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3차원 플래시 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2014040719
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 셀 면적은 증가시키지 않으면서, 공통 소스 라인의 저항을 감소시킬 수 있는 3차원 플래시 메모리 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 3차원 플래시 메모리 소자는 상면과 하면을 관통하는 관통홀이 형성되어 있는 소자 형성 기판과, 관통홀에 갭-필되어 있는 도전체와, 도전체 상에 형성되며 소자 형성 기판의 상측 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성된 수직 채널과, 도전체와 전기적으로 연결되어 있는 공통 소스 라인을 구비한다.
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01)
CPC H01L 27/0688(2013.01) H01L 27/0688(2013.01) H01L 27/0688(2013.01) H01L 27/0688(2013.01)
출원번호/일자 1020090106089 (2009.11.04)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1040154-0000 (2011.06.02)
공개번호/일자 10-2011-0049187 (2011.05.12) 문서열기
공고번호/일자 (20110609) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.04)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤흡 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2009-0678837-79
2 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2009.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2009-0694405-34
3 보정요구서
Request for Amendment		 2009.11.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0085607-25
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.03.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0021698-00
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0152755-36
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0369158-75
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0369134-80
9 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0285867-26
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상면과 하면을 관통하는 관통홀이 형성되어 있는 소자 형성 기판; 상기 관통홀에 갭-필되어 있는 도전체; 상기 도전체 상에 형성되며, 상기 소자 형성 기판의 상측 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성된 수직 채널; 및 상기 도전체와 전기적으로 연결되어 있으며 전도성 물질로 형성된 공통 소스 라인;을 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 소자 형성 기판의 하측에 배치되는 소자 지지 기판; 및 상기 소자 지지 기판 상에 형성되며, 상기 도전체와 전기적으로 연결되어 있는 도전성 박막;을 더 구비하며, 상기 공통 소스 라인은 상기 도전성 박막과 전기적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리 소자
3 3
제2항에 있어서, 상기 소자 지지 기판과 상기 도전성 박막 사이에 형성되며, 절연물질로 이루어진 분리막을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리 소자
4 4
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소자 형성 기판 상에 상기 수직 채널을 감싸도록 형성되어 있는 복수의 전도층; 상기 복수의 전도층 사이에 상기 수직 채널을 감싸도록 형성되어 있는 절연층; 상기 수직 채널과 상기 전도층 사이에 형성되어 있는 터널링 절연막; 상기 터널링 절연막과 상기 전도층 사이에 형성되어 있는 전하 저장막; 상기 전하 저장막과 상기 전도층 사이에 형성되어 있는 블로킹 절연막; 및 상기 수직 채널 상부에 형성되어 있는 비트라인;을 더 구비하며, 상기 전하 저장막은 상기 절연층에 의해 분리되어 있는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리 소자
5 5
상면과 하면을 관통하는 제1 관통홀이 형성되어 있는 제1 소자 형성 기판과, 상기 제1 관통홀에 갭-필되어 있는 제1 도전체와, 상기 제1 도전체 상에 형성되며 상기 제1 소자 형성 기판의 상측 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성된 제1 수직 채널을 구비하는 제1 소자부; 상면과 하면을 관통하는 제2 관통홀이 형성되어 있는 제2 소자 형성 기판과, 상기 제2 관통홀에 갭-필되어 있는 제2 도전체와, 상기 제2 도전체 상에 형성되며 상기 제2 소자 형성 기판의 상측 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성된 제2 수직 채널을 구비하는 제2 소자부; 상기 제1 소자부와 상기 제2 소자부의 사이에 배치되며 상면과 하면을 관통하는 공통 관통홀이 형성되어 있는 소자 지지 기판; 상기 소자 지지 기판과 상기 제1 소자부 사이에 형성되며, 상기 제1 도전체와 전기적으로 연결되어 있는 제1 도전성 박막; 상기 소자 지지 기판과 상기 제2 소자부 사이에 형성되며, 상기 제2 도전체와 전기적으로 연결되어 있는 제2 도전성 박막; 상기 공통 관통홀이 갭-필되도록 형성되며, 상기 제1 도전성 박막과 상기 제2 도전성 박막을 전기적으로 연결시키는 공통 도전체; 및 상기 제1 도전성 박막 및 상기 제2 도전성 박막 중 적어도 하나와 전기적으로 연결되어 있는 공통 소스 라인;을 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리 소자
6 6
제5항에 있어서, 상기 소자 지지 기판과 상기 제1 도전성 박막 사이에 형성되며, 절연물질로 이루어진 제1 분리막; 및 상기 소자 지지 기판과 상기 제2 도전성 박막 사이에 형성되며, 절연물질로 이루어진 제2 분리막;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리 소자
7 7
제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 제1 소자부는, 상기 제1 소자 형성 기판 상에 상기 제1 수직 채널을 감싸도록 형성되어 있는 복수의 제1 전도층과, 상기 복수의 제1 전도층 사이에 상기 제1 수직 채널을 감싸도록 형성되어 있는 제1 절연층과, 상기 제1 수직 채널과 상기 제1 전도층 사이에 형성되어 있는 제1 터널링 절연막과, 상기 제1 터널링 절연막과 상기 제1 전도층 사이에 형성되어 있는 제1 전하 저장막과, 상기 제1 전하 저장막과 상기 제1 전도층 사이에 형성되어 있는 제1 블로킹 절연막과, 상기 제1 수직 채널 상부에 형성되어 있는 제1 비트라인을 더 구비하고, 상기 제2 소자부는, 상기 제2 소자 형성 기판 상에 상기 제2 수직 채널을 감싸도록 형성되어 있는 복수의 제2 전도층과, 상기 복수의 제2 전도층 사이에 상기 제2 수직 채널을 감싸도록 형성되어 있는 제2 절연층과, 상기 제2 수직 채널과 상기 제2 전도층 사이에 형성되어 있는 제2 터널링 절연막과, 상기 제2 터널링 절연막과 상기 제2 전도층 사이에 형성되어 있는 제2 전하 저장막과, 상기 제2 전하 저장막과 상기 제2 전도층 사이에 형성되어 있는 제2 블로킹 절연막과, 상기 제2 수직 채널 상부에 형성되어 있는 제2 비트라인을 더 구비하며, 상기 제1 전하 저장막은 상기 제1 절연층에 의해 분리되어 있고, 상기 제2 전하 저장막은 상기 제2 절연층에 의해 분리되어 있는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리 소자
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