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표면처리된 리튬이차전지용 양극활물질 및 그 제조방법
- 기술번호 : KST2015142612
- 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-6124-6930
| 요약 | 본 발명은 리튬이온이차전지용 양극활물질 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 양극활물질 근처에서 생성되는 산을 중화할 수 있는 양쪽성 혹은 염기성 화합물, 전자전도도가 우수한 금속 옥시수산화물, 또는 ITO로 표면처리하여 전지의 충방전특성, 수명특성, 고율특성, 열적 안정성 등이 개선된 구조적으로 안정한 리튬이온이차전지용 양극활물질에 관한 것이다. 표면처리, 양극활물질, 양쪽성 화합물, 염기성 화합물, 전자전도도 |
|---|---|
| Int. CL | H01M 4/48 (2010.01.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020040042321 (2004.06.09) |
| 출원인 | 한양대학교 산학협력단, 주식회사 엘지화학 |
| 등록번호/일자 | 10-0582507-0000 (2006.05.16) |
| 공개번호/일자 | 10-2005-0048453 (2005.05.24) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20060523) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 |
대한민국 | 1020030081796 | 2003.11.18
|
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2004.06.09) |
| 심사청구항수 | 12 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
| 2 | 주식회사 엘지화학 | 대한민국 | 서울특별시 영등포구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 선양국 | 대한민국 | 서울특별시 노원구 |
| 2 | 장성봉 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
| 3 | 박홍규 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 박용순 | 대한민국 | 서울특별시 송파구 법원로*길 **, **층 D-****호(문정동)(주심국제특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울 성동구 |
| 2 | 주식회사 엘지화학 | 대한민국 | 서울특별시 영등포구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2004.06.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2004-0249548-55 |
| 2 | 출원인 변경 신고서 Applicant change Notification |
2004.07.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2004-0316608-57 |
| 3 | 서지사항 보정서 Amendment to Bibliographic items |
2004.08.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2004-0346451-23 |
| 4 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2005.10.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 5 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2005.11.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2005-0072945-60 |
| 6 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2005.11.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2005-0603758-22 |
| 7 | 명세서등보정서 Amendment to Description, etc. |
2006.01.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2006-0061840-09 |
| 8 | 의견서 Written Opinion |
2006.01.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0061868-76 |
| 9 | 등록결정서 Decision to grant |
2006.05.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0277253-19 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2006.08.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2006-0019818-11 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.03.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5037763-28 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.01.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5000389-31 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.12.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5161532-51 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2018.11.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5227604-80 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2018.12.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5261818-30 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5164284-96 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 리튬이차전지 양극활물질에 있어서, 전자전도도가 높은 물질의 산화물, 수산화물, 및 옥시수산화물;양쪽성 원소의 수산화물, 산화물, 및 옥시수산화물; 및염기성 원소의 수산화물, 산화물, 및 옥시수산화물로 이루어진 군에서 선택된 하나이상의 화합물[단, 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO)은 제외]로 코팅된 것을 특징으로 하는 표면처리된 리튬이차전지 양극활물질 |
| 2 |
2 제 1 항에서, 상기 전자전도도가 높은 물질은 Co1-xMx (M=Al, Zn, Mg, In, Sb, Bi, Mn, 0<x≤1 |
| 3 |
3 제 1 항에서, 상기 양쪽성 원소는 안티몬(Sb), 아연(Zn), 인듐(In), 주석(Sn), 납(Pb), 보론(B), 또는 알루미늄(Al)임을 특징으로 하는 표면처리된 리튬이차전지 양극활물질 |
| 4 |
4 제 1 항에서, 상기 염기성 원소는 코발트(Co), 마그네슘(Mg), 실리콘(Si), 지르코늄(Zr), 망간(Mn), 비스무트(Bi) 또는 세륨(Ce)임을 특징으로 하는 표면처리된 리튬이차전지 양극활물질 |
| 5 |
5 제 1 항에서, 상기 리튬이차전지 양극활물질은 하기 화합물(1) 내지 (8)에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 표면처리된 리튬이차전지 양극활물질 |
| 6 |
6 제 1 항에서, 표면처리면이 비정질(amorphous), 결정질, 또는 결정질과 비정질이 혼합된 형태임을 특징으로 하는 표면처리된 리튬이차전지 양극활물질 |
| 7 |
7 원소 전구체 및 리튬이차전지 양극활물질의 수용액에 킬레이팅제를 첨가하여 혼합용액을 제조하고, 상기 혼합용액을 분산시킨 후, 용매를 제거하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면처리된 리튬이차전지 양극활물질[단, 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO)로 표면처리된 리튬이차전지 양극활물질은 제외]의 제조방법 |
| 8 |
8 원소 전구체 및 리튬이차전지 양극활물질의 수용액에 암모니아 완충액을 투입하고, 알칼리수용액을 첨가하여 침전시키는 것을 특징으로 하는 표면처리된 리튬이차전지 양극활물질[단, 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO)로 표면처리된 리튬이차전지 양극활물질은 제외]의 제조방법 |
| 9 |
9 제 8 항에서, 알칼리수용액의 첨가로부터 침전된 양극활물질에 산화제를 첨가하여 산화시키는 과정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 표면처리된 리튬이차전지 양극활물질의 제조방법 |
| 10 |
10 제 7 항 또는 제 8 항에서, 상기 원소 전구체는 리튬(Li), 안티몬(Sb), 아연(Zn), 인듐(In), 주석(Sn), 납(Pb), 보론(B), 알루미늄(Al), 코발트(Co), 마그네슘(Mg), 실리콘(Si), 지르코늄(Zr), 망간(Mn), 비스무트(Bi), 또는 세륨(Ce)의 알콕사이드염, 황산염, 질산염, 초산염, 염화염, 인산염으로 이루어진 군에서 선택되는 하나이상의 화합물임을 특징으로 하는 표면처리된 리튬이차전지 양극활물질의 제조방법 |
| 11 |
11 제 7 항 또는 제 8 항에서, 상기 원소 전구체의 양은 리튬이차전지 양극활물질의 0 |
| 12 |
12 제 7 항 또는 제 8 항에서, 상기 리튬이차전지용 양극활물질은 하기 화합물(1) 내지 (8)에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 표면처리된 리튬이차전지 양극활물질의 제조방법 |
| 13 |
12 제 7 항 또는 제 8 항에서, 상기 리튬이차전지용 양극활물질은 하기 화합물(1) 내지 (8)에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 표면처리된 리튬이차전지 양극활물질의 제조방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | KR100807970 | KR | 대한민국 | FAMILY |
| 2 | KR1020030093166 | KR | 대한민국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | KR100807970 | KR | 대한민국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | KR20030093166 | KR | 대한민국 | DOCDBFAMILY |
| 3 | KR20050048452 | KR | 대한민국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0582507-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20040609 출원 번호 : 1020040042321 공고 연월일 : 20060523 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20060515 청구범위의 항수 : 12 유별 : H01M 4/48 발명의 명칭 : 표면처리된 리튬이차전지용 양극활물질 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한양대학교 산학협력단 서울 성동구... |
| 1 |
(권리자) 주식회사 엘지화학 서울특별시 영등포구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 729,000 원 | 2006년 05월 16일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 608,000 원 | 2009년 11월 02일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 304,000 원 | 2010년 03월 30일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 304,000 원 | 2011년 04월 11일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 556,000 원 | 2012년 04월 06일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 556,000 원 | 2013년 04월 10일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 556,000 원 | 2014년 04월 01일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 900,000 원 | 2015년 04월 06일 | 납입 |
| 제 11 년분 | 금 액 | 900,000 원 | 2016년 04월 18일 | 납입 |
| 제 12 년분 | 금 액 | 900,000 원 | 2017년 04월 03일 | 납입 |
| 제 13 년분 | 금 액 | 1,020,000 원 | 2018년 04월 06일 | 납입 |
| 제 14 년분 | 금 액 | 1,020,000 원 | 2019년 04월 15일 | 납입 |
| 제 15 년분 | 금 액 | 1,020,000 원 | 2020년 03월 30일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2004.06.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2004-0249548-55 |
| 2 | 출원인 변경 신고서 | 2004.07.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2004-0316608-57 |
| 3 | 서지사항 보정서 | 2004.08.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2004-0346451-23 |
| 4 | 선행기술조사의뢰서 | 2005.10.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 5 | 선행기술조사보고서 | 2005.11.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2005-0072945-60 |
| 6 | 의견제출통지서 | 2005.11.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2005-0603758-22 |
| 7 | 명세서등보정서 | 2006.01.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2006-0061840-09 |
| 8 | 의견서 | 2006.01.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0061868-76 |
| 9 | 등록결정서 | 2006.05.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0277253-19 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2006.08.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2006-0019818-11 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.03.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5037763-28 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.01.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5000389-31 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.12.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5161532-51 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2018.11.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5227604-80 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2018.12.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5261818-30 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5164284-96 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1350008073 |
|---|---|
| 세부과제번호 | R11-2002-102-02001-0 |
| 연구과제명 | 소형고용량리튬이차전지핵심원천기술개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
| 연구주관기관명 | 한양대학교 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200207~200802 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
| 과제고유번호 | 1440001140 |
|---|---|
| 세부과제번호 | HR-C1090 |
| 연구과제명 | 대학IT연구센터육성지원 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 정보통신연구진흥원 |
| 연구주관기관명 | 정보통신연구진흥원 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200609~200708 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
특허성과
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