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ＲｅＲＡＭ 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015142014
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 제조 공정이 간단하고 높은 재현성을 확보할 수 있는 ReRAM 소자 제조 방법과, 이에 의해 제조되어 우수하고 안정된 소자 특성을 나타내는 ReRAM 소자를 제공한다. 본 발명에 따른 ReRAM 소자 제조 방법은, 기판 상에 하부 전극막을 형성하는 단계와; 진공 분위기에서 상기 하부 전극막 상에 산화막을 형성하는 단계와; 진공 분위기에서 상기 산화막 상에 금속막을 형성하는 단계와; 상기 산화막 형성 단계 및 금속막 형성 단계를 교대로 반복 실시하여 원하는 두께의 다층 금속-산화막을 형성하는 단계와; 상기 다층 금속-산화막을 열처리하는 단계와; 상기 다층 금속-산화막 상에 상부 전극막을 형성하는 단계를 포함한다. 비휘발성 메모리, 저항형 메모리, ReRAM, RRAM, 산화막
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020060054986 (2006.06.19)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0785509-0000 (2007.12.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071213) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.06.19)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍진표 대한민국 서울 성동구
2 도영호 대한민국 경기 성남시 분당구
3 윤갑수 대한민국 서울 강서구
4 정구웅 대한민국 충남 공주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2006-0427941-96
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0297643-15
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2007-0556293-34
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.07.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0556294-80
5 등록결정서
Decision to grant		 2007.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0630735-85
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 하부 전극막을 형성하는 단계; 진공 분위기에서 상기 하부 전극막 상에 산화막을 형성하는 단계; 진공 분위기에서 상기 산화막 상에 금속막을 형성하는 단계; 상기 산화막 형성 단계 및 금속막 형성 단계를 교대로 반복 실시하여 다층 금속-산화막을 형성하는 단계; 상기 다층 금속-산화막을 열처리하는 단계; 및상기 다층 금속-산화막 상에 상부 전극막을 형성하는 단계를 포함하는 ReRAM 소자 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 하부 전극막은 Pt, Au, Al, Cu, Ti 및 이들 중 2이상 5이하의 합금으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 ReRAM 소자 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 산화막은 MgO, ZnO, TiO2, NiO, SiO2, Nb2O5, HfO2, V2O5, PCMO 및 LCMO로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 ReRAM 소자 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 산화막의 두께는 10 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 ReRAM 소자 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 산화막의 두께는 30 내지 70nm인 것을 특징으로 하는 ReRAM 소자 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 금속막은 Co, Al, Ni, Fe, Ta, Ti, Au, Pt, Cr, Cu, Ag 및 이들 중 2이상 11이하의 합금으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 ReRAM 소자 제조 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 금속막의 두께는 0
8 8
제1항에 있어서,상기 금속막의 두께는 1 내지 7nm인 것을 특징으로 하는 ReRAM 소자 제조 방법
9 9
제1항에 있어서,상기 다층 금속-산화막의 열처리 단계는, 100 내지 1000℃의 온도에서 1분 내지 24시간 동안 어닐링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 ReRAM 소자 제조 방법
10 10
제1항에 있어서,상기 열처리 단계는, 600 내지 900℃의 온도에서 30분 내지 3시간 동안 어닐링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 ReRAM 소자 제조 방법
11 11
제9항 또는 제10항에 있어서,상기 어닐링하는 단계는, 산소분위기 또는 진공분위기에서 실시되는 것을 특징으로 하는 ReRAM 소자 제조 방법
12 12
기판; 상기 기판 상에 형성된 하부 전극막; 상기 하부 전극막 상에 형성된 다층 금속-산화막; 상기 다층 금속-산화막 상에 형성된 상부 전극막을 포함하고,상기 다층 금속-산화막은 산화막과 그 위에 형성된 금속막이 교대로 반복 적층된 다층 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 ReRAM 소자
13 13
제12항에 있어서,상기 산화막은 MgO, ZnO, TiO2, NiO, SiO2, Nb2O5, HfO2, V2O5, PCMO 및 LCMO로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 ReRAM 소자
14 14
제12항에 있어서,상기 산화막의 두께는 10 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 ReRAM 소자
15 15
제12항에 있어서,상기 산화막의 두께는 30 내지 70nm인 것을 특징으로 하는 ReRAM 소자
16 16
제12항에 있어서,상기 금속막은 Co, Al, Ni, Fe, Ta, Ti, Au, Pt, Cr, Cu, Ag 및 이들 중 2이상 11이하의 합금으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 ReRAM 소자
17 17
제12항에 있어서,상기 금속막의 두께는 0
18 18
제12항에 있어서,상기 금속막의 두께는 1 내지 7nm인 것을 특징으로 하는 ReRAM 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.