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플래시 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2014059726
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 트랩 사이트를 함유하는 제1 하이브리드 전하포획층 및 상기 제1 하이브리드 전하포획층의 밴드갭 에너지보다 낮은 밴드갭 에너지를 가지는 제2 하이브리드 전하포획층을 포함하는 플래시 메모리 소자가 개시된다. 본 발명에 의한 플래시 메모리 소자는 터널링 산화막 상에 제1 하이브리드 전하포획층을 형성함으로써 터널링 산화막의 트랩 사이트에 의해 전하가 누설되는 SILC 현상을 최소화하여 터널링 산화막의 두께를 7nm 이하로 감소시킬 수 있으며, 트랩된 전하를 제2 하이브리드 전하포획층의 깊은 에너지 준위에 저장함으로써 소자의 리텐션 특성이 향상된다. 또한, 제2 하이브리드 전하포획층 상에 일정한 일함수를 갖는 금속막을 구비함으로써 블로킹 산화막 전도대역의 에너지 장벽 높이를 증가시켜 소자의 동작 속도를 향상시킨다.
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020110068388 (2011.07.11)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1231456-0000 (2013.02.01)
공개번호/일자 10-2013-0007816 (2013.01.21) 문서열기
공고번호/일자 (20130207) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.11)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울특별시 마포구
2 유주형 대한민국 서울특별시 강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0529304-54
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.04.19 수리 (Accepted) 9-1-2012-0031341-30
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0546898-76
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2012-0940635-71
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.11.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0940641-45
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0068224-80
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 위치하는 터널링 산화막;상기 터널링 산화막 상에 위치하는 하이브리드 전하포획층;상기 하이브리드 전하포획층 상에 위치하는 블로킹 산화막; 및상기 블로킹 산화막 상에 위치하는 컨트롤 게이트를 포함하고, 상기 하이브리드 전하포획층은 제1 하이브리드 전하포획층 및 상기 제1 하이브리드 전하포획층 상에 위치하는 제2 하이브리드 전하포획층을 포함하며, 상기 제1 하이브리드 전하포획층은 전하 트랩 사이트를 함유하고, 상기 제2 하이브리드 전하포획층은 상기 제1 하이브리드 전하포획층의 밴드갭 에너지보다 낮은 밴드갭 에너지를 가지며, 상기 제1 하이브리드 전하포획층과 상기 제2 하이브리드 전하포획층에서 발생하는 내부 전계에 의해 상기 제2 하이브리드 전하포획층의 포텐셜 우물에 전하가 포획되는 플래시 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 하이브리드 전하포획층과 상기 블로킹 산화막 사이에 금속막을 더 포함하여 상기 블로킹 산화막의 전도대역의 에너지 장벽높이를 조절하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 터널링 산화막의 두께는 1nm 내지 7nm 인 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자
4 4
제2항에 있어서,상기 금속막은 3
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1 하이브리드 전하포획층은 실리콘 질화막 또는 고유전율(high-k)막을 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자
6 6
제1항에 있어서,상기 블로킹 산화막은 고유전율(high-k)막을 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자
7 7
제5항 또는 제6항에 있어서,상기 고유전율(high-k)막은 전이 금속 및 산소를 포함하는 막인 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자
8 8
제1항에 있어서,상기 제2 하이브리드 전하포획층은 폴리실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자
9 9
제1항에 있어서,상기 컨트롤 게이트는 폴리실리콘 또는 폴리실리콘보다 일함수가 큰 장벽 금속막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자
10 10
제9항에 있어서,상기 장벽 금속막은 Hf, Zr, Ta, Al, Nb, Ti, W, Mo, Ru, Au, Ni, Ir 및 Pt로 구성되는 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자
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2 WO2013009067 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2013009067 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
2 WO2013009067 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한양대학교 산학협력단 기초연구사업(중견연구자지원사업) 복합형 나노 양자 구조를 이용한 차세대 비휘발성 메모리 소자 및 발광 소자를 위한 나노 물리, 나노 소재 및 소자에 대한 연구