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메모리 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015140898
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 플러렌을 유연성 있는 전극으로 활용하는 메모리 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 메모리 소자는, 플러렌 박막으로 이루어진 제1 전극 및 제2 전극, 그리고, 상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에서 전자 포획 및 방출을 하는 나노 입자층을 포함한다. 플라스틱과 같은 가볍고 유연한 기판을 사용할 경우 기존의 Si을 비롯한 무기물 기판을 사용하는 것보다 제작된 전자 제품의 유연성 및 휴대성을 향상시킬 수 있다. 그리고, 본 발명에 따른 메모리 소자 제조 방법에서는 공정 과정이 전부 스핀코팅 공정을 통해 이루어지기 때문에 소자의 제작 방법이 매우 간단하며 소자의 생산 단가를 낮출 수 있다. 비휘발성 메모리 소자, 나노 입자, 플러렌, 스핀코팅, 열처리
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01) B82Y 10/00 (2017.01.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020070095186 (2007.09.19)
출원인 한양대학교 산학협력단, 삼성전자주식회사
등록번호/일자 10-0889779-0000 (2009.03.13)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20090320) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.09.19)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
2 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울 마포구
2 푸샨리 중국 서울시 성동구
3 정재훈 대한민국 서울 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2007-0678003-49
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0335991-04
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-0563754-80
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.08.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0563757-16
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0656280-09
7 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2008.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0673154-08
8 등록결정서
Decision to grant		 2008.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0640739-81
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유연성이 있는 유기물 기판;상기 유기물 기판 상에 형성되고 유연성이 있는 플러렌 박막으로 이루어진 제1 전극;상기 제1 전극 상에 형성된 나노 입자층; 및상기 나노 입자층 상에 형성되고 유연성이 있는 플러렌 박막으로 이루어진 제2 전극을 포함하고,상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에서 상기 나노 입자층이 전자 포획 및 방출을 하는 것을 특징으로 하는 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 플러렌은 C60, C70, C76, C78, C82, C90, C94 및 C96 중에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 메모리 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 나노 입자층은 ZnS-CdSe 나노 입자로 이루어진 것을 특징으로 하는 메모리 소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1 전극 및 제2 전극 중 적어도 어느 하나에 인접하여 유기 발광 소자층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 소자
5 5
유연성이 있는 유기물 기판 상에 유연성이 있는 플러렌 박막으로 이루어진 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에 전자를 포획 및 방출하는 나노 입자층을 형성하는 단계; 및상기 나노 입자층 상에 유연성이 있는 플러렌 박막으로 이루어진 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 소자 제조 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 제1 전극을 형성하는 단계 및 제2 전극을 형성하는 단계는 각각,플러렌을 용매에 혼합하여 플러렌 용액을 제조하는 단계;상기 플러렌 용액을 상기 기판 위에 스핀코팅하여 막을 형성하는 단계; 및상기 막으로부터 용매를 제거하는 열처리를 실시하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 소자 제조 방법
7 7
제5항에 있어서, 상기 나노 입자층을 형성하는 단계는,나노 입자를 용매에 혼합하여 나노 입자 용액을 제조하는 단계;상기 나노 입자 용액을 상기 기판 위에 스핀코팅하여 막을 형성하는 단계; 및상기 막으로부터 용매를 제거하는 열처리를 실시하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 소자 제조 방법
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1 WO2009038256 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2009038256 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 과학기술부, 한국과학재단 국가지정연구실 사업 복합형 나노 양자 구조를 이용한 차세대 비휘발성 메모리소자 및 발광 소자를 위한 나노 물리, 나노 소재 및 소자에대한 연구