맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

오믹 접합층을 가지는 저항변화 메모리

  • 기술번호 : KST2014039511
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저항변화 특성과 다이오드에 의한 선택특성을 동시에 구비하는 저항변화 메모리가 구비된다. 저항변화 메모리를 구성하는 저항변화 다이오드는 산화물 반도체들로 구성되며, p형 저항변화 반도체층 및 n형 저항변화 반도체층의 접합에 의해 달성된다. p형 저항변화 반도체층은 금속 공공에 따른 정공의 주도적 거동에 의해 전하의 이동이 수행되며, n형 저항변화 반도체층은 산소 공공에 의한 전자의 이동에 의해 전하의 이동이 수행된다. 저항변화 반도체층과 오믹 접합을 달성하고, 쇼트키 베리어의 형성을 억제하기 위해 오믹 접합층이 저항변화 다이오드 상부에 형성된다. 이를 통해 각각의 메모리 셀이 낮은 판독전압 하에서도 정보의 오독 없이 정보판독을 가능하게 하며, 메모리 구조의 구동 전력을 감소시켜 대용량, 고밀도의 메모리 실현이 가능하며, 제조공정 상의 복잡함과 고비용을 회피할 수 있다.
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020100132928 (2010.12.22)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1787751-0000 (2017.10.12)
공개번호/일자 10-2012-0071257 (2012.07.02) 문서열기
공고번호/일자 (20171116) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.12.21)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 홍진표 대한민국 서울특별시 성동구
2 곽준식 대한민국 경기도 의왕시 덕장로 ,
3 배윤철 대한민국 경상남도 거제시
4 이아람 대한민국 경상남도 김해시 가야로번

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0850140-70
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2015.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-1248265-75
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0063560-93
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.03.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0293330-35
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0293329-99
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0532168-76
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2017.08.31 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0844119-87
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2017-0844118-31
11 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2017.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0688315-50
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성되며, 정공을 통한 전하의 이동이 주도적으로 발생되는 산화물 반도체로 구성된 p형 저항변화 반도체층;상기 p형 저항변화 반도체층 상에 형성되고, 전자를 통한 전하의 이동이 주도적으로 발생되는 산화물 반도체로 구성된 n형 저항변화 반도체층;상기 n형 저항변화 반도체층 상에 형성되고, 저항변화 다이오드와 쇼트키 베리어의 형성을 억제하는 오믹 접합층; 및상기 오믹 접합층 상부에 형성되는 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 오믹 접합층은, Al, In, Ti 또는 Mn을 가지는 금속 물질, WN 또는 TiN을 가지는 nitride 물질 또는 TiOx(0
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 p형 저항변화 반도체층은, 비화학양론적인 구성을 가지고, 금속 원자의 공공을 가지는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 n형 저항변화 반도체층은, 비화학양론적인 구성을 가지고, 산소 원자의 공공을 가지는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서, 상기 하부 전극은 Pt, Au, Al, Cu, Ti 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되거나, TiN 또는 WN을 포함하는 질화물 전극인 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
제1항에 있어서, 상기 상부 전극은, Pt, Au, Al, Cu, Ti 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되거나, TiN 또는 WN을 포함하는 질화물 전극인 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
삭제
14 14
삭제
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR1020120043343 KR 대한민국 FAMILY
2 US20130214235 US 미국 FAMILY
3 WO2012057499 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
4 WO2012057499 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.