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다중 적층 나노갭 구조 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014047332
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 원자의 크기레벨로 나노갭(nanogap)의 위치, 폭 및 깊이의 조정이 가능하고 다수의 나노갭을 동시에 형성할 수 있는 다중 적층 나노갭 구조 및 그 제조방법에 관한 것으로써, 표면 증강 라만 산란(SERS)를 이용한 단분자 검출 센서에 적용될 수 있는, 직선형의 나노갭이 일정 간격을 두고 반복적으로 나타나는 배열의 나노갭 구조와 그 제조방법을 제공한다. 보다 더 구체적으로 본 발명은, 표면 증강 라만 산란(SERS)를 이용한 단분자 검출 센서용 구조에 있어서, 기판; 및 상기 기판 위에 순차적으로 증착되는 희생층 및 강화층;을 포함하되, 상기 희생층 및 강화층은 적어도 한 번 이상 반복적으로 증착되고, 상기 기판, 희생층 및 강화층으로 형성된 구조에서 적어도 하나의 측면부에는, 상기 기판과 강화층 사이 또는 각각의 강화층 사이의 희생층의 소정영역이 제거되어 상기 기판 또는 강화층이 돌출됨으로써 형성되는 적어도 하나 이상의 나노갭을 구비하는 것을 특징으로 하는 다중 적층 나노갭 구조를 제공한다.
Int. CL G01N 35/00 (2006.01) G01N 33/48 (2006.01)
CPC G01N 21/658(2013.01) G01N 21/658(2013.01)
출원번호/일자 1020100017158 (2010.02.25)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1078184-0000 (2011.10.25)
공개번호/일자 10-2011-0097354 (2011.08.31) 문서열기
공고번호/일자 (20111101) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.02.25)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최양규 대한민국 대전광역시 유성구
2 설명록 대한민국 대전광역시 유성구
3 김주현 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0124454-16
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.07.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2011-0065440-58
4 등록결정서
Decision to grant
2011.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0562273-92
5 [일부 청구항 포기]취하(포기)서
[Abandonment of Partial Claims] Request for Withdrawal (Abandonment)
2011.10.25 수리 (Accepted) 2-1-2011-0249373-83
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
표면 증강 라만 산란(SERS)를 이용한 단분자 검출 센서용 구조에 있어서, 기판; 및 상기 기판 위에 순차적으로 증착되는 희생층 및 강화층;을 포함하되,상기 희생층 및 강화층은 적어도 한 번 이상 반복적으로 증착되고, 상기 기판, 희생층 및 강화층으로 형성된 구조에서 적어도 하나의 측면부에는, 상기 기판과 강화층 사이 또는 각각의 강화층 사이의 희생층의 소정영역이 제거되어 상기 기판 또는 강화층이 돌출됨으로써 형성되는 적어도 하나 이상의 나노갭(nanogap)을 구비하는 것을 특징으로 하는 다중 적층 나노갭 구조
2 2
청구항 2은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
3 3
청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
4 4
제 1항에 있어서, 상기 강화층은 금(Au) 또는 은(Ag)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 다중 적층 나노갭 구조
5 5
청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
6 6
청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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제 1항에 있어서, 상기 기판, 희생층 및 강화층으로 형성된 구조의 측면부에서 상기 소정영역이 제거된 희생층까지의 거리, 즉 상기 나노갭의 깊이는 1nm 내지 100nm 인 것을 특징으로 하는 다중 적층 나노갭 구조
8 8
표면 증강 라만 산란(SERS)를 이용한 단분자 검출 센서용 구조의 제조 방법에 있어서, (a) 기판상에 희생층 및 강화층을 순차적으로 적어도 한 번 이상 반복적으로 증착하는 단계; 및(b) 상기 기판, 적어도 하나이상의 반복적으로 형성된 희생층 및 강화층으로 이루어지는 적층구조의 측면부의 희생층의 소정영역을 제거하여 상기 기판 또는 강화층이 돌출됨으로써 생성되는 적어도 하나 이상의 나노갭을 형성하는 단계;를 포함하는 다중 적층 나노갭 구조의 제조 방법
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제 8항에 있어서, 상기 (a)단계와 (b)단계 사이에,상기 기판에 희생층 및 강화층이 반복적으로 증착된 적층구조를 소정의 크기별로 분할하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 적층 나노갭 구조의 제조방법
10 10
청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
11 11
청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
12 12
청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
13 13
청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
14 14
청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
15 15
청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.