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질화물 박막 성장 방법에 있어서,반응 챔버 내부에 기판을 마련하는 단계; 및 상기 반응 챔버 내부로 탄소 도펀트 소스를 포함한 기체 및 '상기 탄소 도펀트 소스와 다른 물질로 구성된 탄소 함유 종'을 주입하여, 상기 기판에 탄소 도핑된 질화물 박막을 성장시키는 단계;를 포함하는 질화물 박막 성장 방법
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상기 성장시키는 단계는, 상기 탄소 도펀트 소스와 다른 물질로 구성된 탄소 함유종 분위기 하에서, 상기 반응 챔버 내부로 탄소 도펀트 소스를 포함한 기체를 주입하여, 상기 기판에 탄소 도핑된 질화물 박막을 성장시키는 것을 특징으로 하는 질화물 박막 성장 방법
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제1항에 있어서,상기 탄소 도펀트 소스를 포함한 기체는,갈륨(Ga) 소스, 질소(N) 소스 및 탄소 도펀트 소스를 포함한 기체인 것을 특징으로 하는 질화물 박막 성장 방법
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제1항에 있어서,상기 탄소 도펀트 소스는,트라이메틸(trimethyl) 금속유기화합물([(CH3)3] of MO)인 것을 특징으로 하는 질화물 박막 성장 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 탄소 함유 종은,CBr4 및 CCl4 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 질화물 박막 성장 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 반응 챔버는,유기금속화학증착(MOCVD)을 위한 챔버인 것을 특징으로 하는 질화물 박막 성장 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 성장시키는 단계는, 700℃ 내지 900℃의 온도 조건에서 수행되는 것을 특징으로 하는 질화물 박막 성장 방법
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제1항에 있어서, 상기 성장시키는 단계는, 상기 탄소 도펀트 소스를 포함하는 기체 및 상기 탄소 함유 종을 상기 반응챔버에 동시에 주입하여, 상기 기판에 탄소 도핑된 질화물 박막을 성장시키는 것을 특징으로 하는 질화물 박막 성장 방법
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