요약 | 본 발명은 하나의 단위 셀 내에서 상변화층이 모두 동일한 선폭을 가져도 각각의 상태를 독립적으로 제어할 수 있는 상변화 메모리 소자의 단위 셀 구조를 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 상변화층과, 상기 상변화층과 동일 층 내에서 상기 상변화층과 평행하게 배치된 보조 저항층을 구비하는 상변화 메모리 소자의 단위 셀을 제공한다. 상변화 메모리 소자, 하부전극, 발열체, 상변화 물질, 보조 저항층, 병렬, 결정질상, 비정질상 |
---|---|
Int. CL | H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01) |
CPC | G11C 11/5678(2013.01) G11C 11/5678(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020060034258 (2006.04.14) |
출원인 | 재단법인서울대학교산학협력재단 |
등록번호/일자 | 10-0868321-0000 (2008.11.05) |
공개번호/일자 | 10-2007-0102295 (2007.10.18) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20081111) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2007.05.08) |
심사청구항수 | 48 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 이경우 | 대한민국 | 서울 관악구 |
2 | 김기범 | 대한민국 | 서울 관악구 |
3 | 박영욱 | 대한민국 | 경기 오산시 |
4 | 이태연 | 대한민국 | 서울 강남구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 신성특허법인(유한) | 대한민국 | 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | 특허출원서 Patent Application |
2006.04.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0261990-74 |
2 | 전자문서첨부서류제출서 Submission of Attachment to Electronic Document |
2006.04.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-5031576-30 |
3 | 출원심사청구서 Request for Examination |
2007.05.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0342486-31 |
4 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2008.01.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5015497-73 |
6 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2008.02.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0007057-32 |
7 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2008.02.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0093053-93 |
8 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2008.04.07 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0249740-64 |
9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2008.04.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0249758-85 |
10 | 등록결정서 Decision to grant |
2008.08.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0435268-24 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 상변화층;상기 상변화층과 동일 층 내에서 상기 상변화층과 평행하게 배치된 보조 저항층을 구비하는 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
2 |
2 다수의 상변화층;상기 상변화층과 동일 층 내에서 상기 상변화층과 교번적으로 서로 평행하게 배치된 다수의 보조 저항층을 구비하는 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
3 |
3 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 보조 저항층은 상기 상변화층이 결정질상일 때의 비저항과 비정질상일 때의 비저항 사이의 비저항을 갖는 물질로 이루어진 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
4 |
4 제 3 항에 있어서, 상기 상변화층은 결정질상일 때 10-6Ω·m의 비저항을 가지고, 비정질상일 때10-1Ω·m의 비저항을 가지는 물질로 이루어진 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
5 |
5 제 4 항에 있어서, 상기 보조 저항층은 10-3Ω·m~10-4Ω·m의 비저항을 갖는 물질로 이루어진 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
6 |
6 제 3 항에 있어서, 상기 상변화층과 상기 보조 저항층은 상기 동일 층 내에서 동일한 부피 분율을 갖도록 형성된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
7 |
7 제 3 항에 있어서, 상기 상변화층과 상기 보조 저항층은 상기 동일 층 내에서 서로 다른 부피 분율을 갖도록 형성된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
8 |
8 제1 상변화층;상기 제1 상변화층 상에 형성된 전도층; 상기 전도층 상에 형성된 제2 상변화층; 및상기 제2 상변화층과 동일 층 내에서 상기 제2 상변화층과 평행하게 배치된 보조 저항층을 구비하는 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
9 |
9 제1 상변화층;상기 제1 상변화층 상에 형성된 전도층; 상기 전도층 상에 형성된 다수의 제2 상변화층; 및상기 제2 상변화층과 동일 층 내에서 상기 제2 상변화층과 교번적으로 평행하게 배치된 다수의 보조 저항층을 구비하는 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
10 |
10 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 보조 저항층은 상기 제2 상변화층이 결정질상일 때의 비저항과 비정질상일 때의 비저항 사이의 비저항을 갖는 물질로 이루어진 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
11 |
11 제 10 항에 있어서, 상기 제2 상변화층은 결정질상일 때 10-6Ω·m의 비저항을 가지고, 비정질상일 때10-1Ω·m의 비저항을 가지는 물질로 이루어진 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
12 |
12 제 11 항에 있어서, 상기 보조 저항층은 10-3Ω·m~10-4Ω·m의 비저항을 갖는 물질로 이루어진 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
13 |
13 제 10 항에 있어서, 상기 제2 상변화층과 상기 보조 저항층은 상기 동일 층 내에서 동일한 부피 분율을 갖도록 형성된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
14 |
14 제 10 항에 있어서, 상기 제2 상변화층과 상기 보조 저항층은 상기 동일 층 내에서 서로 다른 부피 분율을 갖도록 형성된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
15 |
15 제 10 항에 있어서, 상기 제1 상변화층은 상기 제2 상변화층과 동일한 물질로 이루어진 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
16 |
16 제 10 항에 있어서, 상기 제1 상변화층의 선폭은 상기 제2 상변화층과 상기 보조 저항층의 선폭을 합한 선폭과 동일한 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
17 |
17 제 10 항에 있어서, 상기 제1 상변화층의 선폭은 상기 제2 상변화층과 상기 보조 저항층의 선폭을 합한 선폭과 서로 다른 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
18 |
18 제 8 항에 있어서, 상기 제2 상변화층은 상기 보조 저항층 사이에 배치된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
19 |
19 제 8 항에 있어서, 상기 보조 저항층은 상기 제2 상변화층 사이에 배치된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
20 |
20 제 9 항에 있어서, 상기 보조 저항층은 서로 다른 부피 분율로 형성된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
21 |
21 제 9 항에 있어서, 상기 제2 상변화층은 서로 다른 부피 분율로 형성된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
22 |
22 제1 상변화층;상기 제1 상변화층 상에 형성된 제1 전도층; 상기 제1 전도층 상에 형성된 제2 상변화층; 상기 제2 상변화층과 동일 층 내에서 상기 제2 상변화층과 평행하게 배치된 제1 보조 저항층; 상기 제1 보조 저항층 상에 형성된 제2 전도층; 상기 제2 전도층 상에 형성된 제3 상변화층; 및상기 제3 상변화층과 동일 층 내에서 상기 제3 상변화층과 평행하게 배치된 제2 보조 저항층을 구비하는 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
23 |
23 제1 상변화층;상기 제1 상변화층 상에 형성된 제1 전도층; 상기 제1 전도층 상에 형성된 다수의 제2 상변화층; 상기 제2 상변화층과 동일 층 내에서 상기 제2 상변화층과 교번적으로 평행하게 배치된 다수의 제1 보조 저항층; 상기 제1 보조 저항층 상에 형성된 제2 전도층; 상기 제2 전도층 상에 형성된 다수의 제3 상변화층; 및상기 제3 상변화층과 동일 층 내에서 상기 제3 상변화층과 교번적으로 평행하게 배치된 다수의 제2 보조 저항층을 구비하는 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
24 |
24 제 22 항 또는 제 23 항에 있어서, 상기 제1 보조 저항층은 상기 제2 상변화층이 결정질상일 때의 비저항과 비정질상일 때의 비저항 사이의 비저항을 갖는 물질로 이루어진 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
25 |
25 제 24 항에 있어서, 상기 제2 상변화층은 결정질상일 때 10-6Ω·m의 비저항을 가지고, 비정질상일 때 10-1Ω·m의 비저항을 가지는 물질로 이루어진 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
26 |
26 제 24 항에 있어서, 상기 제2 상변화층과 상기 제1 보조 저항층은 상기 동일 층 내에서 동일한 부피 분율을 갖도록 형성된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
27 |
27 제 24 항에 있어서, 상기 제2 상변화층과 상기 보조 저항층은 상기 동일 층 내에서 서로 다른 부피 분율을 갖도록 형성된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
28 |
28 제 24 항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 상변화층은 동일한 물질로 이루어진 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
29 |
29 제 24 항에 있어서, 상기 제1 상변화층의 선폭은 상기 제2 상변화층과 상기 제1 보조 저항층의 선폭을 합한 선폭과 동일한 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
30 |
30 제 24 항에 있어서, 상기 제1 상변화층의 선폭은 상기 제3 상변화층과 상기 제2 보조 저항층의 선폭을 합한 선폭과 동일한 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
31 |
31 제 22 항에 있어서, 상기 제2 상변화층은 상기 제1 보조 저항층 사이에 배치된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
32 |
32 제 22 항에 있어서, 상기 제3 상변화층은 상기 제2 보조 저항층 사이에 배치된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
33 |
33 제 22 항에 있어서, 상기 제1 보조 저항층은 상기 제2 상변화층 사이에 배치된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
34 |
34 제 22 항에 있어서, 상기 제2 보조 저항층은 상기 제3 상변화층 사이에 배치된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
35 |
35 제 23 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 보조 저항층은 각각 해당 층 내에서 서로 다른 부피 분율로 형성된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
36 |
36 제 23 항에 있어서, 상기 제2 및 제3 상변화층은 각각 해당 층 내에서 서로 다른 부피 분율로 형성된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
37 |
37 제 22 항 또는 제 23 항에 있어서, 상기 제2 보조 저항층은 상기 제3 상변화층이 결정질상일 때의 비저항과 비정질상일 때의 비저항 사이의 비저항을 갖는 물질로 이루어진 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
38 |
38 제 37 항에 있어서, 상기 제3 상변화층은 결정질상일 때 10-6Ω·m의 비저항을 가지고, 비정질상일 때 10-1Ω·m의 비저항을 가지는 물질로 이루어진 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
39 |
39 제 37 항에 있어서, 상기 제3 상변화층과 상기 제2 보조 저항층은 상기 동일 층 내에서 동일한 부피 분율을 갖도록 형성된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
40 |
40 제 37 항에 있어서, 상기 제3 상변화층과 상기 제2 보조 저항층은 상기 동일 층 내에서 서로 다른 부피 분율을 갖도록 형성된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
41 |
41 제 37 항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 상변화층은 동일한 물질로 이루어진 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
42 |
42 제 37 항에 있어서, 상기 제1 상변화층의 선폭은 상기 제2 상변화층의 선폭과 상기 제1 보조 저항층의 선폭을 합한 선폭과 동일한 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
43 |
43 제 37 항에 있어서, 상기 제1 상변화층의 선폭은 상기 제3 상변화층의 선폭과 상기 제2 보조 저항층의 선폭을 합한 선폭과 동일한 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
44 |
44 제 37 항에 있어서, 상기 제1 상변화층이 상기 제2 및 제3 상변화층보다 부피 분율이 크고, 상기 제2 상변화층이 상기 제3 상변화층의 부피 분율보다 크게 형성된 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
45 |
45 제 37 항에 있어서, 상기 제1 상변화층의 선폭은 상기 제2 상변화층의 선폭과 상기 제1 보조 저항층의 선폭을 합한 선폭과 서로 다른 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
46 |
46 제 37 항에 있어서, 상기 제1 상변화층의 선폭은 상기 제3 상변화층의 선폭과 상기 제2 보조 저항층의 선폭을 합한 선폭과 서로 다른 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
47 |
47 제 37 항에 있어서, 상기 제2 상변화층의 선폭과 상기 제1 보조 저항층의 선폭을 합한 선폭은 상기 제1 전도층 또는 제2 전도층의 선폭과 동일하거나, 다른 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
48 |
48 제 37 항에 있어서, 상기 제3 상변화층의 선폭과 상기 제2 보조 저항층의 선폭을 합한 선폭은 상기 제1 전도층 또는 제2 전도층의 선폭과 동일하거나, 다른 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
---|
국가 R&D 정보가 없습니다. |
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특허 등록번호 | 10-0868321-0000 |
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표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20060414 출원 번호 : 1020060034258 공고 연월일 : 20081111 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20080821 청구범위의 항수 : 48 유별 : H01L 27/115 발명의 명칭 : 다중 비트 상변화 메모리 소자의 단위 셀 존속기간(예정)만료일 : 20161106 |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 재단법인서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 1,113,000 원 | 2008년 11월 06일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 1,315,200 원 | 2011년 11월 30일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 1,644,000 원 | 2013년 05월 06일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 1,096,000 원 | 2013년 10월 28일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 1,924,000 원 | 2014년 11월 04일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 1,924,000 원 | 2015년 10월 28일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | 특허출원서 | 2006.04.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0261990-74 |
2 | 전자문서첨부서류제출서 | 2006.04.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-5031576-30 |
3 | 출원심사청구서 | 2007.05.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0342486-31 |
4 | 선행기술조사의뢰서 | 2008.01.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5015497-73 |
6 | 선행기술조사보고서 | 2008.02.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0007057-32 |
7 | 의견제출통지서 | 2008.02.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0093053-93 |
8 | [명세서등 보정]보정서 | 2008.04.07 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0249740-64 |
9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2008.04.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0249758-85 |
10 | 등록결정서 | 2008.08.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0435268-24 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
기술정보가 없습니다 |
---|
과제고유번호 | 1345071055 |
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세부과제번호 | 과C6A2003 |
연구과제명 | 재료연구인력양성사업단 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
연구주관기관명 | 서울대학교 |
성과제출연도 | 2008 |
연구기간 | 200603~201302 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | 기타 |
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