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비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015141085
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 제 1 및 제 2 전극과, 상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 구비되고, 도너 물질과 억셉터 물질을 포함하는 유기물층 및 상기 유기물층 내에 마련된 적어도 한층의 나노 크리스탈층을 포함하는 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법을 제공한다. 이와 같이 본 발명은 도너 물질과 억셉터 물질을 포함하는 유기물층 사이에 나노 크리스탈층이 형성된 메모리 소자를 제작하여 나노 크리스탈에 전하 충전 확률을 증대시켜 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 비휘발성, 메모리, 유기물, 도너 억셉터, 쌍안정, 나노 크리스탈층, 산화, 멀티 레벨, 다중 적층, 부저항,
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01)
CPC G11C 13/0016(2013.01) G11C 13/0016(2013.01) G11C 13/0016(2013.01) G11C 13/0016(2013.01) G11C 13/0016(2013.01) G11C 13/0016(2013.01) G11C 13/0016(2013.01) G11C 13/0016(2013.01)
출원번호/일자 1020090042370 (2009.05.15)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1433273-0000 (2014.08.18)
공개번호/일자 10-2010-0123250 (2010.11.24) 문서열기
공고번호/일자 (20140827) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020140026928;
심사청구여부/일자 Y (2011.09.07)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박재근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 이곤섭 대한민국 서울특별시 강남구
3 승현민 대한민국 서울특별시 송파구
4 이종대 대한민국 경기 의정부시 신

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남승희 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2009-0291451-38
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2009-0294274-78
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.09.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0699193-69
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.04.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.05.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0038112-00
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0288864-84
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0580379-77
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0673847-92
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0790975-94
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.08.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0790973-03
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.01.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0011910-14
12 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2014.03.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2014-0008835-54
13 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2014.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2014-0223400-55
14 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2014.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0281528-85
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
16 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0588420-73
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2014-0649634-01
18 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.07.10 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0649633-55
19 등록결정서
Decision to grant		 2014.08.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0546800-93
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 위치하는 제 1 유기물층;상기 제 1 유기물층 상에 위치하는 나노 크리스탈층;상기 나노 크리스탈층 상에 위치하는 제 2 유기물층; 및상기 제 2 유기물층 상에 위치하는 제 2 전극을 포함하며,상기 제 1 유기물층 및 제 2 유기물층은 각각 도너 물질 및 억셉터 물질을 포함하고, 상기 나노 크리스탈층은 배리어 물질층과 상기 배리어 물질층 내에 형성된 복수의 결정성 나노 크리스탈을 포함하여 상기 배리어 물질층이 상기 복수의 나노 크리스탈을 감싸며,상기 도너 물질은 P3HT를 포함하고, 상기 억셉터 물질은 PCBM([6,6]-phenyl-C61 butyric acid methyl ester)를 포함하며,상기 제 1 및 제 2 전극 사이의 전압차가 증가함에 따라 전류가 증가하는 고저항 및 저저항 상태와, 상기 전압차가 증가함에 따라 전류가 감소하는 부저항 상태를 포함하는 비휘발성 메모리 소자
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서,상기 나노 크리스탈은 Al, Ti, Zn, Fe, Ni, Sn, Pb, Cu와 이들의 합금 중 적어도 어느 하나인 비휘발성 메모리 소자
8 8
제 1 항에 있어서,상기 배리어 물질은 상기 나노 크리스탈 물질의 산화물, Al2O3, TiO2, CB(carbazole terminated thiol) 중에서 선택된 어느 하나인 비휘발성 메모리 소자
9 9
제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 전극 양단에 인가되는 입력 데이터 전압에 따라 다양한 저항 상태로 변화되고, 읽기 동작시 멀티 레벨의 출력 전류를 생성하는 비휘발성 메모리 소자
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101482723 KR 대한민국 FAMILY
2 WO2010131901 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
3 WO2010131901 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2010131901 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
2 WO2010131901 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한양대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업 고신뢰성 PoRam 소자 개발