 컨택을 형성시키는 단계;상기 게이트 절연층상에 금속을 적층하여, 소스-게이트-드레인 전극을 형성시켜 스위칭 트랜지스터를 제조하는 단계;상기 스위칭 트랜지스터의 드레인 영역 상에 하부 전극을 적층하는 단계;상기 하부 전극 상에 메모리층을 적층하는 단계;상기 메모리층상에 상부 전극을 적층하는 단계; 상기 복수 개의 단위 소자 영역의 상부 전극을 비트 라인으로 연결하는 단계;상기 복수 개의 단위 소자 영역의 소스 전극을 소스 라인으로 연결하는 단계; 및상기 복수 개의 단위 소자 영역의 게이트 전극을 워드 라인으로 연결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 메모리 소자 제조방법 |
| 9 |
9 제 8항에 있어서, 상기 실리콘 멤브레인 층은 실리콘 기판으로부터 접착층이 도포된 플라스틱 기판으로 전사되며, 상기 전사는, 상기 실리콘 기판을 수직 식각한 후, 비등방 식각하는 단계; 및 상기 실리콘 기판으로부터 분리된 실리콘 멤브레인 층을 전사기판에 접착시킨 후, 상기 플렉서블 기판으로 전사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 메모리 제조방법 |
| 10 |
10 제 9항에 있어서,상기 비트 라인, 소스 라인 및 워드 라인의 층간에는 절연층이 적층된 것을 특징으로 하는 플렉서블 메모리 소자 제조방법 |
| 11 |
11 제 10항에 있어서,상기 하부 및 상부 전극은 Al이며, 상기 메모리층은 가변저항층으로, 비정질 티타늄산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 메모리 소자 제조방법 |
| 12 |
12 제 8항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조된 플렉서블 메모리 소자로서, 상기 플렉서블 메모리 소자는 플렉서블 RRAM인 것을 특징으로 하는 플렉서블 메모리 소자 |
| 13 |
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| 15 |
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| 17 |
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| 18 |
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| 19 |
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| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | KR101202506 | KR | 대한민국 | FAMILY |
| 2 | KR1020120095782 | KR | 대한민국 | FAMILY |
| 3 | KR1020160150282 | KR | 대한민국 | FAMILY |
| 4 | US08822970 | US | 미국 | FAMILY |
| 5 | US20130001502 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| DOCDB 패밀리 정보가 없습니다 | ||||
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1290003-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20110831 출원 번호 : 1020110088045 공고 연월일 : 20130731 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130717 청구범위의 항수 : 12 유별 : H01L 21/8247 발명의 명칭 : 플렉서블 메모리 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 메모리 소자 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 256,500 원 | 2013년 07월 19일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 212,800 원 | 2016년 06월 27일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 212,800 원 | 2017년 06월 27일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 152,000 원 | 2018년 06월 26일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 278,000 원 | 2019년 06월 25일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 278,000 원 | 2020년 06월 25일 | 납입 |
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- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.08.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0681272-13 |
| 2 | 의견제출통지서 | 2012.12.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0758724-13 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 4 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2013.02.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0128497-76 |
| 5 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.03.13 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0217883-52 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.03.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0217882-17 |
| 7 | 등록결정서 | 2013.07.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0492569-05 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345198307 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2007-0056090 |
| 연구과제명 | 차세대 플렉시블 디스플레이 융합 센터 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 미래창조과학부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2013 |
| 연구기간 | 200709~201602 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1345145475 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-0088402 |
| 연구과제명 | 마이크로스트럭쳐 반도체(μs-Sc)기술을 활용한 플렉서블 고감도 바이오 센서 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200909~201208 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | BT(생명공학기술) |
| 과제고유번호 | 1345156443 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-0068063 |
| 연구과제명 | 바이오-IT 융합 기술을 위한 인쇄가능한 반도체 재료 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200905~201204 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1345158424 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2010-0009903 |
| 연구과제명 | 플렉시블 디스플레이 신모드 개발 및 특성 향상 기술 연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200709~201602 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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