맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

비휘발성 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2015142635
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비휘발성 메모리 소자에 관한 것으로, 서로 이격된 제 1 및 제 2 전극과, 제 1 및 제 2 전극 사이에 마련된 적어도 한층의 나노 크리스탈층과, 제 1 및 제 2 전극과 나노 크리스탈층 사이에 각각 마련되며 쌍안정 도전성 특성을 갖는 제 1 및 제 2 물질층을 포함하고, 제 1 및 제 2 물질층은 비대칭적으로 형성된 비휘발성 메모리 소자가 제시된다.
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01)
CPC H01L 51/0032(2013.01) H01L 51/0032(2013.01) H01L 51/0032(2013.01)
출원번호/일자 1020110087856 (2011.08.31)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1460165-0000 (2014.11.04)
공개번호/일자 10-2012-0095287 (2012.08.28) 문서열기
공고번호/일자 (20141111) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020110014540   |   2011.02.18
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020140128312;
심사청구여부/일자 Y (2012.08.08)
심사청구항수 20

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박재근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 서성호 대한민국 서울특별시 중랑구
3 남우식 대한민국 서울특별시 성동구
4 이종선 대한민국 부산광역시 사하구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 남승희 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0680159-83
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2012.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0633503-30
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.05.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.06.05 수리 (Accepted) 9-1-2013-0041340-19
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.09.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0622532-88
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0984163-87
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-1110353-79
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.12.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1110352-23
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0036341-64
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0246165-03
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0360302-14
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2014-0456587-71
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.05.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0456586-25
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
15 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0565486-38
16 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2014.09.11 수리 (Accepted) 7-1-2014-0034287-98
17 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2014.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0912910-01
18 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0986197-10
19 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2014.10.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0986196-64
20 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2014.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0734726-11
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
서로 이격된 제 1 및 제 2 전극;상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 마련된 적어도 한층의 나노 크리스탈층; 및 상기 제 1 및 제 2 전극과 상기 나노 크리스탈층 사이에 각각 마련되며, 쌍안정 도전성 특성을 갖는 제 1 및 제 2 물질층을 포함하고,상기 나노 크리스탈층을 기준으로 상기 제 1 및 제 2 물질층은 버퍼층 포함 여부에 따라 비대칭적으로 형성되며,상기 제 1 물질층은 적어도 하나의 제 1 전도성 유기물층을 포함하며,상기 제 2 물질층은 제 2 전도성 유기물층과, 상기 나노 크리스탈층과 제 2 전도성 유기물층 사이에 형성된 제 1 버퍼층과, 상기 제 2 전도성 유기물층과 상기 제 2 전극 사이에 형성된 제 2 버퍼층을 포함하고,상기 제 1 버퍼층은 0
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 나노 크리스탈층은 복수의 나노 크리스탈과 상기 나노크리스탈을 감싸는 배리어층을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 전도성 유기물층들의 두께는 서로 다른 비휘발성 메모리 소자
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 전도성 유기물층은 전하 전달 특성을 가진 저분자 물질을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 전도성 유기물층은 Alq3, AIDCN, α-NPD, PtOEP, TPD, ZnPc, CuPc, C60, PBD, CBP, Pentacene, Balq, PCBM의 적어도 어느 하나의 물질로 형성하는 비휘발성 메모리 소자
7 7
삭제
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 버퍼층은 금속 화합물을 이용하여 형성된 비휘발성 메모리 소자
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 제 1 또는 제 2 버퍼층은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 포함하는 금속 화합물을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
10 10
제 8 항에 있어서, 상기 제 1 또는 제 2 버퍼층은 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO, Liq 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질로 형성된 비휘발성 메모리 소자
11 11
삭제
12 12
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 버퍼층은 상기 제 1 및 제 2 전극에 각각 고전압 및 저전압이 인가되는 순방향 바이어스에서 전하 이동을 촉진하고, 상기 제 1 및 제 2 전극에 각각 저전압 및 고전압이 인가되는 역방향 바이어스에서 전하 이동을 억제하는 비휘발성 메모리 소자
13 13
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극 및 제 2 전극 사이에 인가되는 전위차에 따라 전류량이 급격히 증가하는 문턱 전압 영역과, 상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 인가되는 전위차가 증가할수록 전류가 감소하는 부저항 영역을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
14 14
제 13 항에 있어서, 상기 문턱 전압 이하의 제 1 전압 레벨에서 읽기 동작이 수행되고, 상기 문턱 전압 이상부터 상기 부저항 영역까지의 제 2 전압 레벨에서 프로그램 동작이 수행되며, 상기 제 2 전압 레벨보다 큰 제 3 전압 레벨에서 소거 동작이 수행되는 비휘발성 메모리 소자
15 15
제 14 항에 있어서, 상기 제 2 전압 레벨에 따라 멀티 레벨로 프로그램되는 비휘발성 메모리 소자
16 16
서로 이격된 제 1 및 제 2 전극;상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 마련된 적어도 한층의 나노 크리스탈층; 및상기 제 1 및 제 2 전극과 상기 나노 크리스탈층 사이에 각각 마련되며, 쌍안정 도전성 특성을 갖는 제 1 및 제 2 물질층을 포함하고,상기 나노 크리스탈층을 기준으로 상기 제 1 및 제 2 물질층은 버퍼층 포함 여부에 따라 비대칭적으로 형성되며,상기 제 1 물질층은 적어도 하나의 제 1 전도성 유기물층을 포함하고,상기 제 2 물질층은 제 2 전도성 유기물층과, 상기 나노 크리스탈층과 상기 제 2 전도성 유기물층 사이에 마련되는 제 1 버퍼층과, 상기 제 2 전도성 유기물층과 제 2 전극 사이에 마련된 제 2 버퍼층을 포함하고, 상기 제 1 버퍼층이 0
17 17
제 16 항에 있어서, 상기 나노 크리스탈층은 복수의 나노 크리스탈과 상기 나노크리스탈을 감싸는 배리어층을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
18 18
제 16 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 전도성 유기물층은 전하 전달 특성을 가진 저분자 물질로 형성된 비휘발성 메모리 소자
19 19
제 18 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 전도성 유기물층은 Alq3, AIDCN, α-NPD, PtOEP, TPD, ZnPc, CuPc, C60, PBD, CBP, Pentacene, Balq, PCBM의 적어도 어느 하나의 물질로 형성하는 비휘발성 메모리 소자
20 20
제 16 항에 있어서, 상기 제 2 전도성 유기물층은 상기 제 1 전도성 유기물층보다 두껍게 형성되는 비휘발성 메모리 소자
21 21
삭제
22 22
제 16 항에 있어서, 상기 버퍼층은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 포함하는 금속 화합물로 형성된 비휘발성 메모리 소자
23 23
제 16 항에 있어서, 상기 버퍼층들은 금속 화합물을 이용하여 형성된 비휘발성 메모리 소자
24 24
제 23 항에 있어서, 상기 버퍼층들은 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO, Liq 중 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101485507 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.