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비휘발성 메모리 소자 및 이를 제조하는 방법

  • 기술번호 : KST2014040520
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비휘발성 메모리 소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계; 상기 하부 전극 상에 금속층을 형성하는 단계; 상기 기판 상에 산성 절연체 전구체층을 형성하는 단계; 상기 기판을 열처리하여 절연층 내에 양자점을 형성하는 단계; 상기 절연층 상에 전극 물질층을 형성하는 단계; 및 상기 전극 물질층을 식각하여 상부 전극을 형성하고, 상기 절연층을 식각하여 소자 절연막을 형성하는 단계;를 포함하는 가변 저항 소자 제조 방법이 제공된다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01.01) H01L 27/115 (2017.01.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020100039805 (2010.04.29)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1188976-0000 (2012.09.28)
공개번호/일자 10-2011-0120406 (2011.11.04) 문서열기
공고번호/일자 (20121008) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.29)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김은규 대한민국 서울특별시 성동구
2 김선필 대한민국 서울특별시 성동구
3 송후영 대한민국 서울특별시 용산구
4 이동욱 대한민국 서울특별시 성동구
5 이효준 대한민국 경기도 군포시 산본천로 , 을지아파트
6 한동석 대한민국 서울특별시 구로구
7 조원주 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0277299-89
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0361942-14
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.08.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0678245-19
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0678263-20
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0173780-49
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2012-0266598-47
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.04.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0266604-34
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0566789-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극 상에 금속층을 형성하는 단계;상기 금속층이 형성된 기판 상에 산성 절연체 전구체층을 형성하는 단계;상기 기판을 열처리하여 상기 금속층과 상기 산성 절연체 전구체층과의 반응을 통해 절연층 내의 하부 영역에 양자점을 형성하는 단계;상기 절연층 상에 전극 물질층을 형성하는 단계; 및상기 전극 물질층을 식각하여 상부 전극을 형성하고, 상기 절연층을 식각하여 소자 절연막을 형성하는 단계;를 포함하는 가변 저항 소자 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 금속층을 형성하는 단계 이전에,상기 하부 전극 상에 반도체층을 형성하는 단계를 더 포함하는 가변 저항 소자 제조 방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 반도체층은 무기물 반도체층인 가변 저항 소자 제조 방법
4 4
제 2 항에 있어서,상기 반도체층은 유기물 반도체층 상에 무기물 반도체층이 위치한 반도체층인 가변 저항 소자 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 산성 절연체 전구체층은 폴리아믹산층인 가변 저항 소자 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 절연층은 BPDA-PDA, PMDA-PDA, OPDA-PDA 및 6FDA-PDA 중 어느 하나인 가변 저항 소자 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 양자점은 금속 산화물 양자점인 가변 저항 소자 제조 방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 산성 절연체 전구체층은 전도성 폴리머를 더 함유하는 가변 저항 소자 제조 방법
9 9
기판 상에 소오스 전극, 드레인 전극 및 하부 전극을 형성하되, 상기 소오스 전극 및 드레인 전극은 기판의 선택소자 영역 상에 이격되어 위치하도록 형성하고, 상기 하부 전극은 상기 드레인 전극으로부터 수평 방향으로 연장되어 상기 하부 전극과 연결된 형태로 기판의 가변저항 소자 영역 상에 위치하도록 형성하는 단계;상기 소오스 전극과 드레인 전극 사이에 채널층을 형성하는 단계;상기 하부 전극 상에 금속층을 형성하는 단계;상기 금속층이 형성된 기판 상에 산성 절연체 전구체층을 형성하는 단계;상기 기판을 열처리하여 절연층 내에 양자점을 형성하는 단계;상기 절연층 상에 전극 물질층을 형성하는 단계; 및상기 전극 물질층을 식각하여 게이트 전극 및 상부 전극을 형성하고, 상기 절연층을 식각하여 게이트 절연막 및 소자 절연막을 형성하는 단계;를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 채널층을 형성함과 동시에 상기 하부 전극 상에 반도체층을 형성하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 채널층은 무기물 채널층이고, 상기 반도체층은 무기물 반도체층인 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
12 12
제 10 항에 있어서,상기 채널층은 유기물 채널층이고, 상기 반도체층은 유기물 반도체층 및 상기 유기물 반도체층 상에 위치한 무기물 반도체층을 포함하는 반도체층인 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
13 13
박막 트랜지스터가 형성되는 선택소자 영역과 가변 저항 소자가 형성되는 가변저항소자 영역을 갖는 기판;상기 선택소자 영역 상에 서로 이격하여 위치하는 소오스 전극과 드레인 전극;상기 드레인 전극으로부터 수평 방향으로 연장되어 상기 가변저항소자 영역 상에 형성되는 하부 전극;상기 소오스 전극과 드레인 전극 사이에 위치한 채널층;상기 채널층 및 상기 하부 전극 상에 수평 방향으로 이격하여 각각 위치하는 게이트 절연막 및 소자 절연막;상기 소자 절연막 내에 위치하는 양자점; 및상기 게이트 절연막 및 상기 소자 절연막 상에 수평방향으로 이격하여 각각 위치하는 게이트 전극 및 상부 전극을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
14 14
제 13 항에 있어서,상기 하부 전극과 소자 절연막 사이에 위치한 반도체층을 더 포함하는 비휘발성 메모리 소자
15 15
제 14 항에 있어서,상기 채널층은 무기물 채널층이고, 상기 반도체층은 무기물 반도체층인 비휘발성 메모리 소자
16 16
제 14 항에 있어서,상기 채널층은 유기물 채널층이고, 상기 반도체층은 유기물 반도체층 및 상기 유기물 반도체층 상에 위치한 무기물 반도체층을 포함하는 반도체층인 비휘발성 메모리 소자
17 17
제 14 항에 있어서,상기 채널층은 상기 소오스 전극과 드레인 전극 상으로 각각 연장되어 배치되고,상기 반도체층은 상기 채널층과 수평방향으로 이격하여 위치하는 비휘발성 메모리 소자
18 18
제 13 항에 있어서,상기 양자점은 금속 산화물 양자점인 비휘발성 메모리 소자
19 19
제 13 항에 있어서,상기 게이트 절연막과 상기 소자 절연막은 폴리이미드를 함유하는 비휘발성 메모리 소자
20 20
제 19 항에 있어서,상기 게이트 절연막과 상기 소자 절연막은 전도성 폴리머를 더 함유하는 비휘발성 메모리 소자
21 21
제 13 항에 있어서,상기 채널층은 광투과성 채널층인 비휘발성 메모리 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부(산자부) 지식경제부(산자부)(재단법인서울대학교산학협력재단) 기술혁신사업(산업원천기술개발사업) 3차원 플래시메모리 소재 개발