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1
서로 다른 표면 특성을 갖는 실리콘 산화물 영역 및 실리콘 질화물 영역을 포함하는 피증착 구조체를 마련하는 단계; 및 상기 피증착 구조체가 구비된 반응로에서 ALD(atomic layer deposition) 공정을 수행하여 상기 실리콘 산화물 영역 및 상기 실리콘 질화물 영역 중 상기 실리콘 산화물 영역 상에 선택적으로 실리콘 산화물층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 ALD 공정은, 상기 반응로 내에 실리콘 전구체를 공급하여 상기 실리콘 전구체를 상기 실리콘 산화물 영역의 표면에 선택적으로 흡착시키는 제 1 공급 단계; 상기 반응로를 퍼지하는 제 1 퍼지 단계; 상기 반응로 내에 억제제(inhibitor) 물질을 공급하여 상기 억제제 물질을 상기 실리콘 질화물 영역의 표면에 선택적으로 흡착시키는 제 2 공급 단계; 상기 반응로를 퍼지하는 제 2 퍼지 단계; 상기 반응로 내에 산소 함유 소스를 공급하는 제 3 공급 단계; 및 상기 반응로를 퍼지하는 제 3 퍼지 단계를 포함하는, 선택적 영역 증착 방법(area-selective deposition method)
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2
제 1 항에 있어서, 상기 피증착 구조체를 마련하는 단계는, 상기 실리콘 산화물 영역 및 상기 실리콘 질화물 영역에 대한 표면 처리를 수행하여 상기 실리콘 산화물 영역의 표면에 제 1 작용기를 형성시키고 상기 실리콘 질화물 영역의 표면에 상기 제 1 작용기와 다른 제 2 작용기를 형성시키는 단계를 포함하는 선택적 영역 증착 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 제 1 작용기는 -OH 작용기를 포함하고, 상기 제 2 작용기는 -NH2 작용기를 포함하는 선택적 영역 증착 방법
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4
제 2 항에 있어서, 상기 표면 처리는 불화수소(HF)를 포함하는 용액으로 수행하는 선택적 영역 증착 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 전구체는 아미노실란(aminosilane) 계열의 실리콘 전구체이고, 선택적으로(optionally), 상기 아미노실란 계열의 실리콘 전구체는 DIPAS (diisopropylaminosilane)를 포함하는 선택적 영역 증착 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 전구체는 상기 실리콘 산화물 영역 및 실리콘 질화물 영역 중 상기 실리콘 산화물 영역의 표면에 선택적으로 흡착되어 상기 실리콘 산화물 영역의 표면에 SiH3를 형성하는 선택적 산화물 증착 방법
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7
제 1 항에 있어서, 상기 억제제 물질은 아미노실란(aminosilane) 계열의 억제제 물질이고, 선택적으로(optionally), 상기 아미노실란 계열의 억제제 물질은 DEATMS (N,N-diethylamino trimethylsilane)를 포함하는 선택적 영역 증착 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 억제제 물질은 상기 실리콘 산화물 영역 및 실리콘 질화물 영역 중 상기 실리콘 질화물 영역의 표면에 선택적으로 흡착되어 상기 실리콘 질화물 영역의 표면에 Si(CH3)3를 형성하는 선택적 영역 증착 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 산소 함유 소스는 오존(O3)을 포함하는 선택적 영역 증착 방법
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10
제 1 항에 있어서, 상기 ALD 공정의 공정 온도는 150℃ 이하인 선택적 영역 증착 방법
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11
제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 산화물층을 형성하는 단계는, 상기 ALD 공정의 제 1 사이클에서 상기 제 1 공급 단계, 상기 제 1 퍼지 단계, 상기 제 2 공급 단계, 상기 제 2 퍼지 단계, 상기 제 3 공급 단계 및 상기 제 3 퍼지 단계를 순차로 수행하고, 상기 제 1 사이클 후, 상기 제 1 공급 단계, 상기 제 1 퍼지 단계, 상기 제 3 공급 단계 및 상기 제 3 퍼지 단계를 순차로 1회 이상 반복 수행하는 선택적 영역 증착 방법
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12
제 1 항에 있어서, 상기 피증착 구조체는 기판의 상면 상에 실리콘 산화물 박막과 실리콘 질화물 박막이 교대로 반복 적층된 적층체를 포함하고, 상기 적층체에 상기 실리콘 산화물 박막과 실리콘 질화물 박막의 적층 방향으로 형성된 적어도 하나의 개구영역이 구비되며, 상기 개구영역의 내측면에 노출된 상기 실리콘 산화물 박막의 측면으로부터 상기 실리콘 산화물층을 선택적으로 형성하는 선택적 영역 증착 방법
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13
제 1 항에 있어서, 상기 피증착 구조체는 기판의 상면에 상기 기판과 평행한 방향으로 배열된 적어도 하나의 상기 실리콘 산화물 영역과 적어도 하나의 상기 실리콘 질화물 영역을 포함하는 선택적 영역 증착 방법
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14
제 1 항에 있어서, 상기 선택적 영역 증착 방법은 상기 실리콘 질화물 영역의 표면에 흡착된 상기 억제제 물질을 제거하는 단계를 더 포함하는 선택적 영역 증착 방법
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15
전자 소자의 제조 방법에 있어서, 서로 다른 표면 특성을 갖는 실리콘 산화물 영역 및 실리콘 질화물 영역을 포함하는 피증착 구조체를 마련하는 단계; 및 상기 피증착 구조체 상에 청구항 1 내지 14 중 하나에 기재된 선택적 영역 증착 방법을 이용해서 물질막을 형성하는 단계를 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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16
제 15 항에 있어서, 상기 전자 소자는 3차원 V-NAND 소자를 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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17
서로 다른 표면 특성을 갖는 실리콘 산화물 영역 및 실리콘 질화물 영역을 포함하는 피증착 구조체를 마련하는 단계; 및 상기 피증착 구조체가 구비된 반응로에서 ALD(atomic layer deposition) 공정을 수행하여 상기 실리콘 산화물 영역 및 상기 실리콘 질화물 영역 중 상기 실리콘 질화물 영역 상에 선택적으로 실리콘 산화물층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 ALD 공정은, 상기 반응로 내에 아미노실란(aminosilane) 계열의 전구체 물질을 공급하여 상기 전구체 물질을 상기 실리콘 산화물 영역의 표면 및 상기 실리콘 질화물 영역의 표면 모두에 흡착시키는 제 1 공급 단계; 상기 반응로를 퍼지하는 제 1 퍼지 단계; 상기 반응로 내에 산소 함유 소스를 공급하여 상기 실리콘 산화물 영역 및 상기 실리콘 질화물 영역 중 상기 실리콘 질화물 영역 상에서 선택적으로 실리콘 산화물 형성 반응을 유발하는 제 2 공급 단계; 및 상기 반응로를 퍼지하는 제 2 퍼지 단계를 포함하는, 선택적 영역 증착 방법(area-selective deposition method)
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18
제 17 항에 있어서, 상기 피증착 구조체를 마련하는 단계는, 상기 실리콘 산화물 영역 및 상기 실리콘 질화물 영역에 대한 표면 처리를 수행하여 상기 실리콘 산화물 영역의 표면에 제 1 작용기를 형성시키고 상기 실리콘 질화물 영역의 표면에 상기 제 1 작용기와 다른 제 2 작용기를 형성시키는 단계를 포함하는 선택적 영역 증착 방법
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19
제 18 항에 있어서, 상기 제 1 작용기는 -OH 작용기를 포함하고, 상기 제 2 작용기는 -NH2 작용기를 포함하는 선택적 영역 증착 방법
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20
제 17 항에 있어서, 상기 아미노실란 계열의 전구체 물질은 DEATMS (N,N-diethylamino trimethylsilane)를 포함하는 선택적 영역 증착 방법
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21
제 17 항에 있어서, 상기 아미노실란 계열의 전구체 물질은 상기 실리콘 산화물 영역의 표면에 흡착되어 O-Si-(CH3)3를 형성하고, 상기 실리콘 질화물 영역의 표면에 흡착되어 N-Si-(CH3)3를 형성하는 선택적 영역 증착 방법
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22
제 17 항에 있어서, 상기 ALD 공정의 공정 온도는 150℃ 이하인 선택적 영역 증착 방법
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제 17 항에 있어서, 상기 실리콘 산화물층을 형성하는 단계는, 상기 ALD 공정의 제 1 사이클에서 상기 제 1 공급 단계, 상기 제 1 퍼지 단계, 상기 제 2 공급 단계 및 상기 제 2 퍼지 단계를 순차로 수행하고, 상기 제 1 사이클 후, 상기 반응로 내에 아미노실란(aminosilane) 계열의 제 2 전구체 물질을 공급하는 제 3 공급 단계; 상기 반응로를 퍼지하는 제 3 퍼지 단계; 상기 반응로 내에 제 2 산소 함유 소스를 공급하는 제 4 공급 단계; 및 상기 반응로를 퍼지하는 제 4 퍼지 단계를 더 포함하며, 상기 제 3 공급 단계, 상기 제 3 퍼지 단계, 상기 제 4 공급 단계 및 상기 제 4 퍼지 단계를 순차로 1회 이상 반복 수행하는 선택적 영역 증착 방법
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24
제 23 항에 있어서, 상기 제 2 전구체 물질은 DIPAS (diisopropylaminosilane)를 포함하는 선택적 영역 증착 방법
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전자 소자의 제조 방법에 있어서, 서로 다른 표면 특성을 갖는 실리콘 산화물 영역 및 실리콘 질화물 영역을 포함하는 피증착 구조체를 마련하는 단계; 및 상기 피증착 구조체 상에 청구항 17 내지 24 중 하나에 기재된 선택적 영역 증착 방법을 이용해서 물질막을 형성하는 단계를 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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제 25 항에 있어서, 상기 전자 소자는 3차원 V-NAND 소자를 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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