맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

비휘발성 유기 메모리 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014059730
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 비휘발성 유기 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공한다. 비휘발성 유기 메모리 소자는 제1 전극이 배치된 기판; 상기 제1 전극 상에 위치하고 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 화합물 반도체를 함유한 양자점이 분산된 고분자층; 및 상기 고분자층 상에 위치하는 제2 전극을 포함한다. 본 발명에 따르면, 환경친화성을 확보하는 동시에 소자의 우수한 데이터 유지능력, 재현성 및 안정성을 구현할 수 있다. 또한, 용액 공정을 통한 간단한 방법으로 쌍안정 특성을 갖는 유무기 복합층을 제조하므로 비용 경제적이며, 프린팅 공정을 이용한 대형화에도 적합한 장점이 있다.
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01)
CPC H01L 51/0032(2013.01)
출원번호/일자 1020110086052 (2011.08.26)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1332959-0000 (2013.11.19)
공개번호/일자 10-2013-0022972 (2013.03.07) 문서열기
공고번호/일자 (20131125) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.26)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울특별시 성동구
2 박훈민 대한민국 서울특별시 성동구
3 김상욱 대한민국 서울특별시 송파구
4 심재호 대한민국 강원도 강릉시 용지로 ,

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0667529-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.06.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0048505-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0173293-50
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2013-0422763-35
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-0527248-17
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0632608-92
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0632572-36
9 등록결정서
Decision to grant		 2013.11.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0761308-38
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 전극이 배치된 기판;상기 제1 전극 상에 위치하고 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 화합물 반도체를 함유한 양자점이 분산된 고분자층; 및상기 고분자층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하고,상기 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 화합물 반도체는 Cu(InxGa1-x)(SySe1-y)2(여기서, x 및 y는 각각 0 내지 1의 실수임)인 비휘발성 유기 메모리 소자
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 양자점은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 화합물 반도체 코어와 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 쉘로 구성된 코어-쉘 구조인 비휘발성 유기 메모리 소자
4 4
제3항에 있어서,상기 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체는 Zn(SpSeqTer)(여기서, p, q 및 r은 각각 0 내지 1의 실수이고, p+q+r=1임)인 비휘발성 유기 메모리 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 고분자층은 폴리비닐카바졸계 고분자를 포함하는 비휘발성 유기 메모리 소자
6 6
제1항에 있어서,상기 양자점이 분산된 고분자층은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 통해 인가되는 -4V 내지 4V의 전압 범위에서 쌍안정성을 나타내는 비휘발성 유기 메모리 소자
7 7
제1 전극이 배치된 기판을 준비하는 단계;상기 제1 전극 상에 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 화합물 반도체를 함유한 양자점이 분산된 고분자 용액을 코팅하는 단계;상기 코팅된 고분자 용액을 열처리하여 용매를 제거하는 단계; 및상기 용매가 제거된 고분자층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 화합물 반도체는 Cu(InxGa1-x)(SySe1-y)2(여기서, x 및 y는 각각 0 내지 1의 실수임)인 유기 메모리 소자 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 양자점은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 화합물 반도체 코어와 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 쉘로 구성된 코어-쉘 구조인 비휘발성 유기 메모리 소자 제조방법
9 9
제7항에 있어서,상기 고분자 용액은 폴리비닐카바졸계 고분자를 포함하는 비휘발성 유기 메모리 소자 제조방법
10 10
제7항에 있어서,상기 고분자 용액을 코팅하는 단계는 스핀코팅에 의해 수행하는 비휘발성 유기 메모리 소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한양대학교 산학협력단 기초연구사업(중견연구자지원사업) 복합형 나노 양자 구조를 이용한 차세대 비휘발성 메모리 소자 및 발광 소자를 위한 나노 물리, 나노 소재 및 소자에 대한 연구