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제1 물질 층 및 제2 물질 층이 증착된 기판을 준비하는 기판 준비 단계;상기 기판 상에 상기 제1 물질 층과 흡착 반응하고 상기 제2 물질 층에 흡착되지 않는 아미노 실란(Amino Silane) 계열의 전구체를 포함하는 표면 반응 억제제를 주입하여, 상기 표면 반응 억제제를 상기 제1 물질 층 상에 흡착시키는 제1 흡착 단계;불활성 기체를 주입하여 상기 제1 물질 층 상에 흡착되지 않은 상기 표면 반응 억제제를 제거하는 제1 중간 퍼지 단계;상기 기판 상에 상기 아미노 실란(Amino Silane) 계열의 전구체를 포함하는 상기 표면 반응 억제제를 주입하여, 상기 표면 반응 억제제를 상기 제1 물질 층 상에 흡착시키는 제2 흡착 단계; 및상기 표면 반응 억제제가 흡착되지 않은 상기 제2 물질 층 상에 선택적으로 박막을 증착하는 박막 증착 단계를 포함하는 원자층 증착 방법
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제1 항에 있어서,상기 아미노 실란 계열의 전구체는 DEATMS((N, N-diethylamino)trimethylsilane)인 영역 선택적 원자층 증착 방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 물질 층은 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물 중 적어도 하나를 포함하는 영역 선택적 원자층 증착 방법
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제3 항에 있어서,상기 기판 준비 단계는 희석된 불화 수소(HF) 용액에 60초 이상 처리하는 작용기 형성 단계를 포함하고,상기 제1 물질 층은 표면 상에 -OH 작용기 및 -NH 작용기 중 적어도 하나가 존재하는 영역 선택적 원자층 증착 방법
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제4 항에 있어서,상기 제2 물질 층은 표면 상에 -H 작용기가 존재하는 영역 선택적 원자층 증착 방법
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제1 항에 있어서,상기 제2 흡착 단계 후에 상기 제1 물질 층 상에 흡착되지 않은 상기 표면 반응 억제제를 제거하는 제2 중간 퍼지 단계; 및상기 제1 물질 층 상에 상기 아미노 실란(Amino Silane) 계열의 전구체를 포함하는 상기 표면 반응 억제제를 주입하여 흡착시키는 제3 흡착 단계를 더 포함하는 영역 선택적 원자층 증착 방법
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기판 상의 제1 물질 층과 흡착 반응하는 표면 반응 억제제를 주입하여 흡착시키는 적어도 2회 이상의 흡착 단계 및 상기 2회 이상의 흡착 단계 각각의 사이에 불활성 기체를 주입하는 적어도 1회 이상의 중간 퍼지 단계를 포함하고, 상기 중간 퍼지 단계에 의하여 상기 흡착 단계에 수행되는 시간이 분할되는 표면 반응 억제제 처리 단계; 및상기 기판 상의 상기 제1 물질 층과 다른 물질을 포함하는 제2 물질 층 상에 박막을 증착하는 박막 증착 단계를 포함하는 영역 선택적 원자층 증착 방법
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제7 항에 있어서,상기 2회 이상의 흡착 단계의 횟수가 증가할수록, 상기 2회 이상의 흡착 단계 각각의 수행 시간은 짧아지는 영역 선택적 원자층 증착 방법
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제7 항에 있어서,상기 2회 이상의 흡착 단계에 수행되는 전체 시간은 T1이고,상기 흡착 단계가 2회인 경우, 각각의 흡착 단계가 수행되는 시간은 T1/2인 영역 선택적 원자층 증착 방법
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제7 항에 있어서, 상기 2회 이상의 흡착 단계에 수행되는 전체 시간은 T1이고,상기 흡착 단계가 3회인 경우, 적어도 하나의 흡착 단계가 수행되는 시간은 T1/3인 영역 선택적 원자층 증착 방법
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