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노즐과 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법(Apparatus and method for treating Substrate with the nozzle)

  • 기술번호 : KST2017007656
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명에 의한 기판 처리 장치는, 기판을 처리하는 공간을 제공하는 챔버와; 상기 챔버 내부에 제공되어 기판을 지지하는 지지유닛과; 상기 지지유닛에 지지된 기판으로 세정매체를 공급하는 노즐을 포함하되, 상기 노즐은, 상기 세정매체가 유입되는 유입구를 가지며 상기 유입구로부터 멀어질수록 단면적이 감소하는 수축부와; 상기 세정매체가 분사되는 분사구를 가지며 상기 분사구에 가까워질수록 단면적이 증가하는 팽창부와; 상기 수축부와 상기 팽창부 사이에 위치하는 오리피스를 포함하되, 상기 수축부로 유입되는 세정매체는 단일의 가스이다.
Int. CL H01L 21/02 (2015.12.09) H01L 21/67 (2015.12.09) H01L 21/683 (2015.12.09)
CPC H01L 21/67051(2013.01) H01L 21/67051(2013.01) H01L 21/67051(2013.01)
출원번호/일자 1020150150921 (2015.10.29)
출원인 세메스 주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0049962 (2017.05.11) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020170149753;
심사청구여부/일자 Y (2015.10.29)
심사청구항수 26

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 세메스 주식회사 대한민국 충청남도 천안시 서북구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이수연 대한민국 충청남도 천안시 서북구
2 김호영 대한민국 서울특별시 관악구
3 김승호 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 이재홍 대한민국 서울특별시 동작구
5 김준오 대한민국 부산광역시 금정구
6 김진규 대한민국 부산광역시 금정구
7 강병만 대한민국 충청남도 천안시 서북구
8 정인일 대한민국 충청남도 천안시 서북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
2 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-1052392-79
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.10.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.01.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0010165-19
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0036490-62
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-0261051-18
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.04.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0364977-08
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-0364978-43
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.07.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0470715-19
9 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
 2017.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2017-0751640-05
10 법정기간연장승인서
 2017.08.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0109685-05
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2017-0857162-34
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2017.09.04 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0857161-99
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.09.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0642525-75
14 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
 2017.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-1015268-83
15 법정기간연장승인서
 2017.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0148493-94
16 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2017.11.10 수리 (Accepted) 1-1-2017-1118867-59
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 처리하는 장치에 있어서,기판을 처리하는 공간을 제공하는 챔버와;상기 챔버 내부에 제공되어 기판을 지지하는 지지유닛과;상기 지지유닛에 지지된 기판으로 세정매체를 공급하는 노즐을 포함하되,상기 노즐은, 상기 세정매체가 유입되는 유입구를 가지며 상기 유입구로부터 멀어질수록 단면적이 감소하는 수축부와;상기 세정매체가 분사되는 분사구를 가지며 상기 분사구에 가까워질수록 단면적이 증가하는 팽창부와;상기 수축부와 상기 팽창부 사이에 위치하는 오리피스를 포함하되,상기 수축부로 유입되는 세정매체는 단일의 가스인 기판 처리 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 분사구의 면적은 상기 오리피스의 통로를 길이방향에 대해 수직으로 절단한 단면적의 4 내지 14 배인 기판 처리 장치
3 3
제1항에 있어서,상기 분사구의 면적은 상기 오리피스의 통로를 길이방향에 대해 수직으로 절단한 단면적의 6 내지 10 배인 기판 처리 장치
4 4
제1항에 있어서,상기 오리피스의 직경은 0
5 5
제1항에 있어서,상기 오리피스의 직경은 0
6 6
제1항에 있어서,상기 오리피스의 면적은 0
7 7
제1항에 있어서,상기 오리피스의 면적은 0
8 8
제1항에 있어서,상기 분사구와 상기 기판의 표면 사이의 수직거리는 2cm 내지 5cm 인 기판 처리 장치
9 9
제1항에 있어서,상기 분사구와 상기 기판의 표면 사이의 수직거리는 2
10 10
제1항에 있어서,상기 분사구는 상기 기판의 표면에 대해 경사지게 제공되는 기판 처리 장치
11 11
제10항에 있어서,상기 분사구와 상기 기판의 표면 사이의 경사 각도는 25도 내지 90도인 기판 처리 장치
12 12
제10항에 있어서,상기 분사구와 상기 기판의 표면 사이의 상기 경사 각도는 25도 내지 35도인 기판 처리 장치
13 13
제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,상기 세정매체는 이산화탄소인 기판 처리 장치
14 14
제13항에 있어서,상기 챔버의 내부 압력은 0
15 15
제13항에 있어서,상기 챔버의 내부 압력은 0
16 16
제1항에 있어서,상기 분사구의 면적은 상기 오리피스의 통로를 길이방향에 대해 수직으로 절단한 단면적의 4 내지 14 배이고,상기 분사구와 상기 기판의 표면 사이의 수직거리는 2cm 내지 5cm 이며,상기 세정매체는 이산화탄소이고,상기 챔버의 내부 압력은 0
17 17
제1항에 있어서,상기 분사구의 면적은 상기 오리피스의 통로를 길이방향에 대해 수직으로 절단한 단면적의 6 내지 10 배이고,상기 분사구와 상기 기판의 표면 사이의 수직거리는 2
18 18
제16항 또는 제17항에 있어서,상기 분사구는 상기 기판의 표면에 대해 경사지게 제공되되,상기 분사구와 상기 기판의 표면 사이의 경사 각도는 25도 내지 90도인 기판 처리 장치
19 19
제16항 또는 제17항에 있어서,상기 분사구는 상기 기판의 표면에 대해 경사지게 제공되되,상기 분사구와 상기 기판의 표면 사이의 경사 각도는 25도 내지 35도인 기판 처리 장치
20 20
기판으로 세정매체를 공급하는 노즐에 있어서,상기 세정매체가 유입되는 유입구를 가지며 상기 유입구부터 멀어질수록 단면적이 감소하는 수축부와;상기 세정매체가 분사되는 분사구를 가지며 상기 분사구에 가까워질수록 단면적이 증가하는 팽창부와;상기 수축부와 상기 팽창부 사이에 위치하는 오리피스를 포함하되,상기 수축부로 유입되는 세정매체는 단일의 가스인 노즐
21 21
제20항에 있어서,상기 분사구의 면적은 상기 오리피스의 통로를 길이방향에 대해 수직으로 절단한 단면적의 4 내지 14 배인 노즐
22 22
제20항에 있어서,상기 분사구의 면적은 상기 오리피스의 통로를 길이방향에 대해 수직으로 절단한 단면적의 6 내지 10 배인 노즐
23 23
제20항에 있어서,상기 오리피스의 직경은 0
24 24
제20항에 있어서,상기 오리피스의 직경은 0
25 25
제20항에 있어서,상기 오리피스의 면적은 0
26 26
제20항에 있어서,상기 오리피스의 면적은 0
27 27
제20항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서,상기 세정매체는 이산화탄소인 노즐
28 28
기판을 처리하는 방법에 있어서, 세정매체가 유입되는 유입구를 가지며 상기 유입구로부터 멀어질수록 단면적이 감소하는 수축부와, 오리피스, 상기 세정매체가 분사되는 분사구를 가지며 상기 분사구에 가까워질수록 단면적이 증가하는 팽창부가 순차적으로 제공되는 노즐의 상기 유입구에 기체 상의 단일의 세정 매체를 공급하고, 상기 노즐의 분사구를 통해 상기 세정 매체를 분사하여 기판을 처리하되,상기 세정 매체는 상기 유입구와 상기 분사구 사이에 위치하는 오리피스를 통과하면서 단열 팽창하여 고화되는 기판 처리 방법
29 29
제28항에 있어서,상기 분사구와 상기 기판의 표면 사이의 수직거리는 2cm 내지 5cm인 기판 처리 방법
30 30
제28항에 있어서,상기 분사구와 상기 기판의 표면 사이의 수직거리는 2
31 31
제28항에 있어서,상기 분사구를 상기 기판의 표면에 대해 경사지게 제공하여, 상기 세정매체를 비스듬히 분사하는 기판 처리 방법
32 32
제31항에 있어서,상기 분사구와 상기 기판의 표면 사이의 경사 각도는 25도 내지 90도인 기판 처리 방법
33 33
제31항에 있어서,상기 분사구와 상기 기판의 표면 사이의 상기 경사 각도는 25도 내지 35도인 기판 처리 방법
34 34
제28항 내지 제33항 중 어느 한 항에 있어서,상기 세정매체는 이산화탄소인 기판 처리 방법
35 35
제34항에 있어서,상기 챔버의 내부 압력은 0
36 36
제34항에 있어서,상기 챔버의 내부 압력은 0
37 37
제28항에 있어서,상기 챔버의 내부 압력은 0
38 38
제28항에 있어서,상기 챔버의 내부 압력은 0
39 39
제37항 또는 제38항에 있어서,상기 분사구를 상기 기판의 표면에 대해 경사지게 제공하여, 상기 세정매체를 비스듬히 분사하되,상기 분사구와 상기 기판의 표면 사이의 경사 각도는 25도 내지 90도인 기판 처리 방법
40 40
제37항 또는 제38항에 있어서,상기 분사구를 상기 기판의 표면에 대해 경사지게 제공하여, 상기 세정매체를 비스듬히 분사하되,상기 분사구와 상기 기판의 표면 사이의 경사 각도는 25도 내지 35도인 기판 처리 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN108352296 CN 중국 FAMILY
2 KR1020170128189 KR 대한민국 FAMILY
3 US20180247835 US 미국 FAMILY
4 WO2017073952 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN108352296 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 US2018247835 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2017073952 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.