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비파괴 방식의 도핑 프로파일 측정장치 및 그에 적용되는주파수 변조 방식의 알에프 커패시턴스 센서

  • 기술번호 : KST2015182660
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 정전용량 감지방식으로서 주파수 변조(frequency modulation) 방식의 알에프(RF) 커패시턴스 센서를 사용하여 측정샘플을 자르지 않고 비파괴로 측정 샘플 내의 정전용량 변화량(dC/dV)을 직접 측정하고, 이 값을 정확한 물리적인 모델링을 통해 계산된 정전용량 변화량(dC/dV)과 비교하여 1차원뿐만 아니라 2차원 및 3차원 도핑 프로파일을 정량적으로 추출할 수 있는 비파괴 방식의 도핑 프로파일 측정장치(nano-C-V) 및 그에 적용되는 주파수 변조 방식의 알에프 커패시턴스 센서에 관한 것으로서, 상기 측정 장치는, 측정하고자 하는 웨이퍼의 표면에 위치되는 나노 탐침과, 상기 탐침과 웨이퍼 사이에 인가된 바이어스 전압에 따라 달라지는 정전용량을 측정하는 알에프 커패시턴스 센서와, 상기 알에프 커패시턴스 센서에서 출력되는 미세한 전압신호를 측정하는 LIA와, 상기 LIA에서 출력되는 신호와 nano-C-V 모델링을 통해 계산된 값과 비교하여 도핑 프로파일을 정량적으로 추출하는 컴퓨터 콘솔로 이루어진다. 이때, 상기 알에프 커패시턴스 센서는 1.7GHz 대역의 발진 주파수를 공급하기 위한 VCO 공급 선로, 마이크로 스트립 공진기, 정전용량 변화를 검출하기 위한 선로로 구성되며, 이들 선로에서의 정전용량 변화를 주파수로 바꾸고 다시 이를 전압으로 검출하기 위해 Rf 믹서와 주파수 복조용 PLL 회로를 추가하여 검출회로를 구성한다.
Int. CL G01R 27/26 (2006.01.01)
CPC G01R 27/2605(2013.01)
출원번호/일자 1020040003559 (2004.01.17)
출원인 중앙대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0577287-0000 (2006.04.28)
공개번호/일자 10-2005-0075623 (2005.07.21) 문서열기
공고번호/일자 (20060504) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.01.17)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강유석 대한민국 서울특별시 강북구
2 황호정 대한민국 경기도 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박용순 대한민국 서울특별시 송파구 법원로*길 **, **층 D-****호(문정동)(주심국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 제네시스 충청남도 천안시 동남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2004-0020431-64
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0525633-16
3 의견서
Written Opinion
2005.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2005-0747673-36
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.12.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0747674-82
5 등록결정서
Decision to grant
2006.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0151358-83
6 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2006.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2006-5031706-80
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2011-5148879-89
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2011-5148883-62
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000494-54
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2014-5123944-33
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2018-5125629-51
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2019-5151122-15
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.01 수리 (Accepted) 4-1-2019-5153932-16
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
측정하고자 하는 웨이퍼의 표면에 위치되는 나노 탐침과, 상기 나노 탐침과 웨이퍼 사이에 인가된 바이어스 전압에 따라 달라지는 전기적 특성(정전용량)을 측정하고 그에 따라 서로 다른 전압신호를 출력하는 알에프 커패시턴스 센서와, 상기 알에프 커패시턴스 센서에서 출력되는 미세한 전압신호를 측정하는 LIA(Lock-In Amplifier)와, 상기 LIA에서 출력되는 신호를 입력받아 나노 C-V 모델링을 통해 계산된 값과 비교하여 도핑 프로파일을 정량적으로 추출하는 컴퓨터를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 비파괴 방식의 도핑 프로파일 측정장치
2 2
제 1 항에 있어서,상기 알에프 커패시턴스 센서는 1
3 3
비파괴 방식의 도핑 프로파일 측정장치에 적용되는 주파수 변조 방식의 알에프 커패시턴스 센서에 있어서,1
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 주파수 공급모듈은 1
5 4
제 3 항에 있어서, 상기 주파수 공급모듈은 1
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.